【課題】 高速かつ高感度な面入射型フォトダイオードを提供することにある。
【解決手段】 斜面反射部を用いて光路を変換し、光吸収層に斜め方向に光信号を入射することにより、実効的吸収層厚を増大させ、高感度化を図る。さらに、受光部上部に回折格子またはフォトニック結晶反射部により、入射方向と逆方向に反射させ、受光部領域を増大することなく、さらなる高感度化を図る。 （もっと読む）

【課題】光クロストークを低減することができる受光素子アレイおよびその受光素子アレイを用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子アレイ１０では、受光素子Ｓの任意の隣り合う２つの間を隔てるように位置するクロストーク防止部Ｂを備え、その複数の受光素子およびクロストーク防止部Ｂは、それぞれ半導体積層体の表面の側から内方へと位置するｐ型領域１６を持ち、クロストーク防止部のｐ型領域の内方先端部であるフロントは、受光素子のｐ型領域のフロントよりも、半導体積層体の表面とは逆の裏面からの距離が小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平面光回路上に付加的な部品を用いずに直接搭載しても使用可能な、高受光感度と低反射特性とが両立した受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子は、基板の表面に形成され光を吸収する受光部と、基板の側面から入射した光を受光部の方向に反射する反射部とを備える。基板の表面に平行な断面において、反射部の反射面は側面に対して傾斜している。こうした構成により、高受光感度と低反射特性とを両立させることが容易な受光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。
【解決手段】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。中間層と、中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、量子ドット層の一方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第１の障壁層と、量子ドット層の他方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第２の障壁層とを更に有する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。
【解決手段】典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、暗電流が小さく、光感度分布の平坦性が良く、かつ、高感度な光検出器を提供する。
【解決手段】第一導電形ワイドギャップエミッタ１６、第二導電形ナロウギャップベース１５、第一導電形コレクタ１４よりなる光検出器において、光を吸収する光吸収層１３は、ベース１５及びコレクタ１４のバンドギャップより小さなバンドギャップを有する井戸層が多重に積層して構成された多重量子井戸構造により構成され、光吸収層１３はコレクタ１４内に配置され、光吸収層１３を構成するそれぞれの井戸層はそれぞれ厚さが異なるようにした。 （もっと読む）

ナノワイヤベースのフォトダイオード１００、２００、３００、４００が開示される。フォトダイオードは、テーパ状の第１の端部１０６、２０６、３０６、４０６を有する第１の光導波路１０２、２０２、３０２、４０２と、テーパ状の第２の端部１１０、２１０、３１０、４１０を有する第２の光導波路１０４、２０４、３０４、４０４と、第１の端部１０８、２０８、３０８、４０８と第２の端部１１２、２１２、３１２、４１２とをブリッジ構成で接続し、少なくとも１つの半導体材料を含む少なくとも１本のナノワイヤ１１４、２１４、３１４、４１４とを備える。該フォトダイオードを作成する方法も開示される。
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【課題】光通信機器、光情報処理装置又は光計測装置において、光結合効率を低減することなく、高速に受光できるようにすることを目的とする。
【解決手段】半導体基板５２上に半導体光吸収層５４、半導体層５５が形成される光伝導素子において、半導体光吸収層５４内部に光キャリア再結合領域が形成される。光伝導素子と、外部電源と、光伝導素子の後段に接続される増幅回路と、を有する。光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用い、近赤外域において長波長側に感度を拡大し、かつ暗電流の低いＧａＩｎＮＡｓ受光層を備えた受光素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に位置し、該ＩｎＰ基板から遠ざかる方向に段階的に砒素の組成を増やしたＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０と、ＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０上に位置するＧａＩｎＮＡｓ受光層３と、該ＧａＩｎＮＡｓ受光層３上に位置するＩｎＡｓＰ層を備える。 （もっと読む）

【課題】 １．７μｍ〜３．５μｍの近赤外から中赤外光を受光できるような受光素子デバイスを提供すること。
【解決手段】 ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。沈降層、隆起層の膜厚は３ｎｍ〜１０ｎｍで、超格子全体の厚みは２μｍ〜７μｍで、超格子の構成膜のＩｎＰとの格子不整合は±０．２％以下とする。 （もっと読む）

【課題】高速且つ高密度の光配線を低コストで構築するため、簡易な光結合系でも大きな実装余裕と動作余裕が得られる半導体受光素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた半導体からなる受光部と、基板上に設けられた樹脂層と、樹脂層に周囲を囲まれて受光部の上に位置し、開口径が、受光部近傍で受光部より小さく、基板から離れるに従って連続的に広くなり、樹脂層の表面側で受光部より大きい逆錐体型開口と、逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜とを備え、基板上の受光部以外の部分が遮光されている。 （もっと読む）

