【課題】物体上に形成された複数の基準マークの位置検出精度を維持しながら検出時間の短縮を図る。
【解決手段】実測すべき基準マークの各々を対象マークとしながら評価値を求め、それらの評価値に基づき基準マークの補間位置情報が実測位置情報と一致することの確からしさを評価する。そして、最良評価値≦しきい値を満足する場合、つまり一の基準マークの位置情報を他の基準マークの位置情報から高い確からしさで補間できる場合、実測すべき基準マークから一の基準マークを除外する。このため、２枚目以降の基板については、高い検出精度を保ちながら実測すべき基準マークの個数を低減することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】物体に設けられた複数のマークをより短時間に高精度に検出する。
【解決手段】ウエハマークの位置を検出するマーク検出方法であって、複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４の検出領域に対してウエハＷを移動中に、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４とウエハＷの表面とのデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいてウエハＷの面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、ウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＡ１，ＷＭＤ１がアライメント系ＡＬ２２，ＡＬ１，ＡＬ２３の検出領域内に達したときに、ウエハＷを静止させて、アライメント系ＡＬ２２，ＡＬ２３で対応するウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＤ１の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】 露光装置における投影光学系を介してマスク面とプレート面の位置検出をするにあたり、前記投影光学系における非点隔差の影響をできる限り受けない位置で位置検出マークを検出し、精度良くマスク面とプレート面の位置検出をする方法を提供する。
【解決手段】 露光装置（１００）は、物体面（１１）上に形成されたパターンを像（２１）面上に結像させる投影光学系（３０）と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置（５０）を備えている。位置検出を投影光学系（３０）で生ずる非点隔差の影響が少ない位置で実施することで、位置検出の精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法を提供する。
【解決手段】露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第１のパタンを有する第１のマスクを作製し、第１のパタンにおける、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第１の差分を算出し、第１の差分を、第１のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、Ｎ×Ｎショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、チップ領域５の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、（ａ）メインパターン５ａを形成するメインマスク１と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの上下に位置する部分を形成する上下マスク２と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの左右に位置する部分を形成する左右マスク３と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの角部に位置する部分を形成する隅マスク４を準備する工程と、（ｂ）メインマスク１、上下マスク２、左右マスク３、隅マスク４を組み合わせてチップ領域５を含むショット配列を形成する工程と、（ｃ）当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】対象物に対するパターンの描画位置を高い精度でコントロールできる技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、光学ヘッド部から、光学ヘッド部に対して相対的に移動する対象物（例えば、基板）に対して光を照射して、基板Ｗにパターンを描画する。ここで、光学ヘッド部が、光源からの光を、パターンデータに基づいて空間変調する空間変調ユニット４４と、空間変調ユニット４４において空間変調された光の経路を、空間変調ユニット４４の空間変調の単位（具体的には、例えば、空間光変調素子４４１１の画素単位）よりも細かい精度でシフトさせる光路補正部４５とを備える。 （もっと読む）

