赤外線検知器
【課題】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。
【解決手段】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。中間層と、中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、量子ドット層の一方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層と、量子ドット層の他方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層とを更に有する。
【解決手段】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。中間層と、中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、量子ドット層の一方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層と、量子ドット層の他方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層とを更に有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は赤外線を検出する赤外線検知器に係り、特に、赤外線を照射した際に量子ドット内の電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出する量子ドット型の赤外線センサに関する。
【背景技術】
【0002】
従来の量子ドット型の赤外線検知器として、中間層と、中間層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、積層体に赤外線を照射した際に量子ドット内の電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器が知られている。
【0003】
この赤外線検知器では、InAs等からなる量子ドットを、GaAs等からなる中間層に埋め込んだものを光吸収単位層とし、この光吸収単位層を複数回積層して積層体を構成している(特許文献1)。
【特許文献1】特開平10−256588号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、量子ドット型の赤外線検知器では、暗電流低減のために中間層にバンドギャップが広い材料を使用すると、量子ドットによる光応答に要するエネルギーも大きくなり所望の長波長特性が得られない。そこで、所望の長波長特性を得るために、量子ドットにバンドギャップが広い材料を使用すると、量子閉じ込め効果が低減し、光感度が低下するという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様による赤外線検知器は、中間層と、前記中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、前記量子ドット層の一方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層と、前記量子ドット層の他方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層とを更に有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、中間層と量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有する赤外線検知器において、量子ドット層の一方の側に、中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層を設け、量子ドット層の他方の側に、中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層を設けたので、所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
[提案されている赤外線検知器]
本発明による実施形態の説明の前に、本発明との比較のため、既に提案されている赤外線検知器について、図7乃至図9を用いて説明する。図7は提案されている赤外線検知器の構成を示す断面図であり、図8は提案されている赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図であり、図9は提案されている赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【0009】
図7に示すように、GaAs基板110上に、GaAs層からなるバッファ層111を介して、n−GaAs層からなる下側コンタクト層112が形成されている。下側コンタクト層112上には、複数の半導体層が積層された光検知構造120が形成されている。光検知構造120の詳細については後述する。
【0010】
光検知構造120上には、n−GaAs層からなる上側コンタクト層113が形成されている。光検知構造120と上側コンタクト層113とはメサ形に加工されている。下側コンタクト層112上には、AuGe/Au層からなる下側電極層114が形成され、上側コンタクト層113上にはAuGe/Au層からなる上側電極層115が形成されている。下側電極層114の上面と、上側電極層115の上面以外の部分には、SiON層からなる保護層116が形成されている。
【0011】
次に、光検知構造120の詳細について、図8を用いて説明する。
【0012】
光検知構造120は、下側コンタクト層112上に、i−AlGaAs層からなる中間層121が形成されている。中間層121上には、複数のInAlAsの量子ドットからなる量子ドット層122が形成されている。
【0013】
量子ドット層122上には、複数の量子ドットを覆うように、i−AlGaAs層からなる中間層121が形成されている。更に、中間層121上に、量子ドット層122が形成され、中間層121と量子ドット層122が、この順番で繰り返して積層されている。このように積層されて形成された光検知構造120の最上層の中間層121上には、上側コンタクト層113が形成されている。
【0014】
次に、提案されている赤外線検知器のエネルギーバンド構造について、図9を用いて説明する。
【0015】
一般に、赤外線検知器では、光応答によって発生する信号すなわち光電流以外の不要な電流成分(暗電流)を低下させることが性能向上に寄与する。また、赤外線検知器が光応答の感度を持つ波長域も重要な特性であり、赤外線撮像等の応用では比較的長波長、例えば、感度波長8−10μmに感度を持つものが好適である。
【0016】
光電流以外の不要な電流成分(暗電流)を低減するために、提案されている赤外線検知器では、図9のエネルギーバンド図に示すように、エネルギーバンドギャップが広く、暗電流に対する障壁エネルギーが大きいi−AlGaAs層を中間層121に用いている。
【0017】
i−AlGaAs層からなる中間層121に、量子ドット層122として、InAsの量子ドットを用いた場合には、InAsの量子ドットのバンドギャップに対する中間層121のバンドギャップが広くなるため、光応答に必要なエネルギーが大きくなり、所望の長波長の応答特性が得られない。
【0018】
このため、提案されている赤外線検知器のように、量子ドット層122として、InAsよりもバンドギャップの広いInAlAs混晶の量子ドットを用いることにより、光応答に必要なエネルギーを小さくして、応答の長波長化を図っている。
【0019】
しかしながら、提案された赤外線検知器のように、量子ドット層122として、InAlAs混晶の量子ドットを用いると、図9のエネルギーバンド図に示すように、InAlAs混晶の量子ドットからなる量子ドット層122のエネルギーの井戸が浅くなり、そのエネルギーの井戸による凹型ポテンシャルによる量子閉じ込め効果が弱くなり、光応答の感度低下を招くという問題があった。
【0020】
このように、提案された赤外線検知器では、光応答の長波長化を図ろうとして、量子ドットの材料をバンドギャップの広い材料にすると、量子ドット層での量子閉じ込め効果が弱くなり、光応答の感度低下を招くという問題があった。
【0021】
本発明は、提案された赤外線検知器における、このような問題を解決するためになされたものである。
【0022】
[一実施形態]
