【課題】薄膜成膜装置および薄膜成膜方法において、ウエットプロセスによって薄膜を成膜する際に、成膜の繰り返しにおける膜厚ばらつきを抑制することができるようにする。
【解決手段】被成膜体５０上に液状の成膜材料１１を供給し、被成膜体５０を回転させて成膜材料１１による薄膜を形成する薄膜成膜装置１として、被成膜体５０を保持して回転させる回転保持部２と、回転保持部２の回転によって被成膜体５０上で薄層化される成膜材料１１に測定光Ｌ_０を照射して、成膜材料１１を含む被成膜体５０の透過率、反射率のうちの少なくとも一つからなる光学特性値を測定する光学特性測定部と、光学特性測定部で測定された光学特性値が予め記憶された薄膜の目標膜厚に対応する目標値に達したときに回転保持部２の回転駆動を停止する制御ユニット６と、を備えるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 透過性膜の膜厚を算出する際に用いられる撮影データの最大値に関する信頼性を評価して、信頼性の高い膜厚測定が行えるようにする。
【解決手段】 固定長の焦点距離を備える撮影部２を種々の高さに位置させて、基材と透光性膜とを含む基板を撮影した際の撮影画像の合焦度を算出する合焦度算出部６ａと、撮影部２の位置に対する合焦度からなる合焦度曲線の極大値を検出する極大値検出部６ｂと、極大値の信頼度を算出して、極大値が適正値か否かを判断する信頼度算出判断部６ｃと、信頼度算出判断部６ｃにより適正と判断された極大値に対応する撮影部２の位置を境界位置として算出する境界位置算出部６ｄと、境界位置に基づき透光性膜の膜厚を算出する膜厚算出部６ｅと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 例えば太陽電池用のフィンガー配線パターンなどのパターンを、その開始端も含めて均一に形成することができるパターン形成方法およびパターン形成装置を提供する。
【解決手段】 ペーストに加えるせん断応力の増加に応じたペーストの粘度変化（粘度特性）を測定する（ステップＳ１０）。測定した粘度特性に応じて、ノズルからのペーストの吐出を開始する際における基板の移動速度条件を調整する（ステップＳ２０）。調整された速度条件で基板を移動させるとともにノズルからペーストを線状に吐出して基板上に線状のフィンガー配線パターンを塗布形成する（ステップＳ３０）。 （もっと読む）

【課題】 装置の製造コストを安価に維持しながら、塗布液の塗布と異物の検出とを正確に実行することが可能な塗布装置を提供する。
【解決手段】 基板１００に塗布液を塗布する塗布ノズル２１と、基板１００の表面に存在する異物を検出する異物検出機構と、浮上ステージ１４と、異物検出ステージ１２と、塗布ステージ１１と、浮上ステージ１５と、異物検出ステージ１２に形成された排気口から排気を行う第１排気手段と、塗布ステージ１１に形成された排気口から排気を行う第２排気手段を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハ（基板）に対して疎水化処理が正常に行われたか否かを確実に判定することのできる液処理装置を提供する。
【解決手段】疎水化処理を行った集積回路形成用のウエハにレジスト吐出ノズル６７からレジスト（処理液）を供給して塗布膜を形成するレジスト塗布ユニット（液処理装置）は、ウエハを水平に保持する、回転自在な基板保持部と、この基板保持部に保持されたウエハを囲むカップ（囲み部材）と、ウエハの表面に純水（検査液）を供給する純水供給部６０と、ウエハに供給された純水を撮像するカメラ（撮像部）７と、撮像した純水の画像に基づいてウエハが正常に疎水化処理されたものか否かを判定する判定プログラム（判定部）９５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】目標通りの膜厚を有するレジスト膜を製膜可能であり、レジスト膜に設計通りの性能を発揮させることができる感放射線性組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】標準組成物を用いて一定条件下で製膜された標準レジスト膜の膜厚と、標準組成物の屈折率との相関関係に基づき、感放射線性組成物の予備組成物を特定の屈折率となるように濃縮又は溶剤により希釈して、特定の膜厚を有するレジスト膜を製膜可能な感放射線性組成物を得る工程を備えた感放射線性組成物の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】一連の基板に塗布処理を行う際のタクトタイムを短縮する。
