【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。半導体ナノロッド１３０は、基板１１０上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド１３０同士の中心間距離ｐと、半導体ナノロッド１３０の最小径ｄとの比ｐ／ｄが１〜７の範囲にある。半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】光受信装置における位相状態制御のための構成を簡素化し、位相制御を高速化する。
【解決手段】本発明にかかる光受信装置は、第１、第２系列に属する第１、第２光回路である光回路２１、２２を含む遅延干渉計２と、光回路２１、２２の出力光をそれぞれ受光するツインフォトダイオード３１、３２とを備え、差動変調された光信号ＰＳ１、ＰＳ２を第１、第２系列を用いて別々に復調し、互いに所定位相ずれた第１、第２復調信号である電気信号ＥＳ１、ＥＳ２を出力する復調器１と、電気信号ＥＳ１を用いて、光回路２１における光信号ＰＳ１の位相状態を制御する第１制御部である制御部５０と、電気信号ＥＳ１、ＥＳ２を演算し、演算信号を出力する演算部である加算器７５と、電気信号ＥＳ２および演算信号を用いて、光回路２２における光信号ＰＳ２の位相状態を制御する第２制御部である制御部７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 受光感度の偏りが抑制された半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１は、基板１０１上に、光吸収領域１０５を含む半導体層１１０が配置され、さらに、前記半導体層１１０よりも光入射側にレンズ１２０が配置され、前記レンズ１２０は、光入射側に凸面を有し、前記凸面は、中心領域１２１と、前記中心領域１２１を取り囲む外周領域１２２とを有し、前記外周領域１２２は、前記光吸収領域１０５への集光に必要な曲率半径を有し、前記中心領域１２１は、平面であり、前記中心領域１２１から入射した光の前記光吸収領域１０５における光入射面積が、前記光吸収領域１０５の面積以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。
【解決手段】第１化合物半導体層１２と、第１化合物半導体層上に形成され、Ｚｎドープによりｐ型に制御された第２化合物半導体層１３と、この第２化合物半導体層上に形成された第３化合物半導体層１４とからなるエピタキシャル結晶において、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層の界面、及び、第３化合物半導体層と第２化合物半導体層の界面が、タイプＩＩまたは価電子帯のみが不連続となるようなヘテロ接合構造をなすようにする。また、第２化合物半導体層の価電子帯の不連続量が、第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層に対して、０．１ｅＶ以上となるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プレーナ半導体ＰＮ接合デバイスを作る方法に向けられる。
【解決手段】半導体デバイス中のプレーナＰＮ接合を作る際に使用するためのマスクは、中央マスク開口と、中央マスク開口を囲む複数の間隔を空けて配置された同心円マスク開口とを含む。同心円マスク開口は、各々、中央マスク開口の最大寸法よりも小さな幅を有する。中央マスク開口は円形であることがあり、同心円マスク開口はリング形状を有することができる。ウェーハ層にドープすべき不純物を導入するために、マスクを使用してそのウェーハ層に開口を形成することができる。 （もっと読む）

エピタキシャルリフトオフを用いる、フレキシブル光電（ＰＶ）デバイス等の感光性デバイスの製造方法が開示される。同様に、成長用基板を有する構造を含むフレキシブルＰＶデバイスを製造する方法が開示され、この方法では、保護層の選択的エッチングにより、再利用に好適な平滑な成長用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。
【解決手段】受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。III−Ｖ族化合物半導体受光素子１１では、ＩｎＰ層２３は不純物としてアンチモンを含むと共に、ＩｎＰ層２３にはｎ型ドーパントとしてシリコンが添加されている。ＩｎＰ層２３中のアンチモン不純物は正孔を生成するように作用するけれども、この生成キャリアをＩｎＰ層２３中に添加されたシリコンが補償して、ＩｎＰ層２３の第２の部分２３ｄは十分なｎ導電性を示す。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族半導体基板上に形成される受光層の結晶品質を保ち良好な特性を得ることができ、且つ窓層表面の結晶性を良好にできる受光素子アレイ及びその製造方法、並びに該受光素子アレイの製造に用いられるエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。窓層１１を全有機ＭＯＶＰＥ法によって成長させ、窓層１１の成長温度を受光層７の成長温度以下とする。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、隣接画素間に短絡を生じない、検出装置、センサ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 波長１μｍ〜３μｍに受光感度を持つ化合物半導体において受光素子Ｐが複数配列された受光素子アレイ５０と、画素ごとに光電荷を読み出すＣＭＯＳ７０と、受光素子アレイとＣＭＯＳとの間に介在する接合バンプ９と、接合バンプ９と導電接続する、筒体である筒状金属Ｇとを備え、筒状金属Ｇは、受光素子アレイ側およびＣＭＯＳ側のいずれか一方に設けられ、筒状金属Ｇは、接合バンプ９を収容するように位置することを特徴とする。 （もっと読む）

本装置は、ある種の導電率を有する基板と、基板の上の真性領域と、真性領域の表面の一部の上の金属層を備える。真性領域は表面を有している。金属層は、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し、真性領域と整流性接触を形成することができるような厚さを有することができる。
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【課題】 既存の設備を用いて製造することができ、経済性に優れた、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】近赤外域に受光感度を持つ受光素子が複数配列された受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とを備えた検出装置１００であって、受光素子は、化合物半導体のエピタキシャル積層体の表層からｐ型不純物を選択拡散して形成されたｐｎ接合１５を有し、非拡散領域によって隔てられており、ｐ型領域６は、読み出し回路の読み出し電極７１に、接合バンプ９を通じて電気的に接続されており、接合バンプ９が受光素子のオーミック電極を兼ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に感度を持ち、冷却することなく暗電流を抑制することができる、半導体素子および半導体ウエハを提供することを目的とする。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に形成された、単位量子井戸にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０．３８≦ｘ≦０．６８）７およびＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層（０．３６≦ｙ≦０．６２）８を含む多重量子井戸構造を備え、ＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層の中に、またはＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層とＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層との間に、導電帯の底がＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層よりも高い第１のバリア層Ｂ_１が位置し、その第１のバリア層の厚みが０．２ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高い光検出素子、光検出装置及び赤外線検出素子、赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】入射した赤外線ＩＲを他の波長帯域の光に変換すると共に、他の波長帯域に変換された光を検出する赤外線検出素子１０において、赤外線検出素子１０の受光面に凹凸構造２８を設けると共に、受光面以外の赤外線検出素子１０の外周面を金属膜２４で覆い、凹凸構造２８を透過して、素子内部に入射した光を、金属膜２４で反射すると共に、金属膜２４で反射した光を凹凸構造２８で反射し、他の波長帯域に変換された光を金属膜２４と凹凸構造２８との間で反射し、入射した赤外線ＩＲ及び他の波長帯域に変換された光をセル１１内部に閉じ込めるようにした。 （もっと読む）