【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板との間に空隙を形成する第１凹凸形状を有するバッファ層と、前記バッファ層の前記第１凹凸形状の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第１の処理材とは異なる第２の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させて、前記窒化物半導体層に前記第１凹凸形状を反映した凹第２凸形状を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気的及び光学的なクロストークを抑制しつつ、比較的安価なレンズを用いても高い受光感度を得ることができる半導体受光装置を得る。
【解決手段】Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上に、互いに電気的に分離された４個の受光素子２ａ〜２ｄが設けられている。各受光素子２ａ〜２ｄにおいて、Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓ導電層、ｎ型ＩｎＰ導電層、光電変換するｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、及びｉ型ＩｎＰ窓層が順に積層されている。ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。導電層の一部は、ｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層と同じ材料で構成されている。４個の受光素子２ａ〜２ｄの受光部９の全てが同一直線上に配置されてはいない。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の第１部分の上に形成された層間絶縁膜と、前記窒化物半導体層の第２部分の上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の上に形成された層間絶縁膜及び電極と、を有する構造体の、前記層間絶縁膜及び前記電極の上に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去する前記工程の後に、前記層間絶縁膜をエッチングストップ層として前記窒化物半導体層をパターニングする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタンスおよびインダクタンスの両方を抑制することができる半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 半導体受光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、第１導電型領域および第２導電型領域を備え、上面および側面を有する半導体受光素子と、前記上面において、前記第１導電型領域と電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型領域に電気的に接続された第２電極と、前記半導体受光素子の前記上面および側面を覆う絶縁膜と、前記第１電極と接続され、前記上面および側面の前記絶縁膜上を経て前記基板上にまで延在して設けられた引出配線と、前記半導体受光素子の上面あるいは側面に位置し、前記基板上における前記引出配線の第１の幅よりも狭い前記引出配線の第２の幅の領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流が補償でき、かつ、安価な量子ドット型光検出装置を提供する。
【解決手段】 量子ドット２４ｃを利用した量子ドット型光検出装置１０Ａであって、複数の量子ドット２４ｃを含んで、入射した赤外線を吸収することにより光電流を出力する光検出ユニット２０Ａと、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射するか否かを制御するシャッタ装置１２と、を備えて、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射する場合に出力される第１の電流と、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射しない場合に出力される第２の電流との差分に基づき光電流の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】受光部とメサ部との間に樹脂膜が埋め込まれる構造であっても、入射光に対する光学的な影響を低減することが可能な半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部１６と、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に受光部１６に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなるダミーメサ部２０ａ（電極接続部）と、受光部１６の側面、ダミーメサ部２０ａの側面、および受光部１６とダミーメサ部２０ａとの間のｎ型ＩｎＰ基板１０を覆う第１絶縁膜２６と、第１絶縁膜２６上の受光部１６とダミーメサ部２０ａとの間を埋め込む樹脂膜２８と、受光部１６の上面と直接接し、かつ樹脂膜２８を覆う第２絶縁膜３０と、を備える半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】耐入力性を低下させることなく装荷型フォトダイオードの応答速度を向上させる。
【解決手段】下部クラッド層１０７，コア層１０６，上部クラッド層１０５は、対象とする光を吸収しない範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成され、コア層１０６および上部クラッド層１０５の不純物導入量は、第１半導体層１０２と第２半導体層１０３との間への電圧印加により、光吸収層１０４が形成されている領域における一部のコア層１０６および上部クラッド層１０５が空乏化する範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】それぞれ異なる結晶面（ファセット）を有する結晶粒から成る多結晶もしくは微結晶窒化物半導体（以後単に多結晶窒化物半導体）を基体としており、各結晶粒のファセットがランダムになることを利用した、もしくはその構造を制御することを特徴とした半導体電子素子とする。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に配置された第２の電極２，２ａと、第２の電極２上に配置された絶縁層３と、第２の電極２に対して絶縁層３を介して配置され、かつ半導体基板１上に第２の電極２に対向して配置された第１の電極４（４ａ，４ｂ，４ｃ）と、絶縁層３を挟み第１の電極４ａと第２の電極２間に形成されたＭＩＭリフレクタ５０と、ＭＩＭリフレクタ５０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置されたホーン開口部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】活性化率が高く、毒性が低く、且つ制御が容易であるｐ型ドーパントを用いた量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、ｎ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型バリア層、及びｐ型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層は、ノンドープのＩｎＳｂと、ｐ型ドーパントとしてＳｉがドーピングされた、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、及びＡｌＧａＳｂからなる群より選択された一種とが周期的に積層された超格子構造体を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メサ側面のリークが増大することを防止し、長期間にわたって安定的な半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子３０１は、基板１と、基板１上に複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の層が積層された四角錐台状のメサ１５と、メサ１５の上面及び側面を覆うＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のパッシベーション層７と、を備える。メサ１５は、上面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１００｝結晶面であり、側面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１１０｝結晶面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で持ち運びやすく、設置場所に制限されない装置が実現可能となる、ＰＤを用いた波長スペクトル検出方法を提案することにある。
【解決手段】任意の光の波長スペクトルφ（λ）を検出する方法であって、フォトダイオードの光電変換領域に前記任意の光を入射可能に構成するとともに前記任意の光の入射方向に電界を印加して光電流を生じさせるように構成し、前記任意の光の入射後若しくは遮断後における出力である光電流値の過渡応答Ｉ（ｔ）を検出し、この過渡応答Ｉ（t）に基づいて、前記任意の光の波長スペクトルφ（λ）を計算することにより求める。 （もっと読む）

【課題】検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、ｎ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型バリア層、ｐ型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層として、ノンドープまたはｐ型ドーピングされたＩｎＳｂと、ノンドープまたはｐ型ドーピングされたＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＩｎＡｓのうちいずれか一つとが周期的に積層された超格子構造体を採用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発明が解決しようとする課題は、高効率で受光する小型の受光素子および光送受信ユニットを得ることにある。
【解決手段】
一実施形態による受光素子は、半導体材料からなる下部クラッド層と、下部クラッド層上に設けられ、ディスク状あるいはリング状であり、半導体材料からなる光吸収層と、光吸収層上に設けられ半導体材料からなる上部クラッド層、上部クラッド層と第１のコンタクト層を介して対向する第１の電極と、下部クラッド層と第２のコンタクト層を介して対向する第２の電極と、を備える。上部クラッド層は第１のコンタクト層および光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部に上部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、下部クラッド層は第２のコンタクト層および光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部分に下部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、その両方である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、絶縁性下地の一部上方に、ＩＩ族酸化物半導体またはＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層の上面と側面を覆い、端部が絶縁性下地上に達するように形成された紫外線透過性の有機物電極と、有機物電極上から絶縁性下地上に延在し、絶縁性下地上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極とを有する。 （もっと読む）