【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】本実施例における受光素子は、光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても十分な信号レベルを有する検出信号を供給すること、及び入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことを目的とする。
【解決手段】本実施例における受光素子は、信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第１導電型と反対の第２導電型を有する第２半導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器において、感度やＳ／Ｎなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるようにする。
【解決手段】量子ドット型赤外線検知器を、量子ドット１と、量子ドット１を挟み、量子ドット１よりもワイドエネルギーギャップの中間層２と、中間層２よりもナローエネルギーギャップの下地井戸層５と、中間層２よりもワイドエネルギーギャップの第１埋め込み障壁層６と、第１埋め込み障壁層６上に設けられ、第１埋め込み障壁層６よりもワイドエネルギーギャップの第２埋め込み障壁層７とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長域まで受光でき、画素ピッチを密にしても暗電流を小さくでき、かつ画素の結晶性を損なうおそれがない、受光素子等を提供する。
【解決手段】 近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子５０であって、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギのＩＩＩ−Ｖ族半導体を有する受光部１０を備え、受光部１０が、該受光部より大きいバンドギャップエネルギを持つ半導体層１に取り囲まれるように埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、破壊電圧及び感度を高め、永久光電流を抑制して、ＳＮ比、ｏｎ／ｏｆｆ比及び応答速度を高めた紫外光検出デバイス及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物薄膜からなり、紫外光照射面３５を有する紫外光検出層２２と、前記紫外光検出層２２の一面２２ａに形成された絶縁部２３と、絶縁部２３の一面２３ａに形成された第１及び第２の電極部３１、３２と、を有する紫外光検出デバイス１１であって、絶縁部２３がＩＩ−ＶＩＩ族化合物である紫外光検出デバイスを用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】近赤外の波長域１．５μｍ〜１．８μｍに十分高い感度をもち、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、バッファ層上に接して位置する受光層３とを備え、受光層３が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下の第１の半導体層３ａと、それよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第２の半導体層３ｂとを１ペアとして、５０ペア以上を含み、第１の半導体層３ａおよび第２の半導体層３ｂが歪補償量子井戸構造を形成し、厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた半導体積層体と、半導体積層体上に設けられた導電層とを備え、半導体積層体は、基板側から導電層側にかけて、ｎ型窒化物半導体層、ｉ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層をこの順に含み、ｐ型窒化物半導体層は導電層側の表面に凹凸を有している光電変換素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法および光電変換素子。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、ｐ型シリコン基板２上に、ガリウムヒ素を含む第１半導体層３を成長させる工程と、第１半導体層３を成長させたｐ型シリコン基板２を、リンを含む第１ガスの雰囲気内において第１温度で加熱することにより、第１半導体層３を経由させてｐ型シリコン基板２内にリンを拡散させる工程と、第１半導体層３上に、格子定数が、シリコンよりもガリウムヒ素に近い第２半導体層４を成長させる工程とを有する。そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能であると共に、高Ｓ／Ｎ比を実現可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１であって、導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板２と、その一方側の面上に形成されたバッファ層３と、さらにその上方において、ＡｌＮ層からなる第１の光感受層１１とＧａＮ層からなる第２の光感受層１２とを少なくとも１層づつ交互に積層させることにより形成した第１の光感受層１１と第２の光感受層１２との超格子構造よりなる光感受層１０と、受光面４ａとなる上記光感受層４の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極５と、結晶基板２の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極７とからなる受光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】受光素子間のクロストーク（漏れ電流）を十分に低減し、小型且つ簡易な光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置よると、裏面電極が鏡面状の薄膜となったことにより、隣接する受光素子へのクロストークを容易に抑圧することが出来、光半導体装置の光強度検出時における誤差を少なくすることが出来る。また、パターン化した裏面電極もしくは絶縁膜の底部にオーミック電極を裏面全体に設置することにより、裏面における接触抵抗を低減することが出来る。また、２次元配列の光半導体素子を用いることおよび裏面電極を鏡面状の薄膜とすることによりクロストークを改善することが出来る。また、高い気密性を有した状態で筺体に収納することにより、光半導体素子は、外部環境から保護されて、耐湿性に優れ、高い信頼性を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】赤外線イメージセンサの各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってＳ／Ｎ比が低下してしまうのを防止できるようにする。
【解決手段】赤外線撮像装置を、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイ４と、各赤外線検知素子に赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部２と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に各赤外線検知素子に入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部２によって各赤外線検知素子に照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、各赤外線検知素子によって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部２によって各赤外線検知素子に照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から各赤外線検知素子に入射した赤外線の強度を求める制御演算部３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】所定の波長付近の電磁放射の検出用の裏面照射型検出器を提供する。
【解決手段】その検出器は、透明媒体の上方に形成されて、その放射の少なくとも一部を透過させる半導体吸収層（１４）と、半導体層（１４）の上方のミラー（２２）と、ミラー（２２）と半導体層（１４）との間に配置された金属パターン（２０）の周期格子（１８）とを含む。ミラー（２２）及び格子（１８）は、その放射に対して透明で、半導体層（１４）の上に形成された物質層（１６）の中に含まれる。ミラー（２２）及び格子（１８）は、ｄ≦λ／Ｒｅ（ｎ_１）、λ／（１６×Ｒｅ（ｎ_２））＋ｍ×λ／（２×Ｒｅ（ｎ_２））≦ｈ≦３×λ／（８×Ｒｅ（ｎ_２））＋ｍ×λ／（２×Ｒｅ（ｎ_２））、Ｒｅ（ｎ_２）≦１．３×Ｒｅ（ｎ_１）、Ｒｅ（ｎ_１）≧Ｒｅ（ｎ_{ｓｕｂｓｔｒａｔ}）を満たす。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、エピタキシャルウエハの製造方法および当該エピタキシャルウエハを得る。
【解決手段】 半導体の基板を準備する工程と、基板の上に、ペアをなす一方の層または両方の層にアンチモン（Ｓｂ）を含むタイプＩＩの多重量子井戸構造を、ペア数５０以上７００以下で、形成する工程と、ＩｎＰ表面層を形成する工程とを備え、多重量子井戸構造の形成工程の開始からＩｎＰ表面層の形成工程の終了まで、再成長界面が含まれないように一つの成長槽内で処理し、すべての層を有機金属原料を用いる全有機気相成長法により形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レンズが高密度に集積されていて且つ、作製歩留まりのよい水平共振器垂直出射レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層が積層された積層構造を含み活性層で発生した光を反射もしくは共振させる共振器構造部と、半導体基板の一部に設けられ活性層からの光を導波する光導波路層と、該光を反射させ半導体基板の裏面から出射するための光導波路層に設けられた反射鏡と、半導体基板の裏面に設けられ反射鏡で反射された光を集光する集光レンズとを備え、半導体基板の裏面には集光レンズが設けられた溝部と、半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、該テラス状部は共振器構造の下方に配置され、ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザ。 （もっと読む）