【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板１０１の上に形成された第１の半導体層１０２と、第１の半導体層１０２の上に形成された第２の半導体層１０４と、第２の半導体層１０４の上に形成されたゲート電極１０６と、第２の半導体層１０４の上にゲート電極１０６を挟んで対向するように形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、第２の半導体層１０４の上におけるゲート電極１０６とソース電極１０７との間及びゲート電極１０６とドレイン電極１０８との間に形成され、複数の金属膜１０９が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜１０９Ａ，１０９Ｂと、ゲート電極１０６及び複数の金属膜１０９の上方に配置された第１のミラー１１１と、基板１０１の下に形成された第２のミラー１１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波を効率よく受信し、信号／雑音比を向上したテラヘルツ波受信素子を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁のテラヘルツ波を受信するテラヘルツ波受信素子１００であ
って、２以上の半導体層（バッファ層１０２ａおよび電子供給層１０４ａ）のヘテロ接合により形成される２次元電子チャネル層１０３ａ、ゲート幅方向にλ₁／２の長さを有するゲート電極１１１ａ、ドレイン電極１１３ａおよびソース電極１１２ａを有する第１のＦＥＴ１００ａと、第１のＦＥＴ１００ａのゲート電極１１１ａのゲート幅方向における中央部と接続され、かつ、ゲート電極１１１ａと直交するように配置されたゲート配線１１４ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】高い加工精度が要求される大きさまで小型化することなく、ＧＨｚ帯の高周波信号に応答可能な超高速薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。キャリアが走行する薄膜導電層は、素子の表面に沿う金属層であるので、キャリアは薄膜金属層内を高速移動する。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】感度が高く、素子設置面積が小さく、簡易な方法で作製できる光センサーを提供する。
【解決手段】キャリア濃度が１．０×１０^１４／ｃｍ^３以上１．０×１０^１７／ｃｍ^３以下の半導体材料からなるゲート電極１０と、前記ゲート電極と同型のキャリアによりチャネルを形成する半導体である活性層１６と、ソース電極１４Ｓと、ドレイン電極１４Ｄと、ゲート絶縁膜１２と、を有するトランジスタを備え、前記ゲート電極に形成された空乏層に対して光を照射し、前記活性層を介してソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値の変化によって照射された光の強度を検知する。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

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【課題】単一または多層のグラフェンが光伝導層である光検出デバイスを提供する。
【解決手段】光検出層として単一または多層グラフェンを用いる光検出器を開示する。異なる電極構成を有する多数の実施形態を開示する。更に、撮像および監視等の用途のために、多数の光検出要素を含む光検出器アレイを開示する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。
【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】低い印加電圧で高い増倍率があげられる光電流倍増素子を得る。
【解決手段】対向する一対の電極２，５と、一対の電極２，５間に設けられる光導電性半導体層３と、光導電性半導体層３と一対の電極の少なくとも一方５との間に設けられる、弁作用のある遷移金属の酸化物からなる薄膜層４とを備え、薄膜層４の厚みが２ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】ｆａｒ ｆｉｅｌｄ光の影響を大幅に低減してＳ／Ｎ比 を高め、これにより近接場光を高効率に検出でき、かつ近接場光による対象物の分解能を波長の１／１０以下まで高めることができる近接場テラヘルツ光検出器を提供する。
【解決手段】テラヘルツ光１の近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化する半導体チップ１２と、半導体チップの表面を覆う絶縁被膜１８と、絶縁被膜の表面を覆いテラヘルツ光を遮光可能な導電性被膜２０とを備える。導電性被膜２０は、最大寸法がテラヘルツ光の波長よりも１桁以上短いアパーチャ２１を有する。さらに、導電性被膜１８と半導体チップ１２の間に平面状の導電性プローブ１４を備える。この導電性プローブ１４は、絶縁被膜１８により導電性被膜２０から絶縁され、かつ先端部１４ａがアパーチャ２１の内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を受けずに安定して光電変換できようにすること。
【解決手段】指２６が遮光性の対向基板１０６上に無い場合、遮光壁１０２の外側から出射したバックライト光２４は反射膜１０４で反射され、反射光２８としてセンサＴＦＴ１００で光電変換されるが、指２６の押し上げ力によって対向基板１０６及び反射膜１０４が変形されると、遮光壁１０２によって遮光されて、センサＴＦＴ１００では光電変換されない。従って、外光の影響を受けずに安定して光電変換／非光電変換の出力を得ることができる。そして、その出力に基づいて、指２６の有無を判別可能となる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを感熱体に用いた赤外線センサにおいて、信号読み出しが容易で、信号処理回路の構成を容易にし、温度検出感度が高い赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板上に、温度変化を電気信号の変化として出力する温度検出部を配置する。温度検出部は感熱体として電界効果トランジスタ（６０１）を含む。赤外線の検知動作時において、電界効果トランジスタはピンチオフ状態で動作するようにバイアスされる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体からなる半導体層を用いたいわゆるＭＯＳ型の素子において、新たに見い出された半導体層での受光によるＶｇ−Ｉｄ特性の不揮発的な変化を利用した受光量の検知を行うことが可能な光センサー素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体からなる半導体層１７に対してゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３が積層され、当該半導体層１７にソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが接続された光センサー素子１ａにおいて、半導体層１７での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。ドレイン電流値の読み出しは、半導体層１７が受光する前の初期状態におけるしきい値電圧以下でかつ受光時の電圧以上のゲート電圧で行う。 （もっと読む）