本発明の一実施形態による赤外線検知器について、図1乃至図3を用いて説明する。図1は本実施形態による赤外線検知器の構成を示す断面図であり、図2は本実施形態による赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図であり、図3は本実施形態による赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【0023】
図1に示すように、本実施形態の赤外線検知器では、上面が(001)面であるGaAs基板10上に、約100nm厚のGaAs層からなるバッファ層11を介して、約500nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる下側コンタクト層12が形成されている。
【0024】
下側コンタクト層12上には、複数の半導体層が積層された光検知構造20が形成されている。光検知構造20に赤外線が照射されると光電流が発生し、この光電流を検出することにより赤外線を検出する。光検知構造20の詳細については後述する。
【0025】
光検知構造20上には、約300nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる上側コンタクト層13が形成されている。光検知構造20と上側コンタクト層13とはメサ形に加工されている。
【0026】
下側コンタクト層12上には、約100nm厚のAuGe/Au層からなる下側電極層14が形成され、上側コンタクト層13上には約100nm厚のAuGe/Au層からなる上側電極層15が形成されている。
【0027】
下側電極層14の上面と、上側電極層15の上面以外の部分には、約200nm厚のSiON層からなる保護層16が形成されている。
【0028】
次に、図2を用いて、光検知構造20の詳細について説明する。
【0029】
光検知構造20は、下側コンタクト層12上に、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21が形成されている。
【0030】
中間層21上には、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22が形成されている。
【0031】
下地層22上には、複数のInxAlyAsの量子ドットからなる量子ドット層23が形成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInxAlyAsドットであり、量子ドット層23の面内で5×1010cm-2程度の密度で形成されている。
【0032】
量子ドットInxAlyAsにおけるInの組成比x、Alの組成比yは、例えば、x=0.6、y=0.4である。
【0033】
なお、量子ドットはInAsであっても良く、この場合は長波長応答を得るために上記よりも小型でかつ高密度の量子ドットを用いる。例えば、量子ドットの大きさは直径20nm、高さ2nm程度であり、その密度は1×1011cm-2程度である。
【0034】
量子ドット層23上には、複数の量子ドットを覆うように、約4.0nm厚のi−Al0.4Ga0.6As層からなるキャップ層24が形成されている。
【0035】
キャップ層24上には、再び、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21が形成される。更に、同様にして、中間層21上に、下地層22、量子ドット層23、キャップ層24、中間層21が、この順番で、更に、9回繰り返して積層されている。このように積層されて形成された光検知構造20の最上層の中間層21上には、上側コンタクト層13が形成されている。
【0036】
次に、図3を用いて、本実施形態の赤外線検知器のエネルギーバンド構造について説明する。
【0037】
本実施形態の赤外線検知器のエネルギーバンド構造の特徴は、図3のエネルギーバンド図に示すように、量子ドット層23による量子閉じ込め効果を改善するために、量子ドット層23によりエネルギーの井戸の両側に、エネルギーの障壁層となる下地層22とキャップ層24を設けたことにある。
【0038】
本実施形態の赤外線検知器のエネルギーバンドの基本構造は、提案されている赤外線検知器と同様に、バンドギャップの広い中間層21と、バンドギャップの狭い量子ドット層23とを交互に積層することにより、伝導帯の底にエネルギーレベルの井戸を形成することである。
【0039】
更に、中間層21と量子ドット層23の間に、バンドギャップが広い下地層22を設けて、量子ドット層23によりエネルギーの井戸の一側にエネルギーの障壁を形成し、量子ドット層23と中間層21との間に、バンドギャップが広いキャップ層24を設けて、量子ドット層23によりエネルギーの井戸の一側にエネルギーの障壁を形成し、エネルギーの障壁を形成している。
【0040】
エネルギーの井戸の両側に障壁層を設けることにより、量子ドット層23によるエネルギーの井戸の実効的な深さを深くして、凹型ポテンシャルによる量子閉じ込め効果を改善する。
【0041】
このような効果は障壁層をエネルギー井戸の片側に設けることによっても得られるが、両側に設けることでより効果を高めている。また障壁層の作製において以下に述べる点を配慮し、光検知に好適となるエネルギー構造を実現させる。
【0042】
これらエネルギーの障壁層は薄いので、トンネル効果により電子又は正孔が薄い障壁層をトンネリングし、光応答に必要なエネルギーを増大させることがなく、所望の長波長の応答特性が得られる。
【0043】
しかも、本実施形態の赤外線検知器では、図3のエネルギーバンド図に示すように、量子ドット層23によるエネルギーの井戸の上側コンタクト層13側の障壁層、すなわち、キャップ層24によるエネルギーの障壁の高さを相対的に低くし、量子ドット層23によるエネルギーの井戸の下側コンタクト層12側の障壁層、すなわち、下地層22によるエネルギーの障壁の高さを相対的に高くすることにより、量子閉じ込め効果を強化している。
【0044】
そして、エネルギー障壁の高さが相対的に低いキャップ層24よりも、エネルギー障壁の高さが相対的に高い下地層22の方の膜厚を薄くすることにより、励起された電子又は正孔をトンネリングし易くし、光応答に必要なエネルギーを増大させることがなく、所望の長波長の応答特性が得られるようにしている。
【0045】
但し、励起電子又は正孔のトンネリングのし易さよりも量子閉じ込めの強化の効果をより優先的に高める際には、キャップ層をAl1.0Ga0.0Asとしてエネルギー障壁の高さを下地層と同じにしても良い。
【0046】
なお、本実施形態の赤外線検知器では、中間層21と、下地層22と、キャップ層24とを、AlGaAsの混晶により形成し、そのAl組成比を変えることにより、図3のエネルギーバンド構造を実現している。すなわち、中間層21のAl組成比を、キャップ層24のAl組成比よりも小さくし、キャップ層のAl組成比を、下地層22のAl組成比と等しいか、それよりも小さくしている。
【0047】
具体的には、上記実施形態では、中間層21をAl0.2Ga0.8Asにより形成し、下地層22をAl1.0Ga0.0Asにより形成し、キャップ層24をAl0.7Ga0.3Asにより形成している。
【0048】
下地層22のAlGaAsの混晶組成はAlの組成比=1.0より小さく(但し、中間層21のAlGaAs層のAl組成よりは大きい)ても良いが、この部分のエネルギー障壁をより高くする観点と、さらにはAlGaAs下地層上にInAsやInAlAs量子ドットを形成する場合に、Al組成が大きいほうがより高密度のドットが得られやすいことから、Alの組成比=1.0とすることが望ましい。高密度の量子ドット層は赤外線吸収量の増大に寄与するため、赤外線検知器の性能向上にとって有利に働く。
【0049】
上記実施形態では中間層21よりも高エネルギー(高Al組成)となる下地層22とキャップ層24の両者を備えているが、高密度量子ドット形成の効果を重要視する場合はキャップ層24を省略することも可能である。このときでも、例えば、下地層22のAlGaAs組成をAlの組成比=1.0と大きくし、エネルギー障壁高さを最大化することで、強い量子閉じ込めを得ることができる。
【0050】
次に、図4乃至図6を用いて、本実施形態の赤外線検知器の製造方法について説明する。
【0051】
まず、上面が(001)面であるGaAs基板10上に、分子線エピタキシー法(MBE(Molecular Beam Epitaxy)法)により、約100nm厚のGaAs層からなるバッファ層11、約500nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる下側コンタクト層12を順次成長させる(図4(a))。
