【課題】簡単な方法で調整できる半導体チップの実装装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２を実装するための装置は、ダイレクト・モードおよびパラレル・モードで作動し、ダイレクト・モードでは、キャリッジ６が第１の位置にあり、制御ユニット９は、接合ヘッド５が半導体チップ１２をウェーハ・テーブル１から基板２へ設置するようピック・アンド・プレース・システム４を作動させる。パラレル・モードでは、キャリッジ６が第２の位置にあり、制御ユニット９は、採取ヘッド７、サポート・テーブル８およびピック・アンド・プレース・システム４を、採取ヘッド７が半導体チップ１２をウェーハ・テーブル１からサポート・テーブル８へ設置する、および、接合ヘッド５が半導体チップ１２をサポート・テーブル８から基板２へ設置する方法で、作動させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制すること。
【解決手段】複数の薄膜個片１０ａ〜１０ｄの上面上にそれぞれ支持層２０を形成する工程と、第１基板５０の下面に設けられた仮固定層４０が前記複数の薄膜個片の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、前記複数の薄膜個片の下面を第２基板６０に接合する工程と、前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、を含む薄膜個片の接合方法。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界におけるボイドの発生を低減することができるダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ニトリル基含有熱硬化性アクリル共重合体と硬化剤とを含有し、示差熱量計を用い、２５℃から３００℃まで１０℃／分の昇温速度にて測定した場合の発熱量が１０ｍＪ／ｍｇ以下であるダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の位置に狂いが生じたり、半田が破壊されたりするといった問題を生じることのない、信頼性の高いレーザモジュールを実現するために、融点の低いＡｕ−Ｓｎ９０％半田を、接合後に、硬質半田として使用し得る接合方法を提供する。
【解決手段】２つの部材Ａと，Ｂと、をＡｕ−Ｓｎ半田で接合する接合方法であって、接合後のＡｕ−Ｓｎ半田Ｓ’におけるＳｎの重量％濃度を、３８．０％以上８２．３％以下としている。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スクラブ動作を用いて部品を所定位置にずれなく固定できる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、平板状の第１部品を吸着コレットに吸着させる工程と、平板状の第２部品の上面に接着金属を配置する工程と、該第１部品を吸着した状態で該吸着コレットを移動させ、該接着金属に該第１部品をのせる工程と、該第１部品と該吸着コレットが接した状態で、該第１部品と該第２部品の間の距離が増減する方向にのみ該吸着コレットをスクラブ動作させ、該接着金属を介して該第１部品を該第２部品に固定する固定工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】個片化されたチップ領域を有する半導体ウエハに形成した接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態において、第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持された半導体ウエハ３に液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成する。半導体ウエハ３の第２の面３ａに粘着層８を有する支持シート９を貼付する。表面保護フィルム４を剥離した後、支持シート９を引き伸ばしてダイシング溝１内に充填された接着剤を含む接着剤層７を割断する。支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ洗浄する。粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を、洗浄工程前に選択的に低下させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】 キャリア上に搭載される光学部品の反りを抑制可能な光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本光半導体装置の製造方法は、キャリア３０上に供給されたロウ材４０を溶融させる工程と、溶融したロウ材４０上に、部品保持用のツール５０を用いて半導体レーザチップ６０を搭載する工程と、ロウ材４０を冷却して固化する工程と、ロウ材４０を冷却する工程の後、半導体レーザチップ６０からツール５０を離した状態で、半導体レーザチップ６０が搭載されたロウ材４０を再溶融させる工程と、再溶融されたロウ材４０を再び冷却して固化する工程と、含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板とのダイボンディング接合において、半導体素子が実装される装置の大型化を引き起こすことなく、接合部位からのダイボンド剤の溢れ出しを起こりにくくし、かつ半導体素子から基板への放熱が効率良く起こるようにする。
【解決手段】半導体素子（ＬＥＤ）３が載置される素子載置面２ａに、複数の環状凸条部２ｂが設けられる。ＬＥＤ３と素子載置面２ａとをダイボンディング接合する際に、環状凸条部２ｂがダイボンド剤４の広がりを抑制するため、ダイボンド剤４は素子載置面２ａの周辺部へ溢れ出しにくくなる。また、環状凸条部２ｂは、ＬＥＤ３と素子載置面２ａとの接合面面積を大きくするため、ＬＥＤ３の放熱効率を向上することができる。更に、環状凸条部２ｂは、素子載置面２ａの直下に設けられるため、ＬＥＤ３が実装される装置の大型化を引き起こさない。 （もっと読む）

【課題】電子部品と相手部材とをポーラス状の貴金属よりなる金属導体を介して機械的に接合してなる電子装置において、金属導体の強度を適切に向上できるようにする。
【解決手段】電子部品１０と、電子部品１０と機械的に接続される相手部材２０と、電子部品１０および相手部材２０の間に介在し当該両者１０、２０を機械的に接続するものであって空孔３３を有するポーラス状をなすＡｇなどの貴金属よりなる金属導体３０と、を備え、金属導体３０は、その端面３１が電子部品１０および相手部材２０の間隙の端部より露出しており、金属導体３０の端面３１側から内部に向かって、金属導体３０を機械的に補強するポリイミドなどの補強樹脂６０が、金属導体３０の空孔３３に含浸されている。 （もっと読む）

