【課題】半導体素子と実装部材との接合温度以上でも動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の金属を含む面を有する基板３１と、外周領域３１ａに設けられた第１の絶縁材３２および前記第１の絶縁材の上に設けられた導電部３３を有する枠部３６とを有する。半導体素子２０は、前記導電部と電気的に接続可能である。接合金属層５０は、第２の金属と、前記第２の金属内に分散された第３の金属と、前記第２の金属内に分散された第４の金属とを有する。また、接合金属層は、前記第２の金属の重量百分率が前記第３の金属の重量百分率よりも高く、かつ前記第３の金属の重量百分率が前記第４の金属の重量百分率よりも高い固溶体層により、前記半導体素子と前記内部領域とを接合可能である。 （もっと読む）

【課題】結合構造の製造に応じて、構成要素を取り付ける後続の処理のための基板が提供される。
【解決手段】開示の基板は、金属部分と、この金属部分にレーザ焼結された下板とを備える。金属部分は、下板の焼結温度より低い融点を有する。結合構造２０は、金属マトリックス複合材中のアルミニウム金属などの金属部分を有する構造部材２２を含む。下板である金属層２４が、構造部材２２上に配置される。金属層２４は、構造部材２２と、構造部材２２が結合材料２８を介して結合される別の構成要素２６との間に位置する。すなわち、金属層２４は、結合材料２８に関して下板になる。 （もっと読む）

【課題】基板実装のリフロー時の接合不良を防止する半導体チップと半導体装置およびそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップ１の裏面にシリコン粒子を付着させたシリコン粒子付着領域５ｂを形成することにより、半導体チップ裏面とダイボンド材との接合面に低密着界面の領域が形成され、リフローの際に生じる接合界面でのひずみが緩和されるため、製造時間の増加を抑制しながら基板実装のリフロー時の接合不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるため、長期にわたって安定的に高輝度の発光を行うことができる発光ダイオード装置、かかる発光ダイオード装置を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】発光ダイオード装置１は、第１のリードフレーム２１および第２のリードフレーム２２と、第１のリードフレーム２１に接合された基板３と、基板３の第１のリードフレーム２１と反対側の面に設けられた発光部４と、基板３と第１のリードフレーム２１とを接合する接合膜８とを有する。この発光ダイオード装置１が備える接合膜８は、金属原子と、金属原子と結合する酸素原子と、これらに結合する脱離基とを含み、接合膜８の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８の表面に発現した接着性によって、第１のリードフレーム２１と基板３とを接合している。 （もっと読む）

【課題】大面積の接合に有利で、且つ、製造コストの増加を抑制できる接合方法及び接合体を提供する。
【解決手段】第１部材における金属からなる第１接合部と、第２部材における金属からなる第２接合部との間に、金属ナノ粒子を有機溶媒中に分散してなる金属ペーストを介在させ、該金属ペーストを少なくとも加熱して金属ナノ粒子を焼結し、内部に空孔を有する接合部材として第１接合部と第２接合部を接合する接合方法であって、金属ペーストの構成条件及び金属ナノ粒子の焼結条件の少なくとも１つを調整することで、第１接合部と第２接合部との間に、空孔の占める割合である空孔率が互いに異なる複数種類の接合層を、隣接する接合層で空孔率が互いに異なるように積層形成して接合部材とする。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を維持しつつ接着強度が改善された化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体からなる基板と、前記基板の裏面に設けられ、複数の開口部を有する裏面金電極と、を備え、前記複数の開口部はメッシュ状に設けられ、互いに最も近接している前記開口部を結ぶ直線は、前記基板の端面に形成されたへきかい面と非平行であることを特徴とする化合物半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適な金属接合材料を提供する。
【解決手段】金属接合材料１１は、半田付け温度で溶融可能な接合金属１２と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属１３とが混合されて構成されている。接合金属１２は、シート状又はテープ状（リボン状）に形成され、位置決め金属１３は、複数の粒として形成されている。粒の形状は球体、立方体、多面体等、平面上に載置された際に載置状態に拘わらず高さがほぼ一定となる形状が好ましい。位置決め金属１３には、強磁性材が使用され、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも１つの金属が使用されている。接合金属１２には、半田やろう材を使用することができ、半田は鉛半田及び鉛フリー半田のいずれであってもよい。 （もっと読む）