【0052】
続いて、分子線エピタキシー法により、下側コンタクト層12上に、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22を順次成長させる(図4(b))。
【0053】
続いて、分子線エピタキシー法により、下地層22上に、複数のInxAlyAsの量子ドットを成長させ、量子ドット層23を形成する。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInxAlyAsドットであり、量子ドット層23の面内で5×1010cm-2程度の密度で形成する(図4(b))。
【0054】
続いて、分子線エピタキシー法により、量子ドット層23上に、複数の量子ドットを覆うように、約4.0nm厚のi−Al0.4Ga0.6As層からなるキャップ層24を成長させる(図4(b))。
【0055】
続いて、分子線エピタキシー法により、キャップ層24上に、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21を成長させる。以降、同様にして、中間層21上に、下地層22、量子ドット層23、キャップ層24、中間層21を、この順番で、順次、9回繰り返して成長させて、光検知構造20を形成する(図4(b))。
【0056】
続いて、分子線エピタキシー法により、光検知構造20の最上層の中間層21上に、約300nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる上側コンタクト層13を成長させる(図4(b))。
【0057】
次に、ウエットエッチングにより、光検知構造20と上側コンタクト層13をメサ形状にエッチング加工する(図5(a))。
【0058】
次に、全面にレジストを塗布してレジスト層(図示せず)を形成する。続いて、レジスト層における電極層形成予定領域を開口する。続いて、全面に約100nm厚のAuGe/Au層(図示せず)を堆積する。続いて、レジスト層を除去し、リフトオフ法により、下側コンタクト層12上、上側コンタクト層13上に、AuGe/Au層からなる下側電極層14、AuGe/Au層からなる上側電極層15を形成する(図5(b))。
【0059】
次に、P−CVD法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition Method)により、全面に、約200nm厚のSiON層からなる保護層16を形成する(図6(a))。
【0060】
次に、ドライエッチング法により、保護膜16に、下側電極層14及び上側電極層15上にコンタクトホールを形成する(図6(b))。
【0061】
このように、本実施形態によれば、量子ドット層の一方の側に下地層を設け、他方の側にキャップ層を設け、エネルギーの井戸の両側に薄い障壁層を設けることにより、光応答に必要なエネルギーを増大させることがなく、量子ドット層によるエネルギーの井戸の実効的な深さを深くして、量子閉じ込め効果を改善することができる。
【0062】
なお、上記の製造方法において分子線エピタキシー法によって成長する量子ドットを直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInxAlyAsドットとし、量子ドット層23の面内で1×1011cm-2程度の密度で形成することも可能であり、さらにキャップ層をAl1.0Ga0.0Asとして、量子ドット層の両側のエネルギー障壁高さを最大限に高めて量子閉じ込め効果を改善しても良い。
【0063】
[変形実施形態]
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【0064】
例えば、基板、上側コンタクト層、下側コンタクト層、中間層、下地層、量子ドット、キャップ層の材料は、上記実施形態における材料に限らない。
【0065】
例えば、GaAs基板を用いる場合、コンタクト層の材料として、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaAsN、InGaAsNのいずれかでもよい。
【0066】
また、GaAs基板を用いる場合、中間層の材料として、GaAs、AlGaAs、InGaP、InGaAsNのいずれかでもよい。
【0067】
また、GaAs基板を用いる場合、下地層の材料として、AlAs、AlGaAs、InAlAs、InAlP、GaAlPのいずれかでもよい。
【0068】
また、GaAs基板を用いる場合、量子ドットの材料として、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、GaAsSbのいずれかでもよい。
【0069】
また、GaAs基板を用いる場合、キャップ層の材料として、AlGaAs、InGaP、InGaAlP、InAlAsのいずれかでもよい。
【0070】
例えば、InP基板を用いる場合、コンタクト層の材料として、InP、InGaAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsPのいずれかでもよい。
【0071】
また、InP基板を用いる場合、中間層の材料として、InP、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsPのいずれかでもよい。
【0072】
また、InP基板を用いる場合、下地層の材料として、AlAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsP、GaAlPのいずれかでもよい。
【0073】
また、InP基板を用いる場合、量子ドットの材料として、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、GaAsSbのいずれかでもよい。
【0074】
また、InP基板を用いる場合、キャップ層の材料として、InGaAs、InAlGaAs、InGaAlP、InAlAsPのいずれかでもよい。
【0075】
例えば、n型、p型の導電型について、上記実施形態に限らず、その反対の導電型であってもよい。
【実施例】
【0076】
以下、本発明の実施例について説明する。
【0077】
[実施例1]
実施例1の赤外線検知器は、図1及び図2に示す構成の赤外線検知器である。
【0078】
光検知構造20は、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21と、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22と、複数のInAsの量子ドットからなる量子ドット層23と、約4.0nm厚のi−Al0.7Ga0.3As層からなるキャップ層24とが、この順番で、10回繰り返して積層されて構成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInAsドットであり、量子ドット層23の面内で1×1011cm-2程度の密度で形成されている。
【0079】
[実施例2]
実施例2の赤外線検知器は、図1及び図2に示す構成の赤外線検知器である。
【0080】
光検知構造20は、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21と、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22と、複数のInAsの量子ドットからなる量子ドット層23と、約4.0nm厚のi−AlAs層からなるキャップ層24とが、この順番で、10回繰り返して積層されて構成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInAsドットであり、量子ドット層23の面内で1×1011cm-2程度の密度で形成されている。
【0081】
[比較例]
比較例の赤外線検知器は、図7及び図8に示す構成の赤外線検知器である。
【0082】
光検知構造120は、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層121と、複数のIn0.6Al0.4Asの量子ドットからなる量子ドット層122とが、この順番で、10回繰り返して積層されて構成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのIn0.6Al0.4Asドットであり、量子ドット層122の面内で5×1010cm-2程度の密度で形成されている。
【0083】