【課題】極薄の半導体ウエハを用いる場合であっても、半導体ウエハの破損を十分に防止しながら、半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の回路面にバックグラインドテープ４を積層する工程と、裏面を研磨する研磨工程と、研磨された裏面上にＢステージ化された接着剤層５を形成する工程と、接着剤層５上にダイシングテープ６を積層する工程と、バックグラインドテープ４を回路面から剥離する工程と、半導体ウエハを複数の半導体チップに切り分ける工程と、半導体チップをその裏面上に設けられた前記接着剤層５を介して支持部材又は他の半導体チップに接着する接着工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法。回路面にバックグラインドテープを積層してから、半導体ウエハが半導体チップに切り分けられるまでの間、半導体ウエハが接する環境又は物体の温度が５〜３５℃である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合後に部材汚染を生じることなく接合可能となる半導体デバイスの製造法であって、接合部材に対し均一に塗布可能としつつ、簡便なプロセスで接合可能となる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と半導体素子とを接合部材として接合する半導体デバイスの製造方法において、（ａ）一方の接合部材に、所定の純度及び粒径の貴金属粉と、所定の沸点の有機溶剤とからなり、チクソトロピー指数（ＴＩ）値が６．０以上である貴金属ペーストを塗布する工程、及び（ｂ）前記貴金属ペーストを介して前記一方の接合部材と他方の接合部材とを配置し、少なくとも焼結体を８０〜３５０℃に加熱しながら一方向又は双方向から加圧して接合する工程、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な信頼性を維持しつつ、レーザバーとサブマウントを面接合させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板の表面に形成されたエピタキシャル層２０と、該エピタキシャル層の表面に形成された表面電極２２と、該表面電極に形成されたエピタキシャル面めっき２４と、該基板の裏面に形成された裏面電極２６と、該裏面電極に形成された基板面めっき２８と、を有するレーザバー１２と、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきにはんだにより固定されたサブマウント１６と、を備える。該エピタキシャル面めっき２４は該基板面めっき２８よりも厚く形成され、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきの全面が、該はんだ１４により該サブマウントと面接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合面の全体に、溶融したはんだを確実に接触させ、半導体素子の端部にてはんだ引けの発生を防止する。
【解決手段】はんだ３０を、ヒートシンク２０側から、Ｐｂフリーはんだよりなる低温はんだ層３１、低温はんだ層３１よりも融点の高いＰｂフリーはんだよりなり且つ半導体素子１０との接合面が平坦面である高温はんだ層３２が積層されてなるものとし、はんだ付けのときには、高温はんだ層３２の接合面の平坦性を維持するように高温はんだ層３２は固体状態としつつ、低温はんだ層３１を、その全体が溶融した状態とする第１の溶融工程を行い、その後、高温はんだ層３２の接合面上に半導体素子２０を搭載し、続いて、低温はんだ層３１とともに高温はんだ層３２も溶融させてはんだ付けを行う第２の溶融工程を行う。 （もっと読む）

【課題】電気的特性及び長期信頼性を従来の半導体パッケージよりも向上すると共に、半導体チップの反りを防止することが可能となる、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ４とインターポーザ２とは、導電性のダイボンド材で接続されており、半導体チップ４とインターポーザ２との間には、前記ダイボンド材が存在する塗布領域９と、封止樹脂６が存在する領域１０とが形成されている。これにより、前記半導体チップと前記インターポーザとの接着力との接着力を従来の半導体パッケージよりも高く出来るので、接着界面の剥離が生じない。従って、電気的特性及び長期信頼性を従来の半導体パッケージよりも向上することが可能となる。また、前記半導体チップの反りを防止することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価で簡単に製造することができる高温特性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】フレーム１にモールド樹脂２によりリード３が固定されている。フレーム１上に半田４によりサブマウント５が接合され、サブマウント５上に半田６により半導体レーザチップ７が接合されている。このようにフレーム１とサブマウント５が半田４により接合されているため、放熱性を改善できる。そして、耐熱温度が半田４，６の融点よりも高いモールド樹脂２を用いている。このため、積載されたフレーム１、サブマウント５、及び半導体レーザチップ７を加熱して半田４，６を溶融させて、フレーム１、サブマウント５、及び半導体レーザチップ７を互いに同時に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】容易にＢステージ化することができ、且、Ｂステージ化状態でダイシングテープの貼付性及びシリコンウエハーを個片化する際のダイシング性に優れる導電性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
（Ａ）軟化点４０℃以上９０℃以下のエポキシ樹脂
（Ｂ）軟化点４０℃以上９０℃以下の硬化剤 成分（Ａ）中のエポキシ基１当量に対し、該成分（Ｂ）中の、エポキシ基と反応性を有する基が０．８〜１．２５当量となる量
（Ｃ）硬化促進剤 成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して０．０５〜１０質量部
（Ｄ）質量平均粒径が０．１〜５μｍである導電性フィラー 成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して４００〜２０００質量部、および
（Ｅ）希釈剤 成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して５〜４００質量部
を含む導電性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの製造におけるはんだ厚み方向のばらつきやその平面方向位置ばらつきは、はんだ付け工程以降に実施する電気的接続を行う為のワイヤーボンディング工程において求められる電気的接続部分(パッド)の位置検出をそれらモジュール一個一個に対して正確に行う必要性を生じ、生産タクトの短縮化の障害となると共に、はんだ接合仕上がりのばらつき(不均一さ)に伴うはんだ付け部分の信頼性品質の低下を招く要素となっている。
【解決手段】パワーモジュールの製造において、該構成物であるベアチップ、セラミック基板およびベース板のうち少なくともいずれかふたつの構成物のはんだ接合に、はんだ厚さ方向(Ｚ方向)およびはんだ厚さ方向と直交する平面方向(Ｘ−Ｙ方向)のＸ、Ｙ、Ｚ３方向の相対位置を同時に規制するジグを用いる （もっと読む）