【課題】 半絶縁性InP基板上に作製する特性の優れた光半導体装置を提供することが課題である。
【解決手段】 導電性InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用いるか、Ru-InP基板或いはFe-InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用い、半導体層の積層順を基板側からｎ型半導体層／量子井戸層／ｐ型半導体層の順とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、生体成分を高感度で検出することができる生体成分検出装置を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、生体成分検出装置は、波長３μｍ以下の生体成分の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合フォトダイオードの外周に高抵抗半導体層を形成したメサ型半導体受光素子では、再成長界面とｐ型層もしくはｎ型層が直接、接触する構造となっており、高抵抗半導体層でメサ側壁の欠陥や界面順位が低減されていても、完全に除去することは難しくリークパスの要因となる。また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。
【解決手段】ｐ型領域と高抵抗半導体層の間にｉ型層を有することで埋め込み界面を流れる表面リーク電流を低減する事ができ、暗電流の少ない受光素子半導体受光素子を提供することができる。 （もっと読む）

ｐドープされた吸収層と、非意図的にドープされたアバランシェ増倍層と、ｎドープされたコレクタ層とを備える単一キャリア・アバランシェ・フォトダイオード、および前記アバランシェ・フォトダイオードを製造する方法。吸収層は、フォトダイオードが単一キャリアデバイスとして動作することを可能にするレベルにドープされる。したがってデバイスの総遅延時間は、主に電子に依存する。コレクタ層は、デバイス内の静電容量を低減する働きをする。コレクタ層内の電子の注入を改善するために、２つの層の間にｎ＋のδドープされた材料のビルトイン電界層を設けることができる。
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【課題】光から電力への変換効率が高い光電変換素子、これを用いた光給電装置、及び光電変換素子の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる光電変換素子は、光吸収層（２０２、２０５、２０７）のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１、Ｅｇ２、・・・、Ｅｇｎ）が異なる２つ以上のＰＩＮ接合を有する。２つ以上のＰＩＮ接合は、光２０９が入射する側からバンドギャップエネルギーが小さくなる順（Ｅｇ１＞Ｅｇ２＞・・・＞Ｅｇｎ）に配置され、且つ、各々のＰＩＮ接合が直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】受光素子の電極層の赤外光吸収を小さくする。
【解決手段】第１の電極層２、赤外光の光吸収層３、第２の電極層４とを有し、下方から入射された赤外光９を検知する半導体受光素子において、第１及び第２の電極層２、４の少なくとも一方を、障壁層２２及び井戸層２１の少なくとも一方が不純物ドープされた半導体超格子とし、かつ、その半導体超格子が形成するサブバンド間の遷移エネルギーを、赤外光の光子エネルギーより大きくする。赤外光９によるサブバンド間遷移が禁止され、かつ電極層の伝導電子密度も低いので、赤外光吸収が小さい。 （もっと読む）

【課題】受光感度の優れた光抵抗方式の受光素子を提供する。
【解決手段】所定の基板の上に導電性を有する導電性層を第１III族窒化物にて形成し、該導電性層の上に、非受光時には絶縁性を呈し、受光時には光電変換により導電性を呈する光応答層を第２のIII族窒化物にて形成し、該光応答層の上に対向電極を形成する。非受光時には光応答層が絶縁性を呈するので導電性層の存在に関わらず電流は流れないが、受光時には光応答層が光電効果によって導電性を帯び、かつ光応答層のみならず導電性層も導通経路となることで、大きな光電流が流れる。導電性層を超格子構造として二次元電子ガス領域を形成することで、導電性層の導通抵抗をより低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、受光層のＩｎＰ基板１と反対側に位置する拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、選択拡散された受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造の微細化とは別な観点からカットオフ周波数を高めることのできる検出素子などの整流素子を提供する。
【解決手段】整流素子は、ショットキー電極１１１を含むショットキー障壁部１０１と、ショットキー障壁部１０１における多数キャリアに対して整流性を有する障壁部１０２と、この整流性障壁部１０２に電気的に接したオーミック電極１０３を備える。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、一方側が他方側よりも大きい勾配の非対称なバンドプロファイルを有するように構成される。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、バンドプロファイルの大きい勾配の方の側がショットキー電極１１１の側に位置するように接続される。 （もっと読む）