[実施例の特性]
図10に、実施例の赤外線検知器の分光応答スペクトルを示す。図10に示すように、実施例1の赤外線検出器、実施例2の赤外線検出器とも、8〜12μmの長波長赤外線域において応答する特性を有している。
【0084】
図11に、実施例の赤外線検知器の相対的感度を示す。図11に示すように、実施例1の赤外線検出器、実施例2の赤外線検出器とも、比較例の赤外線検出器に比較して感度が大幅に向上している。感度の指標として、光電流応答強度を雑音成分となる暗電流で除した値を用いた。
【図面の簡単な説明】
【0085】
【図1】本発明の一実施形態による赤外線検知器の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施形態による赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態による赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【図4】本発明の一実施形態による赤外線検知器の製造方法の工程断面図(その1)である。
【図5】本発明の一実施形態による赤外線検知器の製造方法の工程断面図(その2)である。
【図6】本発明の一実施形態による赤外線検知器の製造方法の工程断面図(その3)である。
【図7】提案されている赤外線検知器の構成を示す断面図である。
【図8】提案されている赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図である。
【図9】提案されている赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【図10】実施例の赤外線検出器の分光応答スペクトルを示す図である。
【図11】実施例の赤外線検知器の感度を示す図である。
【符号の説明】
【0086】
10…GaAs基板
11…バッファ層
12…下側コンタクト層
13…上側コンタクト層
14…下側電極層
15…上側電極層
16…保護層
20…光検知構造
21…中間層
22…下地層
23…量子ドット層
24…キャップ層
110…GaAs基板
111…バッファ層
112…下側コンタクト層
113…上側コンタクト層
114…下側電極層
115…上側電極層
116…保護層
120…光検知構造
121…中間層
122…量子ドット層
【技術分野】
【0001】
本発明は赤外線を検出する赤外線検知器に係り、特に、赤外線を照射した際に量子ドット内の電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出する量子ドット型の赤外線センサに関する。
【背景技術】
【0002】
従来の量子ドット型の赤外線検知器として、中間層と、中間層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、積層体に赤外線を照射した際に量子ドット内の電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器が知られている。
【0003】
この赤外線検知器では、InAs等からなる量子ドットを、GaAs等からなる中間層に埋め込んだものを光吸収単位層とし、この光吸収単位層を複数回積層して積層体を構成している(特許文献1)。
【特許文献1】特開平10−256588号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、量子ドット型の赤外線検知器では、暗電流低減のために中間層にバンドギャップが広い材料を使用すると、量子ドットによる光応答に要するエネルギーも大きくなり所望の長波長特性が得られない。そこで、所望の長波長特性を得るために、量子ドットにバンドギャップが広い材料を使用すると、量子閉じ込め効果が低減し、光感度が低下するという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様による赤外線検知器は、中間層と、前記中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、前記量子ドット層の一方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層と、前記量子ドット層の他方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層とを更に有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、中間層と量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有する赤外線検知器において、量子ドット層の一方の側に、中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層を設け、量子ドット層の他方の側に、中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層を設けたので、所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
[提案されている赤外線検知器]
本発明による実施形態の説明の前に、本発明との比較のため、既に提案されている赤外線検知器について、図7乃至図9を用いて説明する。図7は提案されている赤外線検知器の構成を示す断面図であり、図8は提案されている赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図であり、図9は提案されている赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【0009】
図7に示すように、GaAs基板110上に、GaAs層からなるバッファ層111を介して、n−GaAs層からなる下側コンタクト層112が形成されている。下側コンタクト層112上には、複数の半導体層が積層された光検知構造120が形成されている。光検知構造120の詳細については後述する。
【0010】
光検知構造120上には、n−GaAs層からなる上側コンタクト層113が形成されている。光検知構造120と上側コンタクト層113とはメサ形に加工されている。下側コンタクト層112上には、AuGe/Au層からなる下側電極層114が形成され、上側コンタクト層113上にはAuGe/Au層からなる上側電極層115が形成されている。下側電極層114の上面と、上側電極層115の上面以外の部分には、SiON層からなる保護層116が形成されている。
【0011】
次に、光検知構造120の詳細について、図8を用いて説明する。
【0012】
光検知構造120は、下側コンタクト層112上に、i−AlGaAs層からなる中間層121が形成されている。中間層121上には、複数のInAlAsの量子ドットからなる量子ドット層122が形成されている。
【0013】
量子ドット層122上には、複数の量子ドットを覆うように、i−AlGaAs層からなる中間層121が形成されている。更に、中間層121上に、量子ドット層122が形成され、中間層121と量子ドット層122が、この順番で繰り返して積層されている。このように積層されて形成された光検知構造120の最上層の中間層121上には、上側コンタクト層113が形成されている。
【0014】
次に、提案されている赤外線検知器のエネルギーバンド構造について、図9を用いて説明する。
【0015】
一般に、赤外線検知器では、光応答によって発生する信号すなわち光電流以外の不要な電流成分(暗電流)を低下させることが性能向上に寄与する。また、赤外線検知器が光応答の感度を持つ波長域も重要な特性であり、赤外線撮像等の応用では比較的長波長、例えば、感度波長8−10μmに感度を持つものが好適である。
【0016】
光電流以外の不要な電流成分(暗電流)を低減するために、提案されている赤外線検知器では、図9のエネルギーバンド図に示すように、エネルギーバンドギャップが広く、暗電流に対する障壁エネルギーが大きいi−AlGaAs層を中間層121に用いている。
【0017】
i−AlGaAs層からなる中間層121に、量子ドット層122として、InAsの量子ドットを用いた場合には、InAsの量子ドットのバンドギャップに対する中間層121のバンドギャップが広くなるため、光応答に必要なエネルギーが大きくなり、所望の長波長の応答特性が得られない。
【0018】
このため、提案されている赤外線検知器のように、量子ドット層122として、InAsよりもバンドギャップの広いInAlAs混晶の量子ドットを用いることにより、光応答に必要なエネルギーを小さくして、応答の長波長化を図っている。