【解決手段】ステージ３に支持された基板９０について、スリットノズル４１で走査を行いつつ、レジスト液の塗布を行う。基板塗布装置１には、このような塗布のための走査を、第１走査方向（＋Ｘ）と第２走査方向（−Ｘ）とのいずれについても実行可能に構成された制御手段が設けられている。スリットノズル４１のリップ部は、２つの走査方向に関して鏡面対称な形状とされ、リップ部の下端高さも２つの走査方向の側で同一とされることにより、２つの方向のいずれの走査においても塗布性能が同等となる。往復走査によって一連の基板を順次に処理可能であるため、１回の走査が完了する都度、ひとつの待機位置にスリットノズル４１を戻すための空走期間がなく、往復用に個別のノズルを備える装置のような構成の複雑さを回避しつつタクトタイムを短縮できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明はレジスト膜の面ムラをリアルタイムあるいは簡単にレジスト膜の面ムラを検査できるレジスト膜面ムラ検査装置及び検査方法を及びＤＴＭ製造ラインを提供することである。
【解決手段】
本発明は表面ディスクの表面に塗布されたレジスト膜の表面に検査光を照射し、該レジスト膜表面から正反射光を検出し、その二次元像を出力することを特徴とする。
また、本発明では前記特徴に加え、前記出力は前記２次元検出結果をその検出レベルに応じて濃淡画像あるいは色相画像として表示することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板検査ユニットを組み込むにあたって占有面積が狭く、不利なレイアウトを避けることができる塗布装置及び現像装置を提供すること。
【解決手段】レジスト膜形成用のブロックまたは現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、を備える。現像処理用のブロックは、現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを備える。基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを用いて基板とフォトマスクとの位置合わせを行う時の検出精度を向上させることができる位置検出方法を提供する。
【解決手段】内側が段差によって外側と区切られたアライメントマークが形成された基板上に、レジストを塗布し、基板にアライメント検出光を照射し、アライメントマークの内側の中央部と端部との、レジストの塗布膜厚の差異に起因する反射光の強度変化を観察することにより、アライメントマークの位置を検出する方法において、反射光の強度が、アライメントマークの内側の端部に比較してアライメントマークの内側の中央部の方が強くなる様に、レジストの塗布膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】高スループッドで高精度の検査を行う。
【解決手段】表面にレジスト膜が形成されたウェハのエッジ周辺に照明光を照射してその反射光を撮影し、エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得工程Ｓ１と、ウェハのエッジ周辺に照明光を２つの光路に分けて照射してウェハ表面からの反射光とレジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得工程Ｓ２と、明視野画像に基づいてウェハ境界位置を検出するエッジ位置検出工程Ｓ１１と、微分干渉画像に基づいてＥＢＲ境界位置Ｅを検出する境界位置検出工程Ｓ１２と、ウェハ境界位置からＥＢＲ境界位置までの距離を判定する判定工程Ｓ１３とを備える基板検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトレジストのパターニング検査を簡単に行うことを目的とする。
【解決手段】スリット１８からフォトレジスト液１４を供給しながら、ノズル１６を移動する。膜１０上にフォトレジスト層２０を形成する。フォトリソグラフィによって、フォトレジスト層２０から、膜の一部を覆うレジストパターン３２を形成する。レジストパターン３２を検査する。フォトリソグラフィは、潜像２４をフォトレジスト層２０に転写するように行う露光と、潜像２４を残すように行うフォトレジスト層２０の現像と、を含む。潜像２４は、スリット１８の長尺方向に平行に途切れなく延びるダミー潜像２８を含む。レジストパターン３２は、ダミー潜像２８に対応して形成されるダミーレジスト３４を含む。