【課題】近赤外域に受光感度を持つＮ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層を含み、かつ暗電流を抑制した受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板１の上に位置する、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層３とを備え、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層３の上に位置する、ＩｎＰ又はＩｎＡｌＡｓでなる窓層５と、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層３とＩｎＰ又はＩｎＡｌＡｓでなる窓層５との間に位置するＩｎＧａＡｓバッファ層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる光半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２と、窓層及び倍増層であるｎ型ＩｎＰ層１３（第１導電型半導体層）とが順番に積層されている。選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。ｎ型ＩｎＰ層１３及びｐ型ＩｎＰ領域１４の上面は表面保護膜１５により覆われている。ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面にカソード電極１６（第１電極）が接続されている。ｐ型ＩｎＰ領域１４の上面に、輪っか状のアノード電極１７（第２電極）が接続されている。アノード電極１７を囲むように低電圧電極１９が配置されている。この低電圧電極１９にはカソード電極１６よりも低い電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】暗電流および劣化を抑制可能な半導体受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からｎ型ＩｎＰバッファ層２まで、選択エッチング性の低いＢｒ系エッチャントによって傾斜型順メサ形状に除去して第一のメサを形成した。そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 （もっと読む）

【課題】具体的にはＩｎＧａＡｓＮ光吸収層の膜厚が薄い場合であっても、大きな量子効率が得られ、加えて暗電流の少ない半導体受光素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に形成されたＩｎＧａＡｓＮ層を光吸収層５とし、信号光をＩｎＰ基板１とは反対側から入射させる半導体受光素子において、ＩｎＰ基板１とＩｎＧａＡｓＮ光吸収層５の間に信号光を反射するための半導体多層膜反射鏡２を設置し、さらにＩｎＧａＡｓＮ光吸収層５に対してＩｎＰ基板１の反対側には半導体多層膜２により反射された光をさらに反射するような反射鏡（例えばｐ−ＩｎＧａＡｓ層７と空気の界面で反射する反射鏡）を設置し、信号光をこの２つの反射鏡の間で共振させる。 （もっと読む）

【課題】裏面入射型ＡＰＤ、表面入射型ＡＰＤとも内側の第１メサの径より、ミラーの外径または受光径が小さい。一方、ＡＰＤの応答速度を向上するためには、素子容量を低減することが必要である。
【解決手段】半導体基板上１０１に第１の導電型の半導体結晶層と第２の導電型の半導体結晶層とからなるｐｎ接合を含む複数の半導体結晶層からなり、且つ上部に第１のコンタクト層１０８を含むメサ１１０が形成され、ｐｎ接合に電界を印加する複数の電極が接続され、メサを埋め込む埋め込み層１１１上に第２のコンタクト層１０８ａを形成し、第２のコンタクト層１０８ａと第１のコンタクト層１０８とを介してｐｎ接合に電界を印加する半導体受光装置により、達成できる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１の基板上に剥離膜を挟んで光電変換素子及び増幅回路を作製し、その後、第１の基板と光電変換素子及び増幅回路の剥離を含む工程によって作製される半導体装置において、増幅回路の出力特性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上に開口部を有する金属層を形成し、記金属層及び該開口部を含む前記基板上の一面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上層であって、前記金属層と重なる領域に光電変換層を形成し、前記金属層の開口部に薄膜トランジスタにより前記光電変換素子の出力電流を増幅する増幅回路を形成し、前記光電変換素子及び前記増幅回路上に保護膜を形成し、前記金属層にレーザビームを照射して、前記光電変換素子及び前記増幅回路を、前記絶縁層を含んで前記基板から剥離する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を低減化することができる受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）は、半導体基板（１）と、半導体基板上に設けられた第１導電型の第１半導体層（２，３，４，５，６）と、第１半導体層上に設けられた第２導電型の第２半導体層（７）と、第１半導体層および第２半導体層の側面に設けられ一部に層厚の小さい薄層領域を備える第３半導体層（１３）とを備え、薄層領域（１３ａ）の最薄部は、第１半導体層と第２半導体層との界面のビルトイン空乏層（Ａ）よりも半導体基板側に位置する。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性の優れたＡｌＧａＮ結晶層を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。該テンプレート基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって、１０００℃よりも高い形成温度で、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第１単位層２ａとＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦１かつｙ≠ｘ）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第２単位層２ｂとを交互に繰り返し積層することによって、超格子構造を有するようにＡｌＧａＮ層２を形成する。これにより、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 （もっと読む）