【0019】
しかしながら、提案された赤外線検知器のように、量子ドット層122として、InAlAs混晶の量子ドットを用いると、図9のエネルギーバンド図に示すように、InAlAs混晶の量子ドットからなる量子ドット層122のエネルギーの井戸が浅くなり、そのエネルギーの井戸による凹型ポテンシャルによる量子閉じ込め効果が弱くなり、光応答の感度低下を招くという問題があった。
【0020】
このように、提案された赤外線検知器では、光応答の長波長化を図ろうとして、量子ドットの材料をバンドギャップの広い材料にすると、量子ドット層での量子閉じ込め効果が弱くなり、光応答の感度低下を招くという問題があった。
【0021】
本発明は、提案された赤外線検知器における、このような問題を解決するためになされたものである。
【0022】
[一実施形態]
本発明の一実施形態による赤外線検知器について、図1乃至図3を用いて説明する。図1は本実施形態による赤外線検知器の構成を示す断面図であり、図2は本実施形態による赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図であり、図3は本実施形態による赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【0023】
図1に示すように、本実施形態の赤外線検知器では、上面が(001)面であるGaAs基板10上に、約100nm厚のGaAs層からなるバッファ層11を介して、約500nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる下側コンタクト層12が形成されている。
【0024】
下側コンタクト層12上には、複数の半導体層が積層された光検知構造20が形成されている。光検知構造20に赤外線が照射されると光電流が発生し、この光電流を検出することにより赤外線を検出する。光検知構造20の詳細については後述する。
【0025】
光検知構造20上には、約300nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる上側コンタクト層13が形成されている。光検知構造20と上側コンタクト層13とはメサ形に加工されている。
【0026】
下側コンタクト層12上には、約100nm厚のAuGe/Au層からなる下側電極層14が形成され、上側コンタクト層13上には約100nm厚のAuGe/Au層からなる上側電極層15が形成されている。
【0027】
下側電極層14の上面と、上側電極層15の上面以外の部分には、約200nm厚のSiON層からなる保護層16が形成されている。
【0028】
次に、図2を用いて、光検知構造20の詳細について説明する。
【0029】
光検知構造20は、下側コンタクト層12上に、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21が形成されている。
【0030】
中間層21上には、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22が形成されている。
【0031】
下地層22上には、複数のInxAlyAsの量子ドットからなる量子ドット層23が形成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInxAlyAsドットであり、量子ドット層23の面内で5×1010cm-2程度の密度で形成されている。
【0032】
量子ドットInxAlyAsにおけるInの組成比x、Alの組成比yは、例えば、x=0.6、y=0.4である。
【0033】
なお、量子ドットはInAsであっても良く、この場合は長波長応答を得るために上記よりも小型でかつ高密度の量子ドットを用いる。例えば、量子ドットの大きさは直径20nm、高さ2nm程度であり、その密度は1×1011cm-2程度である。
【0034】
量子ドット層23上には、複数の量子ドットを覆うように、約4.0nm厚のi−Al0.4Ga0.6As層からなるキャップ層24が形成されている。
【0035】
キャップ層24上には、再び、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21が形成される。更に、同様にして、中間層21上に、下地層22、量子ドット層23、キャップ層24、中間層21が、この順番で、更に、9回繰り返して積層されている。このように積層されて形成された光検知構造20の最上層の中間層21上には、上側コンタクト層13が形成されている。
【0036】
次に、図3を用いて、本実施形態の赤外線検知器のエネルギーバンド構造について説明する。
【0037】
本実施形態の赤外線検知器のエネルギーバンド構造の特徴は、図3のエネルギーバンド図に示すように、量子ドット層23による量子閉じ込め効果を改善するために、量子ドット層23によりエネルギーの井戸の両側に、エネルギーの障壁層となる下地層22とキャップ層24を設けたことにある。
【0038】
本実施形態の赤外線検知器のエネルギーバンドの基本構造は、提案されている赤外線検知器と同様に、バンドギャップの広い中間層21と、バンドギャップの狭い量子ドット層23とを交互に積層することにより、伝導帯の底にエネルギーレベルの井戸を形成することである。
【0039】
更に、中間層21と量子ドット層23の間に、バンドギャップが広い下地層22を設けて、量子ドット層23によりエネルギーの井戸の一側にエネルギーの障壁を形成し、量子ドット層23と中間層21との間に、バンドギャップが広いキャップ層24を設けて、量子ドット層23によりエネルギーの井戸の一側にエネルギーの障壁を形成し、エネルギーの障壁を形成している。
【0040】
エネルギーの井戸の両側に障壁層を設けることにより、量子ドット層23によるエネルギーの井戸の実効的な深さを深くして、凹型ポテンシャルによる量子閉じ込め効果を改善する。
【0041】
このような効果は障壁層をエネルギー井戸の片側に設けることによっても得られるが、両側に設けることでより効果を高めている。また障壁層の作製において以下に述べる点を配慮し、光検知に好適となるエネルギー構造を実現させる。
【0042】
これらエネルギーの障壁層は薄いので、トンネル効果により電子又は正孔が薄い障壁層をトンネリングし、光応答に必要なエネルギーを増大させることがなく、所望の長波長の応答特性が得られる。
【0043】
しかも、本実施形態の赤外線検知器では、図3のエネルギーバンド図に示すように、量子ドット層23によるエネルギーの井戸の上側コンタクト層13側の障壁層、すなわち、キャップ層24によるエネルギーの障壁の高さを相対的に低くし、量子ドット層23によるエネルギーの井戸の下側コンタクト層12側の障壁層、すなわち、下地層22によるエネルギーの障壁の高さを相対的に高くすることにより、量子閉じ込め効果を強化している。
【0044】
そして、エネルギー障壁の高さが相対的に低いキャップ層24よりも、エネルギー障壁の高さが相対的に高い下地層22の方の膜厚を薄くすることにより、励起された電子又は正孔をトンネリングし易くし、光応答に必要なエネルギーを増大させることがなく、所望の長波長の応答特性が得られるようにしている。
【0045】
但し、励起電子又は正孔のトンネリングのし易さよりも量子閉じ込めの強化の効果をより優先的に高める際には、キャップ層をAl1.0Ga0.0Asとしてエネルギー障壁の高さを下地層と同じにしても良い。
【0046】
なお、本実施形態の赤外線検知器では、中間層21と、下地層22と、キャップ層24とを、AlGaAsの混晶により形成し、そのAl組成比を変えることにより、図3のエネルギーバンド構造を実現している。すなわち、中間層21のAl組成比を、キャップ層24のAl組成比よりも小さくし、キャップ層のAl組成比を、下地層22のAl組成比と等しいか、それよりも小さくしている。
【0047】
具体的には、上記実施形態では、中間層21をAl0.2Ga0.8Asにより形成し、下地層22をAl1.0Ga0.0Asにより形成し、キャップ層24をAl0.7Ga0.3Asにより形成している。
【0048】
下地層22のAlGaAsの混晶組成はAlの組成比=1.0より小さく(但し、中間層21のAlGaAs層のAl組成よりは大きい)ても良いが、この部分のエネルギー障壁をより高くする観点と、さらにはAlGaAs下地層上にInAsやInAlAs量子ドットを形成する場合に、Al組成が大きいほうがより高密度のドットが得られやすいことから、Alの組成比=1.0とすることが望ましい。高密度の量子ドット層は赤外線吸収量の増大に寄与するため、赤外線検知器の性能向上にとって有利に働く。