【課題】グローバルアライメントで求めた目標位置に精度良くパターンを転写することができるインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板上に塗布された転写材料とパターンを有する型との少なくとも一方を他方に押し付け、パターンを転写するインプリント装置であって、型２のマーク４と、基板１上に形成された複数のマーク５を検出することで算出された目標転写位置に対応する基板１上のマーク５とを検出する検出部６と、目標転写位置にパターンを転写するために、型２と基板１を位置合わせした状態で、型２のマーク４と目標転写位置に対応する基板１上のマーク５との相対位置を示す情報を検出部９から取得し、目標転写位置で型２と転写材料とが押し付けられた状態で、型２のマーク４と基板の目標転写位置に対応する基板１上のマーク５との相対位置を、位置合わせをした状態における相対位置となるように制御する制御部１６とを有するインプリント装置。 （もっと読む）

【課題】透明導電部をパターン状に形成し、これに対応するようにパターン状の機能層を積層する際に、精度良くアライメントすることが可能なアライメントマーク付き基板を提供する。
【解決手段】基板１１と、上記基板１１上に形成され、表面に凹部状に形成されたアライメント用凹部１３を有するアライメントマーク層１２と、を有することを特徴とするアライメントマーク基板１０で、アライメントマーク層１２上に透明電極または透明半導体等の透明導電部２１を形成し、さらに透明導電部２１上に機能層２２を形成する際に、アライメント用凹部１３を基準とすることにより上記透明導電部２１が透明なものであっても正確にアライメントすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の位置を容易に検出可能にする。
【解決手段】本発明の露光装置ＥＸは、露光対象の基板Ｐに回路パターンを露光する露光部と、基板Ｐを貫通して設けられ、露光の位置基準となるアライメントマークＡＭに光を通して基板Ｐの位置を検出するアライメント系４を備える。アライメント系４は、光を射出する光学部材と、光学部材から射出されてアライメントマークＡＭを通った光を反射させる反射部とを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】ワークの姿勢を良好にアライメントできるアライメント装置、基板処理装置、およびアライメント方法を提供する。
【解決手段】注目マーク９４ａが初期位置Ｐ０から第１計測位置Ｐ１へ第１距離Ｄ１だけ移動した後、位置演算部は、対応撮像部にて撮像された第１撮像画像に基づいて、第１撮像画像の座標系における注目マーク９４ａの第１計測位置Ｐ１を演算する。また、位置演算部は、注目マーク９４ａが第１計測位置Ｐ１から第２計測位置Ｐ２に移動した後、対応撮像部により撮像された第２撮像画像に基づいて、第２撮像画像の座標系における第２計測位置Ｐ２を演算する。続いて、演算された第１および第２計測位置Ｐ１、Ｐ２と、第１角度θ１と、に基づいて、回転軸３５ａから見た注目マーク９４ａのマーク位置を演算する。そして、求められた各アライメントマークのマーク位置を通る直線を求めることによって、主走査方向に対する基板の傾きを求める。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ測定の精度を向上する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、位置合わせ測定方法では、測定光学系の測定領域内が２次元的に分割された複数の部分領域のそれぞれに位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置を順次にシフトさせながら前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を予め測定して、前記測定光学系の特性ずれに関する装置要因誤差を前記複数の部分領域のそれぞれごとに求め、前記複数の部分領域ごとに求められた前記装置要因誤差に基づいて前記複数の部分領域のうち使用すべき部分領域を決定し、前記決定された前記使用すべき部分領域に前記位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置をシフトさせた状態で前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を測定する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出条件を最適化する。
【解決手段】アライメント検出系を用いてウエハ上に形成されたアライメントマーク（ＥＧＡマーク又はサーチマーク）が複数の照明条件又は複数の結像条件で検出される。しかる後、得られた検出信号を信号処理アルゴリズムを用いて解析処理することにより検出信号の波形の変形に関する判定量が求められ（ステップ３０２〜３１０）、その判定量に基づいて複数のマークの検出結果に対するＴＩＳが評価される（ステップ３１２）。そして、その解析結果に基づいて複数の照明条件又は複数の結像条件が最適化される（ステップ３１４）。これにより、検出結果に対するＴＩＳが最小になるようにアライメントマークの検出条件を最適化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハプロセスの影響による計測誤差を低減するマークの位置計測方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板に形成されたマークの位置を計測する計測方法において、
