【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１表面に形成された多層反射層２１と、多層反射層２１より上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク１４０の製造工程において、吸収層５１に設ける転写回路パターン領域５よりも外側に位置する少なくとも多層反射層２１の部分に、基板１１の裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させて中間層による複合層３１を備えた遮光枠１を形成する。この遮光枠１において、多層反射層２１における反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠１を作製する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板１１の表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造工程において、遮光枠となる領域に電子線を照射して多層反射層２１にミキシング層を発生させる。これによって、反射型マスクとして使用する際に、位相効果によって多層反射層２１から発生する反射強度が下がり、遮光性の高い遮光枠を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】吸収層や多層反射層の加工によるダメージや光学的性質の変化なく、高い遮光性を有する、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられる反射型マスクを提供する。
【解決手段】反射型マスクの回路パターン領域の外周部に、別体の部材からなる遮光領域を設けることにより、複雑な加工や処理をすることなく簡単な工程により、高い遮光性の遮光枠を有する反射型マスクを提供することを可能にした。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ光学基材用での成膜面における凹欠点の発生が抑制されたＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０の上下定盤１２，１４の研磨面でキャリア２０に保持されたガラス基板２２を挟持し、上定盤１２に設けられた供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、上下定盤１２，１４と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させてガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）光学基材用ガラス基板２２の研磨方法であって、ＥＵＶＬ光学基材での成膜面が、下定盤１４の研磨面と対面するようにガラス基板２２を挟持ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】ハーフトーン膜とクロム膜の２層からなる膜２０１ｂとレジスト２０１ｃが積層されたガラス基板２０１ａに、電子ビーム２０２を照射する。レジスト２０１ｃを現像して形成されたレジストパターンをマスクとしてハーフトーン膜とクロム膜から成る２０１ｂをパターニングする。その後、レジストとクロム膜を除去してフォトマスク２０３を製造する。次に、ＥＵＶマスク基板２０５に対し、フォトマスク２０３を介してＡｒＦレーザ光２０４を照射する。レジスト１０６を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして吸収層１０５と緩衝膜１０４をパターニングする。レジストパターンを除去してＥＵＶマスク２０６を製造する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクの製造工程において、基板裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させ、多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】パターン領域の周辺に吸収層を積層した遮光領域を設けた反射型マスクの製造において、マスク製造のスループットを低下させず、正常パターンや反射層に損傷を与えることなく、修正痕を残さずに欠陥修正を行い、高品質のマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法およびそれに適したマスクブランクを提供する。
【解決手段】第１の吸収層上に第２の吸収層が積層された吸収層上にハードマスクを設け、パターン領域のハードマスク、第２の吸収層、第１の吸収層をエッチングしてパターン化した後、前記パターン領域の外観欠陥検査を行い、黒欠陥部がある場合には、前記反射層に損傷が生じない程度の厚さに前記黒欠陥部の下層の前記第１の吸収層の厚さを残して前期黒欠陥部を修正し、前記黒欠陥部の修正残りの前記第１の吸収層をエッチングして除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射型露光用マスクブランクに形成された反射型露光用マスクを用いたＥＵＶＬにおいて、歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＥＵＶＬ用の反射型露光用マスクＭＳＫ１は、マスク基板ＳＵＢ１上に順に形成された、低反射率導体膜ＬＥ１、多層反射膜ＭＬ１、および、吸収体ＡＢ１を有する。この低反射率導体膜ＬＥ１は、ＥＵＶ光に対する反射率が、多層反射膜ＭＬ１および吸収体ＡＢ１よりも低い。また、吸収体ＡＢ１は、マスク基板ＳＵＢ１のパターン領域ＲＰ１において、吸収体パターンＰＡ１を形成している。更に、多層反射膜ＭＬ１は、パターン領域ＲＰ１の外周を囲む部分を溝状に除去することで形成された遮光帯ＳＤ１を有している。この溝状の遮光帯ＳＤ１の底部では、低反射率導体膜ＬＥ１が露出されている。 （もっと読む）

【課題】酸洗浄や水素プラズマを用いて、遮光膜としてタンタル、ニオブ、バナジウムまたは、タンタル、ニオブ、バナジウムの少なくとも２つからなる金属を用いたフォトマスクの洗浄を行うと、原子状の水素が遮光膜に侵入し、水素脆性を有するタンタル、ニオブ、バナジウムまたは、タンタル、ニオブ、バナジウムの少なくとも２つを含む金属が脆化し、変形してしまうという課題がある。
【解決手段】金属膜としての遮光膜２３を、遮光膜２３を酸化して得られた酸化金属を水素阻止膜２４として用いることによって、気密封止する。水素阻止膜２４は、遮光膜２３を覆うよう配置されており、酸洗浄や水素プラズマ洗浄を行う際に生じる水素原子の遮光膜２３への侵入を防止する機能を有しているため、洗浄工程における原子状水素の侵入による遮光膜２３の水素脆性に起因する遮光膜２３の変形を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥２１１が生じている開口パターン２０４の近傍の吸収層２０３に、開口パターン２０４よりも微細な開口径を有する補助パターン３０１を形成する。この補助パターン３０１は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン２０４を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 （もっと読む）

