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Fターム[5F046GC05]の内容

Fターム[5F046GC05]に分類される特許

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【課題】真空容器内のEUV光源の異常を、大気解放することなく早期に発見する。
【解決手段】大気圧以下の減圧下でプラズマを発生し、プラズマから放射されるEUV光を取り出すEUV光源と、EUV光源からのEUV光を、所望の半導体パターンが形成されたマスクに導く第1の光学系と、マスクからの反射光又はマスクの透過光を試料上に導く第2の光学系と、を備え半導体露光装置において、光源のアコースティックエミッションを検出する検出部180を設け、検出部180の出力から光源の異常を検出する。 (もっと読む)


【課題】ウィンドウのレーザ光による熱負荷による特性の悪化を改善させる。
【解決手段】ウィンドウユニットは、レーザ光を透過するウィンドウと、前記ウィンドウの外縁を保持し、内部に前記ウィンドウの外側または内側の周辺に液体を流す流路が設けられたホルダとが設けられたウィンドウホルダと、を備えていてもよい。流路には、たとえば冷却装置から供給された冷却媒体が流れてもよい。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能なレーザ装置および極端紫外光生成装置を提供する。
【解決手段】レーザ装置は、回折格子と、出力されるレーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される複数の半導体レーザと、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】従来の汚染物トラップシステムに比べて効率が良い汚染物トラップシステムを含む照明システムを有するリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、実質的に発光点LEPから発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを含む。照明システムは、汚染物トラップシステムCTSを含む。トラップシステムは、中心ゾーンCZと周辺ゾーンPZとを有する汚染物トラップCTを含む。トラップは、周辺ゾーンを通って実質的に外側へ延在する複数の小板Ptを含む。発光点LEPは、小板Ptと重なる面上に存在する。各小板Ptは、中心ゾーンに向けられたコンポーネントに対する法線を有する。 (もっと読む)


【課題】水素ラジカル大気における反射コーティングのシリサイド化に関連する欠点を伴わずに、効率的および製造が容易であるEUVスペクトル純度フィルタを提供する。
【解決手段】透過型スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させるように構成されている。スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させ、かつ第2のタイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含む。アパーチャは、異方性エッチングプロセスによってシリコンなどのキャリア材料において製造されてもよく、またMo金属、Ru金属、TiNまたはRuOなどの反射層によって頂部が覆われてもよい。窒化珪素Siまたは二酸化珪素SiOなどの拡散バリア層は、高温下における金属の拡散およびシリサイド化を防ぐために金属と半導体との間に設けられる。 (もっと読む)


【課題】
軟X線の波長と合わせて集光効率を向上させる楕円ミラーを利用することで、軟X線のエネルギー密度を高くし、パターニングした軟X線(パターニング光)と加工用のレーザー光の両方を照射することなく、軟X線のみで、無機材料等の被加工物を数nmの精度で加工及び/又は改質する。
【解決手段】
光源部7から放射される軟X線14を、楕円ミラー15で高エネルギー密度に集光して所定のパターンで被加工物19に照射し、被加工物19を所定のパターンで軟X線14を照射した部分のみを加工する。 (もっと読む)


【課題】本発明のEUV光源装置は、高い熱負荷状態において、可飽和吸収体を安定して連続的に使用することができる。
【解決手段】可飽和吸収体(SA)装置33は、自励発振光や寄生発振光あるいは戻り光のような微弱な光を吸収するために、レーザビームライン中に設けられる。SAガスボンベ334(1)からのSAガスとバッファガスボンベ334(2)からのバッファガスとは混合されて、混合ガスとなる。混合ガスは、供給管路333(1)を介して、SAガスセル330に供給され、レーザ光L1に含まれる微弱光を吸収する。混合ガスは、排出管路333(2)を介して排出され、熱交換器332に送られる。熱交換器332で冷却された混合ガスは、循環ポンプ331(1)により、再びSAガスセル330に送られる。 (もっと読む)