前記マークを照明するステップと、結像光学系を用いて前記マークの像をセンサの受光面に形成するステップと、前記センサにより前記マークの像を撮影して画像データを取得するステップと、前記マークの形状、前記結像光学系の結像倍率および前記センサの撮像範囲の情報を用いて前記画像データの基本波及び高調波の補正用データを設定する設定ステップと、前記補正用データを用いて前記画像データを補正するステップと、該補正された画像データを用いて前記マークの位置を算出するステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクステージの回転中心の座標を精度良く求め、これによりマスクと基板との位置決めを高精度で行うことができるマスクの位置決め装置及びマスクの回転中心算出方法を提供する。
【解決手段】位置決め装置７０は、回転機構１６ｘを具備するマスクステージ１０と、マスクＭ及び基板Ｗに設けられた複数のアライメントマークＭｍ、Ｗｍを検知するための複数のアライメントカメラ１８と、アライメントカメラ１８により得られた画像を用いて各アライメントマークＭｍ、Ｗｍの位置が合うようにマスクステージ１０の動作を制御する制御装置７１と、を備える。アライメントカメラ１８は、各アライメントカメラ１８にそれぞれ対応するアライメントマークＭｍ、Ｗｍを撮像し、マスクステージ１０を回転させた後、各アライメントマークＭｍ、Ｗｍを再度撮影して、マスクステージ１０の回転中心Ｅの座標を算出する。 （もっと読む）

【課題】 基板上にすでに配置されている、サブ半導体チップの電極パッドを検出して生成した電極接続データで描画処理を行う技術を提供する。
【解決手段】 パターン描画装置１００の光学ヘッド部５０に対して相対移動する基板Ｗを光学ヘッド部５０により直接露光する直接露光方法で、アライメントカメラ６０で基板Ｗをモニターし基板Ｗの電極パッドの位置を検出し、パターン描画装置１００に入力された配線パターンデータと、電極パッドの検出位置からパターン描画装置１００内の制御部７０が、電極接続データを生成する。生成された電極接続データで光学ヘッド部５０が、移動する基板Ｗを電極接続データに基づいて直接露光することで電極パッドの位置がずれていても配線パターンを正確に描画することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。
【解決手段】一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】露光装置のステージ上に被露光ガラス基板を搭載してから、フォトマスクとガラス基板のアライメントとが終了するまでのステージの移動回数を低減するの提供である。
【解決手段】露光用光源、露光光制御機構、基板ステージ位置調節機構、アライメントマークの画像認識機構、該画像情報等を使用して位置情報を保存・算出する機構とを備える露光装置であって、ステージに被露光基板を搭載する都度、位置情報に基づいて被露光基板を初期位置に移動し、その後、画像認識によりフォトマスクのアライメントマークと被露光基板のアライメントマークが所定の許容差に収まるまで、別の位置情報に基づいて被露光基板を段階的に移動するとともに、移動後の位置を位置情報として蓄積し、次に露光する被露光基板の初期位置についての情報を、蓄積された位置情報に基づいて算出し位置情報として設定するする機構を備えたことを特徴とする露光装置。 （もっと読む）

【課題】ウエハとパターンとを精度良く位置合わせする。
【解決手段】位置計測系を用いてステージの位置を計測し、その計測結果に基づいてステージを駆動し、ステージ上に保持されたウエハ上のアライメントマークをアライメント系を用いて検出して得られる検出結果と、その検出結果に対するステージの位置に依存する補正情報（理想格子の格子点ｍ_ｉｊについて与えられた補正データ）と、に基づいてウエハ上に形成されるパターンが理想格子状に配列されるようにウエハを保持するステージを駆動する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、極めて高いアライメントの精度を得ることのできる露光装置を提供する。
【解決手段】対象ワーク２３上に所定のマスク１８ａパターンを露光する露光装置１０である。露光光を用いたアライメント光をマスク１８ａのマスク側アライメントマーク５１に照射可能なアライメント照明ユニット３０と、アライメント照明ユニット３０から出射されマスク１８ａおよび投影レンズ２０を経たアライメント光を入射させるアライメントカメラユニット４０と、を備える。アライメントカメラユニット４０は、入射されたアライメント光におけるマスク１８ａに対する光学的な位置関係を、対象ワーク２３とは異なる位置で対象ワーク２３と等しくするダミーワーク領域（４２ａ）に、マスク側アライメントマーク像５３を形成する結像光学系と、撮像装置に対する対象ワーク２３とダミーワーク領域との光学的な位置関係を等しくする撮像光学系と、を有する。 （もっと読む）