【課題】キャリア搭載時に発生する組み立て異常を防止することができる裏面入射型受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面入射型ＡＰＤ１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に形成されたｎ−ＩｎＰコンタクト層１２と、ｎ−ＩｎＰコンタクト層１２上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＡｓ吸収層２０を含む受光部１０６、Ｎ型電極用メサ１０２、およびＰ型電極用メサ１０４と、Ｎ型電極用メサ１０２の上面に形成された、ｎ−ＩｎＰコンタクト層１２に導通するＮ型電極１１２と、受光部１０６とＰ型電極用メサ１０４との間でｎ−ＩｎＰコンタクト層１２を電気的に分離する分離溝４０と、受光部１０６やＰ型電極用メサ１０４などの一部または全部を被覆するＳｉＮ膜３０およびＳｉＯ_２膜３４と、受光部１０６の上面の一部およびＰ型電極用メサ１０４の上面の少なくとも一部とを含む領域に形成されたＰ型電極１１４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、検出装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短波長側の光に対する感度を向上させることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子１では、ｐ電極１２の延在部１２ａが絶縁膜１１を介して光入射孔８の側面８ａから底面８ｂの周縁部８ｃに至っている。これにより、延在部１２ａで光の進行が遮られるため、コンタクト層６、及びその一端面６ａに積層されたキャップ層７を介することなく、光が光入射孔８から光吸収層４に入射することになる。よって、分光感度のばらつきを抑制することができる。更に、ｐ電極１２の接続部１２ｂが絶縁膜１１及びキャップ層７を貫いてコンタクト層６の不純物拡散領域９に接続されている。これにより、光吸収層４の一端面４ａに積層されたキャップ層５を所定の厚さに薄型化することができる。以上により、半導体受光素子１によれば、短波長側の光に対する感度を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子アレイにおいて、共通のｎ側電極を、能率よく確実に形成することができる、受光素子アレイ、その製造方法および当該受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】選択拡散されたｐ型領域１５ごとに設けられｐ側電極１２と、ＩｎＰ基板１の非成長部に接続されて、エピタキシャル積層体Ｅの最表面側へと延びるｎ側電極１１とを備え、エピタキシャル積層体Ｅの非成長側の端縁の壁面Ｅsは平滑面であり、そのエピタキシャル積層体の端縁部の格子欠陥密度が、そのエピタキシャル積層体の内側の格子欠陥密度より高く、かつｎ側電極が接続されるＩｎＰ基板の非成長部Ｍは、ＩｎＰ基板の内側から連続した平坦面とする。 （もっと読む）

【課題】長波長側の波長帯で受光感度が大きい化合物半導体の製造方法、半導体受光素子の製造方法、化合物半導体及び半導体受光素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含有する化合物半導体を製造する際に、用いるＶ族原料のうち少なくとも１つを、ジメチルアミノ基を含む有機金属のＶ族原料とする。 （もっと読む）

【課題】複数の光検出素子を有する光検出装置をコンパクト化すること。
【解決手段】基板２と、基板２の表面２ａ上に設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子１０を有する帯状の光検出体８とを備える。複数の光検出素子１０は、光信号を電気信号に変換する光電変換領域１２と、この電気信号を外部に出力するための信号出力領域１４とをそれぞれ有する。光電変換領域１２と信号出力領域１４とは光検出体８において交互に配置され、隣り合う光電変換領域１２と信号出力領域１４とは電気的に接続され、光検出体８は、表面２ａに沿って渦巻き状に延びている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成を有する複数の光検出素子を含む光検出装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板２上において複数の分離溝５によって互に分離されて設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子４を備え、光検出素子４は、所定の導電型の第１の領域８と他の導電型の第２の領域１０とを含むＩｎＳｂ化合物半導体層であり、この化合物半導体層の光検出領域６において入射光を光電変換し、複数の光検出素子４のうち分離溝５を挟んで互に隣接する二つの光検出素子４の一方に含まれる第１の領域８と、他方に含まれる第２の領域１０とは、電気的に接続され、光検出領域６、第１の領域８及び第２の領域１０は、光検出素子４の化合物半導体基板２との接合面と、この接合面の反対側にありこの接合面に沿って延びる光検出素子４の主面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】信号光の照射を止めた後も光吸収層に残り高速化を阻害する正孔を瞬時に消滅させることができる光吸収層を備えた超高速応答が可能なＭＳＭ型受光素子を提供する。
【解決手段】光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】高速応答を実現できる信頼性の高い導波路型受光素子を得る。
【解決手段】導波路型受光素子１０の入射端面１２から入射光１４が入射される。導波路型受光素子１０は、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ基板１８上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層３０、ｐ−ＩｎＰクラッド層３２、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３４が順番に積層された積層構造を備える。隣接するｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａとｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂの間にｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａが挿入されている。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａのバンドギャップ波長は、入射光１４の波長より短い。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、ＺｎＯ膜を用いたときに装置全体の電流−電圧特性を改善することができるＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。受光面側又は光取り出し面側にｐ型ＧａＮ層６に接してＺｎＯ膜８が形成され、半導体素子は受光面側又は光取り出し面側から見た大きさが２００μｍ×２００μｍ以下に作製されている。 （もっと読む）

【課題】１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法およびそのＩｎＧａＡｓ受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ組成が０．５３を超えるＩｎＧａＡｓ受光層３と、ＩｎＧａＡｓ受光層に接して位置し、全厚みまたは基板と逆側の厚み部分がｐ型のＩｎＡｓＰ窓層４と、ｐ型ＩｎＡｓＰ窓層からＩｎＧａＡｓ受光層内に届き、受光素子の受光領域を取り囲むようにｎ型不純物を導入して形成したｎ型分離領域１９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）