【課題】ラップトップサイズの近接場の増幅を利用した高次高調波の生成装置を提供する。
【解決手段】フェムト秒レーザー発生器と、フェムト秒レーザー発生器から出力される光を伝達する光伝達手段と、光伝達手段を通じて伝達された光が通過するときに近接場の増幅を起し得るナノ開口を有する金属薄膜の微細パターンと、光伝達手段を通じて伝達された光が微細パターンを通過するとき、非活性ガスを供給させるガス供給部と、微細パターン及びガス供給部を真空雰囲気内で収容するための真空チャンバと、を備えるラップトップサイズの近接場の増幅を利用した高次高調波の生成装置である。これにより、外部の光増幅器なしに微細パターンを通じて近接場の増幅に入射されるフェムト秒レーザーの反復率を維持させつつ高次高調波の生成を達成することによって、ラップトップサイズに小型化することができる。 (もっと読む)


【課題】EUV光源装置のメンテナンスのために、取り外し、メンテナンス領域への移動、及び投影光学系への高精度な設置をする。
【解決手段】チャンバ10内においてレーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を露光装置の投影光学系20に入射させるEUV光源装置1であって、チャンバ10又は該チャンバのメンテナンスユニット10aを極端紫外光の光軸と露光装置の投影光学系20の光軸とが一致する所定位置に位置決めする位置決め機構70と、チャンバ10又は該チャンバのメンテナンスユニット10aを該所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構60と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させることなく、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させることのできる半導体リソグラフィ用光源を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ上に回路パターンを形成するための短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源であって、負圧の状態で希ガス又は希ガスを含んだ混合ガスが充填される内部空間を画定した外周壁部を有する光源本体と、前記内部空間内に所定の軸線周りの回転磁場を発生させる磁場発生手段とを備え、前記光源本体は、少なくとも外周壁部が電気絶縁性を有する非磁性の材料で構成されるとともに、少なくとも一部に短波長の光成分又は該光成分を含んだ光を内部空間から外部へ放出させる光放出部が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 極端紫外線を生成するように構成される放射源。
【解決手段】 放射源は、燃料が放射ビームによって接触されてプラズマを形成する位置にあるプラズマ形成サイトと、プラズマ形成サイトで形成される極端紫外線を収集し、それにより極端紫外線ビームを形成するコレクタと、少なくとも一部がプラズマ形成サイトとコレクタとの間に位置する複数のフォイルを含む汚染物バリアと、複数のフォイルに動作可能に接続された回転可能ベースとを含む。回転可能ベースは、放射ビームが汚染物バリアを通過してプラズマ形成サイトに達するように構成される。 (もっと読む)


【課題】分散安定性に優れ、安定したEUV発光が得られ、極端紫外光発生装置のモリブデン/シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるEUV発光を抑制でき、かつ、デブリの発生を抑制できる極端紫外光発生装置用ターゲット材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料は、平均粒子径が200nm以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散してなることを特徴とする。本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法は、平均粒子径が200nm以下の錫微粒子100質量部に対して、分散剤を2質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により前記濃縮液を希釈することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 フィルタデバイス(149)を含むリソグラフィ装置(1)を提供する。
【解決手段】フィルタデバイス(149)は、回転軸(RA)の周りに回転可能なホルダ(201)に取り付けられた複数のフォイル(200)を有する。フォイル(200)は、回転軸(RA)に実質的に平行に配置される。フォイル(200)は、炭素−炭素複合材(C−C複合材)および炭素−炭化ケイ素複合材(C−SiC複合材)からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む。動作中、フィルタデバイス(149)は回転し、Snプラズマ源といった放射源(SO)からのデブリを除去する。このようなフィルタデバイス(149)そのものも提供されてよい。 (もっと読む)


【課題】公知のガスラジカルの集積発生と、汚染された光学表面上でのその等方的な分散とを可能にするように、プラズマベースの放射線源においてデブリによって汚染された反射光学素子の光学表面の、その場での清浄化のための新規な可能性を見出す。
【解決手段】この課題は、ガスラジカルが光学表面全体に沿って2つの表面電極間の誘電体妨害放電によって生成されることで達成される。ガスラジカルは、少なくとも一つの表面電極の表面全体をカバーする少なくとも一つのバリア層上での電子移動によってほぼ例外なく発生させられ、Hz〜kHz範囲の交流電圧が、バリア層で誘電分極を周期的に排除するために表面電極に印加されるので、コールドプラズマが連続的に発生させられ、堆積したデブリ粒子が光学表面上を案内されるガス流によってガス状反応生成物として除去される。 (もっと読む)