【0049】
上記実施形態では中間層21よりも高エネルギー(高Al組成)となる下地層22とキャップ層24の両者を備えているが、高密度量子ドット形成の効果を重要視する場合はキャップ層24を省略することも可能である。このときでも、例えば、下地層22のAlGaAs組成をAlの組成比=1.0と大きくし、エネルギー障壁高さを最大化することで、強い量子閉じ込めを得ることができる。
【0050】
次に、図4乃至図6を用いて、本実施形態の赤外線検知器の製造方法について説明する。
【0051】
まず、上面が(001)面であるGaAs基板10上に、分子線エピタキシー法(MBE(Molecular Beam Epitaxy)法)により、約100nm厚のGaAs層からなるバッファ層11、約500nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる下側コンタクト層12を順次成長させる(図4(a))。
【0052】
続いて、分子線エピタキシー法により、下側コンタクト層12上に、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22を順次成長させる(図4(b))。
【0053】
続いて、分子線エピタキシー法により、下地層22上に、複数のInxAlyAsの量子ドットを成長させ、量子ドット層23を形成する。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInxAlyAsドットであり、量子ドット層23の面内で5×1010cm-2程度の密度で形成する(図4(b))。
【0054】
続いて、分子線エピタキシー法により、量子ドット層23上に、複数の量子ドットを覆うように、約4.0nm厚のi−Al0.4Ga0.6As層からなるキャップ層24を成長させる(図4(b))。
【0055】
続いて、分子線エピタキシー法により、キャップ層24上に、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21を成長させる。以降、同様にして、中間層21上に、下地層22、量子ドット層23、キャップ層24、中間層21を、この順番で、順次、9回繰り返して成長させて、光検知構造20を形成する(図4(b))。
【0056】
続いて、分子線エピタキシー法により、光検知構造20の最上層の中間層21上に、約300nm厚でキャリア濃度が1×1018cm-3のn−GaAs層からなる上側コンタクト層13を成長させる(図4(b))。
【0057】
次に、ウエットエッチングにより、光検知構造20と上側コンタクト層13をメサ形状にエッチング加工する(図5(a))。
【0058】
次に、全面にレジストを塗布してレジスト層(図示せず)を形成する。続いて、レジスト層における電極層形成予定領域を開口する。続いて、全面に約100nm厚のAuGe/Au層(図示せず)を堆積する。続いて、レジスト層を除去し、リフトオフ法により、下側コンタクト層12上、上側コンタクト層13上に、AuGe/Au層からなる下側電極層14、AuGe/Au層からなる上側電極層15を形成する(図5(b))。
【0059】
次に、P−CVD法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition Method)により、全面に、約200nm厚のSiON層からなる保護層16を形成する(図6(a))。
【0060】
次に、ドライエッチング法により、保護膜16に、下側電極層14及び上側電極層15上にコンタクトホールを形成する(図6(b))。
【0061】
このように、本実施形態によれば、量子ドット層の一方の側に下地層を設け、他方の側にキャップ層を設け、エネルギーの井戸の両側に薄い障壁層を設けることにより、光応答に必要なエネルギーを増大させることがなく、量子ドット層によるエネルギーの井戸の実効的な深さを深くして、量子閉じ込め効果を改善することができる。
【0062】
なお、上記の製造方法において分子線エピタキシー法によって成長する量子ドットを直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInxAlyAsドットとし、量子ドット層23の面内で1×1011cm-2程度の密度で形成することも可能であり、さらにキャップ層をAl1.0Ga0.0Asとして、量子ドット層の両側のエネルギー障壁高さを最大限に高めて量子閉じ込め効果を改善しても良い。
【0063】
[変形実施形態]
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【0064】
例えば、基板、上側コンタクト層、下側コンタクト層、中間層、下地層、量子ドット、キャップ層の材料は、上記実施形態における材料に限らない。
【0065】
例えば、GaAs基板を用いる場合、コンタクト層の材料として、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaAsN、InGaAsNのいずれかでもよい。
【0066】
また、GaAs基板を用いる場合、中間層の材料として、GaAs、AlGaAs、InGaP、InGaAsNのいずれかでもよい。
【0067】
また、GaAs基板を用いる場合、下地層の材料として、AlAs、AlGaAs、InAlAs、InAlP、GaAlPのいずれかでもよい。
【0068】
また、GaAs基板を用いる場合、量子ドットの材料として、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、GaAsSbのいずれかでもよい。
【0069】
また、GaAs基板を用いる場合、キャップ層の材料として、AlGaAs、InGaP、InGaAlP、InAlAsのいずれかでもよい。
【0070】
例えば、InP基板を用いる場合、コンタクト層の材料として、InP、InGaAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsPのいずれかでもよい。
【0071】
また、InP基板を用いる場合、中間層の材料として、InP、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsPのいずれかでもよい。
【0072】
また、InP基板を用いる場合、下地層の材料として、AlAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsP、GaAlPのいずれかでもよい。
【0073】
また、InP基板を用いる場合、量子ドットの材料として、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、GaAsSbのいずれかでもよい。
【0074】
また、InP基板を用いる場合、キャップ層の材料として、InGaAs、InAlGaAs、InGaAlP、InAlAsPのいずれかでもよい。
【0075】
例えば、n型、p型の導電型について、上記実施形態に限らず、その反対の導電型であってもよい。
【実施例】
【0076】
以下、本発明の実施例について説明する。
【0077】
[実施例1]
実施例1の赤外線検知器は、図1及び図2に示す構成の赤外線検知器である。
【0078】
光検知構造20は、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21と、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22と、複数のInAsの量子ドットからなる量子ドット層23と、約4.0nm厚のi−Al0.7Ga0.3As層からなるキャップ層24とが、この順番で、10回繰り返して積層されて構成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInAsドットであり、量子ドット層23の面内で1×1011cm-2程度の密度で形成されている。
【0079】
[実施例2]
実施例2の赤外線検知器は、図1及び図2に示す構成の赤外線検知器である。
【0080】
光検知構造20は、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層21と、約0.5nm厚のi−Al1.0Ga0.0As層からなる下地層22と、複数のInAsの量子ドットからなる量子ドット層23と、約4.0nm厚のi−AlAs層からなるキャップ層24とが、この順番で、10回繰り返して積層されて構成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのInAsドットであり、量子ドット層23の面内で1×1011cm-2程度の密度で形成されている。