【課題】環境光の検出遅延をなくし応答性を改善した光センサを搭載した液晶表示装置を
提供することにある。
【解決手段】本発明は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルの基板に組み込まれて外光を
検出するＴＦＴからなるＴＦＴ光センサＬＳ_１、ＬＳ_２を有する光検出部と、液晶表示パ
ネルを照光する照光手段と、光検出部に接続された検出回路と、検出回路の出力に基づい
て照光手段の明るさを制御する制御手段と、を備えた液晶表示装置１において、ＴＦＴ光
センサのゲート電極Ｇ_Ｌ１〜Ｇ_Ｌ６とソース電極Ｓ_Ｌ１〜Ｓ_Ｌ６及びドレイン電極Ｄ_Ｌ１
〜Ｄ_Ｌ６に接続された引回し配線Ｌ_１〜Ｌ_３とは並列に配設されているとともに、ゲート
電極Ｇ_Ｌ１〜Ｇ_Ｌ６と引回し配線Ｌ_１〜Ｌ_３との間に隙間が生じないように、ゲート電極
Ｇ_Ｌ１〜Ｇ_Ｌ６の外縁部が平面視で絶縁部材を介して引回し配線Ｌ_１〜Ｌ_３により覆われ
ている。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５のゲート絶縁膜２４の上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、光電変換層３５をチャネル層２５よりも厚く形成したり、光電変換層３５をチャネル層２５と異なる材料で形成したりすることにより、光電変換層３５の光吸収率をチャネル層２５のそれよりも高くした。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】可視光通信用の受光素子アレイの集積回路の提供
【解決手段】（ａ）とその等価回路である（ｂ）において、ｐ型基板２１０のｎ−ｗｅｌｌ（ｎ型ウエル）２２０内にｐ拡散を行い、ｎ−ｗｅｌｌ２２０の下のｐ型基板を利用してｐ−ｎ−ｐ構造２３０，２４０(ウエル内の左と右の長方形参照）を作る。ｎ−ｗｅｌｌ２２０をＶ_ＤＤにした場合は、このｐ拡散の構造２４０（左の長方形）はフォトダイオードとして動作する。しかし、ｎ−ｗｅｌｌ２２０をＭＯＳＦＥＴスイッチで切り離すと、ｐ−ｎ−ｐ構造２３０（右の長方形）は、トランジスタのベース部分がフロート状態となり、フォトトランジスタ２３０として動作する。
このフォトトランジスタの応答感度は、ｐ拡散のフォトダイオードよりも約４０倍高感度（赤：波長６５０ｎｍの場合）であることがわかった。 （もっと読む）

本発明は、イメージセンサ用フォトトランジスタに関するものであり、埋込みコレクタを有することで、フォトトランジスタから発生する暗電流を減少させて、低照度での感度を向上させ、隣接画素とのクロストークやイメージ遅延(lag)がなくなる。本発明による埋込みコレクタを有するフォトトランジスタは、コレクタが外部と直接接続されていないため、低い暗電流を有し、低照度で優秀な感光特性を示す。各イメージセンサが孤立しているため、画素間のクロストークやイメージ遅延が発生しないという長所がある。
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