【課題】導電膜による薄膜層の撓みの影響を抑制するステンシルマスクを製造するのに好適なステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、支持層と、前記支持層上に設けたエッチングストッパ層と、前記エッチングストッパ層上に設けた薄膜層と、を備えた基板を用意する工程と、
前記基板の支持層を研磨する工程と、前記基板の薄膜層に貫通孔パターンを形成する工程と、前記支持層に開口部を設け、支持層とする工程と、前記基板の全面に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とするステンシルマスク製造方法である。 （もっと読む）

【課題】投影光学系瞳のアポダイゼーションを低減して、投影光学系の収差を減少させる。
【解決手段】リソグラフィ装置で使用される、特定の周期膜厚分布を有する多層コーティングを有するマスクにおいて、マスク平面内での周期膜厚分布が、最大の反射率を得るために最適な周期的膜厚分布よりも、大きくなるように選択する。またそのその周期膜厚分布をマスク表面全体に渡って一定とする。結果、瞳でのアポダイゼ−ションが、より対称性を増すのみではなく、強度変化が全体的に小さくなる。 （もっと読む）

【課題】吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。
【解決手段】ＥＵＶＬマスク５０における吸収層５６に、フッ化キセノンガス７１を供給しつつイオンビーム２０Ａを照射して、吸収層５６の黒欠陥６０をエッチングするエッチング工程を有するＥＵＶＬマスクの加工方法であって、エッチング工程の後に、吸収層５６に酸化剤ガス７２を供給する酸化剤供給工程を有し、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の微小な表面欠陥を低減し、高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板、高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランク、微小な表面欠陥や基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥のない反射型マスクを提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させてガラス基板の表面を研磨する研磨工程を有し、前記研磨砥粒はコロイダルシリカであって、研磨液のｐＨが１〜５の範囲で、ゼータ電位の符号が−（マイナス）である研磨液を使用する。得られるマスクブランク用基板１上に多層反射膜２及び吸収体膜４を形成して反射型マスクブランク１０とし、この反射型マスクブランク１０における吸収体膜４をパターニングして吸収体パターンを形成して反射型マスク２０とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の微小な表面欠陥を低減し、高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板、高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランク、微小な表面欠陥や基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥のない反射型マスクを提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させてガラス基板の表面を研磨する研磨工程を有し、研磨砥粒はコロイダルシリカであって、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であり、研磨中における研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持するマスクブランク用基板１の製造方法である。このマスクブランク用基板１上に多層反射膜２及び吸収体膜４を形成して反射型マスクブランク１０とし、この反射型マスクブランク１０における吸収体膜４をパターニングして吸収体パターンを形成して反射型マスク２０とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶブランク、基板又はＥＵＶマスクの製造中に欠陥が生じることがあり、これらの欠陥が、レジスト材料の露光中に欠陥をもたらす。
【解決手段】ＥＵＶマスク１０は、基板１１と、基板上の反射性多層膜１２と、少なくとも１つの第１部分１１１の範囲内において多層膜上に配置された位相シフト材料１３と、多層膜上で基板の第２部分１１２の範囲内に配置された、ＥＵＶマスクのマスクパターンに対応するマスク材料１４とを備える。基板と、基板上の反射性多層膜と、多層膜下又は多層膜内に少なくとも１つの欠陥１５とを含むＥＵＶマスクの修正方法は、欠陥領域内の欠陥により露光放射線の位相シフト差が生じる基板の欠陥領域の位置を決定するステップと、基板の少なくとも１つの第１部分であって、欠陥領域を少なくとも部分的に含む第１部分の範囲内において多層膜上に位相シフト材料を堆積するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの破損を抑制することが可能なメンブレン構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板内に配置され、自立薄膜を有するメンブレン構造体の製造方法において、前記半導体基板の加工に付される面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基板の加工に付される面の逆側の面に保護層を配設する工程と、前記半導体基板を前記保護層と一体の状態で、前記マスクを加工用マスク材として用いて前記半導体基板の厚み方向にエッチングして所定の厚さの自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層膜反射鏡によって反射される光の位相を調整するために多層膜を削り取る際に、各層間で位相変化の割合が急激に変化しないように構成された多層膜反射鏡を提供する。
【解決手段】本発明による多層膜反射鏡は、所定の波長に対して屈折率の高い層と屈折率の低い層とを交互に積層した多層膜を含む多層膜反射鏡である。本発明による多層膜反射鏡は、前記多層膜反射鏡によって反射される光の位相を調整するために多層膜を削り取る際に、各層間で位相変化の割合が急激に変化しないように、前記屈折率の低い層の厚さに対する拡散層の厚さの比率を大きくしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピットやスクラッチのような凹欠点を有するＥＵＶマスクブランク用の基板表面を平滑化する方法の提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用の基板表面を平滑化する方法であって、凹欠点を有する基板表面に、ポリシラザン化合物を含む溶液を塗布し、加熱・硬化してシリカ被膜（またはＳｉＯ₂を主骨格とする被膜）を形成することにより、前記凹欠点を有する基板表面を平滑化することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用の基板表面を平滑化する方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。
【解決手段】
石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 （もっと読む）