【課題】汚染物質トラップに生じる高温の影響への対策をとる。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射源から放射された放射から放射ビームを形成する放射システムを備える。放射システムは、放射源から発せられた物質捕捉する汚染物質トラップを備える。汚染物質トラップは、放射システムにおいて放射ビームが伝播しているときに放射源から発せられた物質を受けるよう放射ビーム経路に配列された汚染物質捕捉面を備える。放射システムは、汚染物質トラップを液体スズで冷却する液体スズ冷却システムを備える。リソグラフィ装置は、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持部と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、を備える。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に滞留及び蓄積したデブリがチャンバを汚染して集光ミラー等の重要光学コンポーネントの性能を低下させることを防止し、長期間安定に極端紫外光を発生することが可能な極端紫外光源装置を提供する。
【解決手段】この極端紫外光源装置は、ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内の所定の位置に供給されるターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを生成するドライバレーザと、チャンバ内に設置され、プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、プラズマから発生するデブリを捕集して、捕集されたデブリをチャンバ外に排出する除塵装置とを具備する。 (もっと読む)


本発明は、適したベアリング(73,74)によって駆動される回転可能なチャネルバリア(72)を含む汚染防止システム(71)に関する。本発明による汚染防止システム(71)は、実質的にベアリング(73)の付近に設けられた冷却システム(75)を用いて構成される。冷却システム(75)は、適した流体冷却材、特にガスが供給される導管(75a)を含んでもよい。汚染防止システムのシャフトに設けられた中央チャネル(79a)を介してガスを供給することは可能である。さらに、適した導管(76a)を用いて構成された補助的冷却システム(76)が提供されてもよい。この冷却システム(76)は汚染防止システム(71)の周辺に構成されているため、水を適した冷却材として使用してもよい。本発明は、リソグラフィ投影装置、放射源および集積構造を製造する方法にさらに関する。 (もっと読む)


複数の1次光源を有する光学要素を備えた照明システム、更に、マイクロリソグラフィ投影システムを提供する。本発明は、複数の1次光源(69.1、69.2、69.3、69.4、101.1、101.2、101.3、2100.1、2100.2)を有する光学要素(100)を含む、特にマイクロリソグラフィに使用するための照明システムに関し、照明システムは、視野輪郭(2112)を有する視野平面(2108)内の視野を照明し、照明システムは、各1次光源が視野平面における区域(2106.1、2106.2)を照明するように構成され、区域(2106.1、2106.2)の大きさ(SP(1)、SP(2))は、視野輪郭(2112)によって囲まれる区域の大きさ(SF)よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】錫デブリ生成放射源からの汚染に長時間さらされるEUV装置内の汚染バリアの場合、バリアが捕捉されたデブリによって汚染され、そのデブリがバリアの放射透過特性を妨げることがあるため、クリーニング法を提供することが望まれている。
【解決手段】錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するデブリ軽減システムが提供される。本デブリ軽減システムは、複数のフォイルを含むデブリバリアと、フォイルをクリーニングするよう構築され、配置されたクリーニングシステムとを含む。クリーニングシステムは、液体合金をフォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解しフォイルから洗い流す供給ユニットを含む。この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。 (もっと読む)


【課題】 真空を保ったまま、金属残滓を回収する。
【解決手段】 排出管21および廃液タンク23はヒータ29で覆われており、排出管21および廃液タンク23内の残滓は液状となる。排出管21の先端は溶解した残滓の界面よりも矢印α方向に伸びているので、残滓の界面25bは一定の位置で均衡する。残滓はノズル13から供給された液滴がそのまま排出管21に供給されると、その分、増加する。圧力調整器27は、廃液タンク23内の圧力を徐々に低くするよう調整する。 (もっと読む)


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