【0081】
[比較例]
比較例の赤外線検知器は、図7及び図8に示す構成の赤外線検知器である。
【0082】
光検知構造120は、約45nm厚のi−Al0.2Ga0.8As層からなる中間層121と、複数のIn0.6Al0.4Asの量子ドットからなる量子ドット層122とが、この順番で、10回繰り返して積層されて構成されている。量子ドットは、直径25nm、高さ5nm程度の大きさのIn0.6Al0.4Asドットであり、量子ドット層122の面内で5×1010cm-2程度の密度で形成されている。
【0083】
[実施例の特性]
図10に、実施例の赤外線検知器の分光応答スペクトルを示す。図10に示すように、実施例1の赤外線検出器、実施例2の赤外線検出器とも、8〜12μmの長波長赤外線域において応答する特性を有している。
【0084】
図11に、実施例の赤外線検知器の相対的感度を示す。図11に示すように、実施例1の赤外線検出器、実施例2の赤外線検出器とも、比較例の赤外線検出器に比較して感度が大幅に向上している。感度の指標として、光電流応答強度を雑音成分となる暗電流で除した値を用いた。
【図面の簡単な説明】
【0085】
【図1】本発明の一実施形態による赤外線検知器の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施形態による赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態による赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【図4】本発明の一実施形態による赤外線検知器の製造方法の工程断面図(その1)である。
【図5】本発明の一実施形態による赤外線検知器の製造方法の工程断面図(その2)である。
【図6】本発明の一実施形態による赤外線検知器の製造方法の工程断面図(その3)である。
【図7】提案されている赤外線検知器の構成を示す断面図である。
【図8】提案されている赤外線検知器の光検知構造の詳細を示す断面図である。
【図9】提案されている赤外線検知器のエネルギーバンド図である。
【図10】実施例の赤外線検出器の分光応答スペクトルを示す図である。
【図11】実施例の赤外線検知器の感度を示す図である。
【符号の説明】
【0086】
10…GaAs基板
11…バッファ層
12…下側コンタクト層
13…上側コンタクト層
14…下側電極層
15…上側電極層
16…保護層
20…光検知構造
21…中間層
22…下地層
23…量子ドット層
24…キャップ層
110…GaAs基板
111…バッファ層
112…下側コンタクト層
113…上側コンタクト層
114…下側電極層
115…上側電極層
116…保護層
120…光検知構造
121…中間層
122…量子ドット層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
中間層と、前記中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、
前記量子ドット層の一方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層と、
前記量子ドット層の他方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層と
を更に有することを特徴とする赤外線検知器。
【請求項2】
請求項1記載の赤外線検知器において、
前記第2の障壁層は、前記量子ドット層の他方の側に、前記複数の量子ドットを覆うように形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項3】
請求項2記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層のバンドギャップが、前記第2の障壁層のバンドギャップと等しいか、それよりも大きいことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項4】
中間層と、前記中間層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、
前記量子ドット層のドット底面に接するように設けられた前記中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層を有することを特徴とする赤外線検知器。
【請求項5】
請求項2乃至4のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層の厚さが0.5nm以下であり、第2の障壁層の厚さが5nm以下であることを特徴とする赤外線検知器。
【請求項6】
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記中間層は、GaAs、AlGaAs、InGaP、及びInGaAsNの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第1の障壁層は、AlAs、AlGaAs、InAlAs、InAlP、及びGaAlPの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記量子ドットは、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、及びGaAsSbの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第2の障壁層は、AlGaAs、InGaP、InGaAlP、及びInAlAsの群から選ばれるひとつの化合物により形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項7】
請求項6記載の赤外線検知器において、
前記中間層と、前記第1の障壁層とは、AlGaAsにより形成され、前記中間層のAl組成比が、前記第1の障壁層のAl組成比よりも小さい
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項8】
請求項7記載の赤外線検知器において、
前記中間層と、前記第1の障壁層と、前記第2の障壁層とは、AlGaAsにより形成され、
前記中間層のAl組成比が、前記第2の障壁層のAl組成比よりも小さく、
前記第2の障壁層のAl組成比が、前記第1の障壁層のAl組成比と等しいか、それよりも小さい
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項9】
請求項7記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層がAlAsであり、前記量子ドットがInAsあるいはInAlAsである
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項10】
請求項8記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層と、前記第2の障壁層とは、AlAsにより形成され、
前記量子ドットは、InAs又はInAlAsにより形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項11】
請求項9記載の赤外線検知器において、
前記量子ドットの密度は、5×1010cm-2以上である
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項12】
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記中間層は、InP、InGaAs、InGaAlAs、InGaAsP、及びInAlAsPの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第1の障壁層は、AlAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsP、及びGaAlPの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記量子ドットは、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、及びGaAsSbの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第2の障壁層は、InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsP、及びGaAlPの群から選ばれるひとつの化合物により形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項13】
