【課題】 個別の量子ドットに対する局所的なキャリアの注入、取り出しを可能にする量子半導体装置を提供する。
【解決手段】 量子半導体装置は、半導体基板(11)と、半導体基板上に位置する第１の量子ドット(13)と、第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層(14)と、第１の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第２の量子ドット(15)と、第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層(16)と、前記第２の半導体結晶層において、第２の量子ドットに接続する自己形成ナノホール(17)内に形成されるナノホール電極(18)とを有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な高周波特性を有し、簡単な構成で歩留まりの高い半導体受光素子を構成する。
【解決手段】 Ｆｅ−ＩｎＰ基板２４上にｎ−コンタクト層２６を選択的に配設し、ｎ−コンタクト層２６の上にｎ−コンタクト層２６側から、ｎ−クラッド層２８、光吸収層３２、およびｐ−クラッド層３６が順次積層された光導波路層１６ａを配設し、この光導波路層１６ａの周囲をｎ−クラッド層２８上に配設されたＦｅ−ＩｎＰのブロック層３８により埋め込み、光導波路層１６ａのｐ−クラッド層３６と電気的に接続されたコンタクト電極１８ａとこのコンタクト電極１８ａからブロック層３８の側壁上を経由してＦｅ−ＩｎＰ基板２４上に延在する引出電極部１８ｂとこの引出電極部１８ｂと接続されＦｅ−ＩｎＰ基板２４表面にＳｉＮ膜２２を介して配設された電極パッド１８ｃとを有するｐ電極１８を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成された半導体レーザとフォトダイオード間でのリーク電流の低減を図る。
【解決手段】 ｛１００｝結晶面を主面とする同一半導体基板上に、共振器長方向を[０−１１]結晶軸方向として半導体レーザＬＤと、フォトダイオードＰＤが結晶成長により近接して形成され、フォトダイオードＰＤが｛１１１｝Ｂ結晶面の傾斜面を有するように連続的に結晶成長された導電型の異なる第１の半導体層４０及び第２の半導体層４９からなり、ｐｎ接合が前記｛１１１｝Ｂ結晶面を除く第１の半導体層４０の上面のみに形成され、｛１１１｝Ｂ結晶面が、前記半導体レーザＬＤからの出射光を反射する反射鏡３３となり、半導体レーザＬＤとフォトダイオードＰＤとの間に高濃度不純物領域によるリーク電流阻止層４８が設けられて成る。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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本発明は、入射光を検出し得るよう構成されたＭＳＭタイプの光検出器に関するものであって、支持体（１）上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第１ミラーを形成するような、反射手段（２）と；入射光を吸収しない材料から形成された材料層（３）と；入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層（４）と；検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワーク（５）と；を具備している。電極ネットワーク（５）は、活性層の上に配置されるとともに、入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、電極ネットワーク（５）は、共振キャビティのための第２ミラーを形成している。
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【課題】光半導体素子と光導波路を精度良く結合させることが可能な発光用光半導体素子を提供する。
【解決手段】発光波長を透過する半導体基板２上に作られた、上記半導体基板の表面１００に対して垂直な方向に光を出射する発光用光半導体素子であって、上記発光用光半導体素子外部に出た光を導く光導波路１２の一端が位置決めされる出射部１１と、上記半導体基板の表面に対して垂直な方向に出射された光を上記出射部の光導波路の一端に導くように反射させる上記表面の一部である反射面８と、を一体に備えた。 （もっと読む）

【課題】 暗電流に対する光電流比率を高める。
【解決手段】 障壁層であるＡｌＧａＡｓ層１０３ａ−１〜１０３ａ−ｎと量子井戸層であるＧａＡｓ層１０３ｂ−１〜１０３ｂ−（ｎ−１）からなる多重量子井戸１０３を有した光検知装置１００において、障壁層であるＡｌＧａＡｓ層１０３ａ−１〜１０３ａ−ｎに光電流及び暗電流のもとになるキャリアの移動度に制限を加えるための不純物（Ｓｉ）をドーピングしたことで、光入射時にキャリア濃度が増加すると、スクリーニング効果により実効的な不純物濃度が低くなり、キャリアの移動度が光非入射時よりも上がるため、暗電流に対する光電流比率が高まる。 （もっと読む）

本発明では、所定の波長λ₀の最大値を有する所定のスペクトル感度分布（９）にしたがって放射（８）を検出するための放射検出器を提供する。該放射検出器は、検出器信号の生成に使用され放射受信のために設けられた活性領域（５）を有する半導体ボディ（１）を含んでいる。１つの実施形態によれば、該活性領域（５）は複数の機能層（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）を有し、該機能層のバンドギャップおよび／または厚さは異なり、該機能層（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）は、波長λ₀より大きい波長領域にある波長を少なくとも部分的に吸収するように構成されている。
別の実施形態によれば、前記活性領域にフィルタリング層構造体（７０）が後置されており、該フィルタリング層構造体（７０）は、少なくとも１つのフィルタリング層（７，７ａ，７ｂ，７ｃ）を含み、該フィルタリング層構造体は検出器感度（１０）の短波長側（１０１）を、所定のスペクトル感度分布（９）にしたがって、λ₀を下回る波長の吸収によって決定する。本願ではさらに、人間の眼のスペクトル感度領域（９）にしたがって放射（８）を検出するための放射検出器が開示されている。半導体ボディは、モノリシックに統合化することができる。
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【課題】波長域内の入射光波を検知する光デバイスを提供すること。
【解決手段】波長域内の入射光波を検知する光デバイスは、基板上に重ね合わされた電極の第１アレーと第２アレーを備え、センサはコンタクトに接続される。前記アレーは櫛型にかみ合っている。各アレーは、それぞれのパラメータである、コンタクト幅、コンタクト厚み、溝部幅、及び溝部誘電率を有している。前記アレーと関連する構造は、入射波と局所的な電磁共鳴又はハイブリッドモードとを共鳴カップリングし、このハイブリッドモードは少なくとも表面プラズモンキャビティモード（ＣＭ）を含む。ＣＭをカップリングするために、コンタクト厚みの電極間の間隔に対するアスペクト比は少なくとも１である。高帯域及び高応答性用のハイブリッドモードをカップリングする好適な構造は、交互の溝部においてより高い誘電率を有する。前記基板は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）を含む、シリコンを含んでもよい。より高い誘電体、例えばシリコン酸化物を有する交互の溝部を有するＳＯＩデバイスは、０．２５Ａ／Ｗ及び３０ＧＨｚの帯域幅を与える。 （もっと読む）

光ファイバー等により入射した入力光１７を分岐する部分１４、その分岐された入力光の一方であるモニター光１２を電気信号に変換する部分（光電変換部分）１５と、その電気信号により信号光１３の光伝送路を開閉制御する部分１６とを備える。出力光１８は、モニター光１２に応じて出力された電気信号量によって光伝送路の開閉量が制御されることにより、その光パワーが調整される。また、光電変換部分１５として、外部電源を用いることなく光電変換が可能な半導体フォトボル素子を用いる。光伝送路を開閉制御する部分１６として、マイクロマシンによる光シャッター、又は吸収型変調器あるいは屈折率変調器等の光素子を用いる。

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