【課題】最終的な半導体装置としてのサイズの縮小化、及び薄型化が可能で、且つ、製造工程の容易化等を図る。
【解決手段】半導体装置は、平坦な被搭載面を有する回路チップ４０と、この回路チップ４０よりもサイズの小さな回路チップ２０と、シート状の支持体２２とを備えている。回路チップ２０は、基板上に形成され、この基板に固定された平坦な裏面と、この裏面の反対側に位置する平坦な表面とを有している。支持体２２は、回路チップ２０の表面に貼着され、この回路チップ２０を支持するものである。そして、支持体２２により支持された回路チップ２０の裏面を前記基板から剥離して前記被搭載面に圧接し、回路チップ２０の裏面と前記被搭載面とを分子間結合力（例えば、水素結合）により固定している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の寿命を向上させる。
【解決手段】接合界面３の密着強度を同一温度において基板１の０．２％耐力の大きさと同じ若しくはそれ以上にすることにより、半導体素子２と基板１間の変位を基板１側で受け止める。これにより、最終的な破壊現象は靱性が高く、ある一定の歪に対する繰り返し疲労強度が高い基板１側において発生するようになり、半導体装置の寿命を飛躍的に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ／絶縁基板間の半田接合について、その半田接合層に発生する熱劣化を抑制して長期信頼性の向上を図る。
【解決手段】絶縁基板２の 銅回路パターン２ｂ上に半導体チップ３を半田マウントした半導体装置において、半導体チップ／銅回路パターン間の半田接合面域Ａを半導体チップの中央部下に対応する中央面部Ｂと、該中央面部を取り囲む外周面部Ｃとに二分した上で、その中央面部にはＳｎをベースとする半田組成にＳｂを添加したＳｎ−Ｓｂ系の鉛フリー半田８（第１の鉛フリー半田）を適用して接合し、外周面部にはＳｎをベースとする半田組成にＡｇ，Ｃｕなどを添加した鉛フリー半田９（第２の鉛フリー半田）を適用して接合するものとし、絶縁基板の銅回路パターン上に前記の鉛フリー半田を載せ、その上に半導体チップを重ね合わせた状態で、Ｓｎ−Ｓｂ系鉛フリー半田の融点以上の温度に加熱して中央，外周面部を同じ工程で同時に半田接合する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを実装基板上に積層した半導体装置の個々のチップの接着性を向上させ、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】実装基板１上の半導体チップ搭載領域に主として熱硬化性を有する樹脂よりなる接着材７を塗布し、半導体チップ３Ａを搭載した後、熱処理することにより接着材７を硬化させ、常温まで自然冷却すると、実装基板１と半導体チップ３Ａのα値の差により実装基板１等が凸型に反った形状となるが、この後、パッドＰ１とパッドＰＡとをワイヤボンディングし、その後、半導体チップ３Ａ上に熱可塑性を有する樹脂よりなる接着材９Ａを貼り付け、その上部にスペーサチップ５を熱圧着する。このように、熱圧着の際の熱で実装基板１や半導体チップ３Ａがそれぞれほぼ平坦となり、半導体チップ３Ａとスペーサチップ５の接着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の内部接合などに適用できるように、鉛フリーでかつ低コストにて高温半田付けを実現できる半田付け方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｎ系またはＺｎ系の半田材料３を用いてベース板１とダイオード２の電極４などの２部材を半田付けして接合する方法であって、少なくとも何れかの接合面にＣｏまたはＣｒまたはＭｏなどの金属被覆層８を形成して半田付け時にその金属が半田中に溶け込み、接合部の半田材料３の融点を上昇させて接合するようにした。 （もっと読む）

【課題】 基材の上に、はんだ材料からなるはんだ層を介して半導体素子を接合してなる半導体装置において、はんだ層中のボイドの大きさを抑制することにより、半導体素子の冷却性能を適切に確保する。
【解決手段】 基材１０の上に、はんだ材料からなるはんだ層２０を介して半導体素子３０が接合されてなる半導体装置１００において、半導体素子３０は駆動時に発熱することによって、その面内にて温度分布を持つものであり、半導体素子３０において駆動時に許容される最大温度をＴｔ、上記温度分布上において半導体素子３０の位置ｘに対応した温度をＴｃとしたとき、この最大温度Ｔｔから温度Ｔｃを差し引いた値を温度マージンΔＴとし、半導体素子３０の面内にて温度マージンΔＴが大きい位置ｘほど、はんだ層２０中に存在するボイド４０の最大直径ｄｔが大きくなっている。 （もっと読む）