レジストパターン３２の検査は、ダミーレジスト３４の長さ方向の切れ目２２の有無の検出を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターンを形成する際におけるパターン欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に形成する揮発性の硬化性樹脂の量を算出する工程Ｓ１,Ｓ２と、前記基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程Ｓ３と、前記基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記パターンに前記硬化性樹脂を充填する工程Ｓ４と、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程Ｓ４と、前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程Ｓ４と、前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記基板にパターンを形成する工程Ｓ４とを含み、前記硬化性樹脂の量を算出する工程Ｓ２において、前記硬化性樹脂が揮発により減少する分を見込んで、前記硬化性樹脂の量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜厚が巨視的に見てなだらかに傾斜している場合でも、光の波長帯に依存せず、検出感度の良いムラ検査装置、およびムラ検査方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】 基板９の上面に形成された膜９２に対して異なる波長帯の光を照射し、それぞれの波長帯の光により膜９２の膜厚の変動を示すムラ画像を取得する。ムラ画像からムラを含む領域を選択し、それぞれの領域を合成することにより、基板全面において膜厚ムラが高感度に検出されたムラ画像を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜表面の接触角を変動させることなくレジスト膜の膜厚変更に対応できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜表面と、これと投影光学系との間を満たす液体との接触角が所望の値となるように、半導体ウェーハの回転数又はレジスト膜の設定膜厚に応じて、レジスト膜の回転乾燥時間、レジスト供給時のレジスト温度、半導体ウェーハ表面上雰囲気の圧力、半導体ウェーハ表面上雰囲気の湿度の中から選択される少なくとも１つを含む接触角の調整条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】スピンレスコーター用スリットノズルにおいて、乾燥防止モードでスリットダイ先端がディップ槽の洗浄液の液面に確実に漬かっているかどうかを、人の確認無しに監視可能で、異物の発生を抑制するスリットノズルを提供する。
【解決手段】板状被処理物表面に、塗布液を一定幅で塗布するためのスピンレスコーター用スリットノズルにおいて、一連の塗布動作実行中に該スリットノズルを一定時間以上使用しないときに、該スリットノズル先端を洗浄液に浸漬保持し乾燥を防止するディップ槽（洗浄液の溜り部）の液面を検地する液面センサーを、一定幅の開口を有する該スリットノズル両端の少なくとも一方の外側面に具設してある。 （もっと読む）

【課題】適切なタイミングで迅速に露光装置のメンテナンスを行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。インターフェースブロック１５は、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２を含む。第１の検査ユニットＥＥ１は、露光処理前の基板Ｗの状態の検査を行い、第２の検査ユニットＥＥ２は、露光処理後の基板Ｗの状態の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＴが長くならずに、露光時のフォーカスのばらつきを制御して所望のレジスト寸法を実現することができる半導体基板の露光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の露光方法は、（ａ）半導体基板に所望のレジストパターンを露光・現像する方法であって、（ｂ）レジスト塗布処理とプレ・ベーク処理とにおける各設備パラメータから、半導体基板に塗布されたレジスト膜厚を半導体基板毎に算出する第１の工程（Ｓ１０１）と、（ｃ）レジスト膜厚と、露光処理における各露光パラメータとから、露光・現像後のレジストパターンのレジスト寸法を半導体基板毎に予測する第２の工程（Ｓ１０２）と、（ｄ）露光前の半導体基板に対して、レジスト寸法に応じて、露光処理における各露光パラメータを補正する第３の工程（Ｓ１０３，Ｓ１０５）とを含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト開口寸法を、許容範囲内にすることができ、レジスト開口寸法のバラツキを、少なくすることができる。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成した後、その上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして、下地膜を加工する工程を含み、下地膜の膜厚を考慮してレジスト膜の膜厚を決定するものである。 （もっと読む）