【課題】安価で量産性に富み、暗電流や表面リーク電流が低く、感光波長域が広く高感度で信頼性の高い赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】比較的安価で大面積ウェファの入手が容易なＧａＡｓやＳｉ基板上に、ＰＤを構成するエピタキシャル層に格子整合し、かつ機械強度の弱い緩和層を成長し、格子不整合や結晶成長前後の熱歪みを解消する。更に、感光層を夾んで、電子および正孔の相補的なバリア層を形成し、感光層の外からの電子および正孔の流入が選択的に抑制するとともに、光励起された電子正孔を、ポテンシャルバリア無しにそれぞれの電極に導く。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減した光検出器を提供する。
【解決手段】価電子帯エネルギーレベルと伝導帯エネルギーレベルとを有するｎドープの半導体基板を含む光吸収層と、その第１側面は光吸収層の第１側面に隣り合い、光吸収層のドープされた半導体の価電子帯エネルギーレベルと実質的に等しい価電子帯エネルギーレベルを有するバリア層と、ドープされた半導体を含み、バリア層の、第１側面に対向する第２側面に隣り合うコンタクト領域とを含み、バリア層は、光吸収層からコンタクト領域に多数キャリアがトンネルするのを防止し、光吸収層からコンタクト領域に熱化された多数キャリアが流れるのを阻止するのに十分である膜厚と伝導帯バンドギャップを有する。代わりに、ｐドープ半導体が用いられ、バリアと光吸収層の伝導帯エネルギーレベルが等しくなる光検出器。 （もっと読む）

【課題】製造工程の工程数の増大を抑制しつつ、受光面での反射光に起因するノイズが抑制される半導体受光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】半導体入射光の光軸に対して法線方向が斜交して配置される受光面と、該受光面との交差稜線に対して対称的に形成される傾斜面と、を有するとともに、該入射光を受光して電気信号に変換する受光素子部、を複数備える、半導体受光素子であって、１の前記受光素子部への入射光の光軸と、該入射光が該受光面で反射してなる反射光の光軸とからなる入射面が、該反射光の進行方向側で、少なくとも他の１の前記受光素子部への入射光の光軸と交差しないように、該他の１の受光素子部が配置されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを構成している光吸収層を含むメサ部側壁における電流リークの問題が解消できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された第１導電型の第１化合物半導体からなる下側コンタクト層１０２と、下側コンタクト層１０２の上に形成された第１化合物半導体からなる電子走行層１０３と、電子走行層１０３の上に形成された第２化合物半導体からなる光吸収層１０４と、光吸収層１０４の上に形成された第２導電型の第１化合物半導体からなる上側コンタクト層１０５と、下側コンタクト層１０２に形成された第１電極１０６および上側コンタクト層１０５に形成された第２電極１０７とを少なくとも備え、基板１０１の上で、電子走行層１０３は、光吸収層１０４および上側コンタクト層１０５より広い面積に形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】抵抗を所望の大きさとすることが可能な半導体受光素子及びそれを有する受光装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、一導電型のｎ型ＩｎＰ基板２０と、ｎ型ＩｎＰ基板２０上に設けられ、周縁の内側が受光領域となる一導電型と反対導電型のｐ型ＩｎＰ窓層２４と、ｐ型ＩｎＰ窓層２４上に設けられたシリコン窒化膜３２と、シリコン窒化膜３２上に設けられたｐ電極３６と、ｐ電極３６とオーバーラップする領域のシリコン窒化膜３２に複数設けられた、ｐ電極３６とｐ型ＩｎＰ窓層２４とを電気的に接続するための窓３４と、を備える半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅを拡散した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法を提供する。特性を向上できる半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＳｂ基板１２上にＧａＳｂを含む層を成長することにより、エピタキシャルウエハを形成する。Ｓｂ元素とＴｅ元素とを有する化合物を用いて、エピタキシャルウエハの表面側からＴｅを拡散する。半導体装置の製造方法は、上記半導体ウエハの製造方法により半導体ウエハを製造する工程と、半導体ウエハにおいてＴｅが拡散された領域に電極を形成する工程とを備える。半導体装置は、フォトダイオードであることが好ましい。センサアレイ３０の製造方法は、フォトダイオード２０を複数形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出できる波長を制御された量子ドットの検出感度が低い。
【解決手段】本発明の受光素子は、第１の材料からなる第１の量子ドットと、第１の材料とは異なる第２の材料からなる障壁部と、第１の量子ドットの第１の材料と障壁部の第２の材料とがミキシングした第１のミキシング層とを有し、障壁部は、第１のミキシング層を介して第１の量子ドットを覆っている。 （もっと読む）

【課題】超伝導トンネル接合素子（ＳＴＪ素子）が吸収するフォノンの量を多くでき、高い感度でフォトンを検出できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】基板１１のＳＴＪ素子１０を搭載しない側の端面からテラヘルツ波を照射する。基板１１内では、テラヘルツ波の吸収によって格子振動（フォノン）が発生し、このフォノン群は基板１１内を伝播し、フォノンがＳＴＪ素子１０の下部超伝導電極１２に到達することで、電極内のクーパー対を解離して準粒子を生成し、この準粒子の増加に伴うトンネル電流の増加分を信号として検出する。基板１１のテラヘルツ波を照射する側には、単体のＳＴＪ素子１０と基板１１を挟んで対向するように、集光用レンズ２１を配置してある。これにより、テラヘルツ波は、集光用レンズ２１によって単体のＳＴＪ素子１０に向けて集光されることになり、フォトンの集光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサにおけるノイズの発生を抑える。
【解決手段】裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０は、ＧａＳｂ基板１２と、ＧａＳｂ基板１２上に形成されたＧａＳｂを含む層と、ＧａＳｂを含む層上に形成されたＩｎＡｓ層とを備え、ＩｎＡｓ層のＧａＳｂ基板１２と反対側の最表面１７ａにおいて全構成元素に対するＳｂの組成が３％以下である。半導体装置は、半導体ウエハ１０と、半導体ウエハ１０の最表面１７ａ上に形成された電極とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０の製造方法は、以下の工程を備えている。成長室内で、ＧａＳｂ基板１２上に、Ｓｂ供給部からＳｂの原料を供給することでＧａＳｂを含む層を成長する。成長室内で、ＧａＳｂを含む層上に第１のＩｎＡｓ層１６を成長することで、エピタキシャルウエハを得る。第１のＩｎＡｓ層１６の成長時の温度よりも高い温度でエピタキシャルウエハを保持する。成長室からエピタキシャルウエハを取り出して、Ｓｂ供給部を立ち下げる。Ｓｂ供給部が立ち下げられた状態で、エピタキシャルウエハを成長室内に投入し、第１のＩｎＡｓ層１６上に第２のＩｎＡｓ層１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化することのできる２波長対応の光検出素子を提供する。
【解決手段】基板上に積層形成された第１の電極層、第１の光吸収層、第２の電極層、第２の光吸収層、第３の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層とを接続する第１の電極配線と、前記第２の電極層と前記第３の電極層とを接続する第２の電極配線と、前記第２の電極と前記第１の電極配線との接触部分に形成される第１のダイオードと、前記第２の電極と前記第２の電極配線との接触部分に形成される第２のダイオードと、を有することを特徴とする光検出素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンを誘起し、検出したい波長での感度を増大させた赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。上部電極２８には、表面プラズモンを誘起して検出すべき波長における感度を増大させるための周期的な孔２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）