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記中間層、前記第1の障壁層、前記量子ドット、前記第2の障壁層は、InAs、GaAs、AlAs、InP、GaP、AlP、InSb、GaSb、AlSb、InN、GaN、及びAlNの群から選ばれるひとつの化合物、又は、複数の化合物の混晶により形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項1】
中間層と、前記中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、
前記量子ドット層の一方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層と、
前記量子ドット層の他方の側に設けられ、前記中間層よりもバンドギャップが広い第2の障壁層と
を更に有することを特徴とする赤外線検知器。
【請求項2】
請求項1記載の赤外線検知器において、
前記第2の障壁層は、前記量子ドット層の他方の側に、前記複数の量子ドットを覆うように形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項3】
請求項2記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層のバンドギャップが、前記第2の障壁層のバンドギャップと等しいか、それよりも大きいことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項4】
中間層と、前記中間層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、
前記量子ドット層のドット底面に接するように設けられた前記中間層よりもバンドギャップが広い第1の障壁層を有することを特徴とする赤外線検知器。
【請求項5】
請求項2乃至4のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層の厚さが0.5nm以下であり、第2の障壁層の厚さが5nm以下であることを特徴とする赤外線検知器。
【請求項6】
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記中間層は、GaAs、AlGaAs、InGaP、及びInGaAsNの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第1の障壁層は、AlAs、AlGaAs、InAlAs、InAlP、及びGaAlPの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記量子ドットは、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、及びGaAsSbの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第2の障壁層は、AlGaAs、InGaP、InGaAlP、及びInAlAsの群から選ばれるひとつの化合物により形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項7】
請求項6記載の赤外線検知器において、
前記中間層と、前記第1の障壁層とは、AlGaAsにより形成され、前記中間層のAl組成比が、前記第1の障壁層のAl組成比よりも小さい
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項8】
請求項7記載の赤外線検知器において、
前記中間層と、前記第1の障壁層と、前記第2の障壁層とは、AlGaAsにより形成され、
前記中間層のAl組成比が、前記第2の障壁層のAl組成比よりも小さく、
前記第2の障壁層のAl組成比が、前記第1の障壁層のAl組成比と等しいか、それよりも小さい
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項9】
請求項7記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層がAlAsであり、前記量子ドットがInAsあるいはInAlAsである
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項10】
請求項8記載の赤外線検知器において、
前記第1の障壁層と、前記第2の障壁層とは、AlAsにより形成され、
前記量子ドットは、InAs又はInAlAsにより形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項11】
請求項9記載の赤外線検知器において、
前記量子ドットの密度は、5×1010cm-2以上である
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項12】
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記中間層は、InP、InGaAs、InGaAlAs、InGaAsP、及びInAlAsPの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第1の障壁層は、AlAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsP、及びGaAlPの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記量子ドットは、InAs、InGaAs、InAlAs、InAlSb、及びGaAsSbの群から選ばれるひとつの化合物により形成され、
前記第2の障壁層は、InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP、InAlAsP、及びGaAlPの群から選ばれるひとつの化合物により形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【請求項13】
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の赤外線検知器において、
前記中間層、前記第1の障壁層、前記量子ドット、前記第2の障壁層は、InAs、GaAs、AlAs、InP、GaP、AlP、InSb、GaSb、AlSb、InN、GaN、及びAlNの群から選ばれるひとつの化合物、又は、複数の化合物の混晶により形成されている
ことを特徴とする赤外線検知器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2009−65141(P2009−65141A)
【公開日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【国際特許分類】
【公開請求】
【出願番号】特願2008−205241(P2008−205241)
【出願日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成19年度、防衛省、「2波長赤外線センサ(その1)」試作研究請負契約、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
【出願人】(390014306)防衛省技術研究本部長 (169)
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−205241(P2008−205241)
【出願日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成19年度、防衛省、「2波長赤外線センサ(その1)」試作研究請負契約、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
【出願人】(390014306)防衛省技術研究本部長 (169)
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】
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