【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】光電変換機能を有するｐｎ接合の逆方向電流がショットキ接合の逆方向電流ほど大きくならない技術を提供をする。
【解決手段】光電変換機能を有するｐｎ接合と電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、電界効果トランジスタのソースが接続されているｐｎ接合の１方の半導体領域が他方の半導体領域に対してゼロまたは逆バイスとなる電位となった場合に、電界効果トランジスタが導通するゲート電位を供給することにより、２つの異なる導電型の半導体領域のいずれかに光が照射されても、ｐｎ接合が深い順方向電圧にバイアスされないよう飽和制御する。 （もっと読む）

【課題】
低暗電流で、高速かつ高利得な光通信用アバランシェフォトダイオード及びそれを用いた受信機を提供する。
【解決手段】
光吸収層４と増倍層７を有するアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層４と増倍層７が結晶面に対して平行方向(基板１上方において水平方向)に空間的かつ電気的に分離して配置し、光吸収層４と増倍層７間を導電性配線により電気的に接続することで、増倍層７の薄膜化が可能となり、さらに光吸収層４と増倍層７は高品質の結晶から形成されるため、アバランシェフォトダイオードの低暗電流化、高速化かつ高利得化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止する
ことのできるＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板
を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニン
グされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状
態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用い
たイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】機器の性能を従来よりも向上し得る光電変換素子、光検出器及び太陽電池を提供する。
【解決手段】Geからなる光電変換層５の表面にGeO₂膜１０を形成し、光電変換層５及びGeO₂膜１０間の界面準位密度を10¹²[eV^-1cm^-2]以下としたことにより、光電変換層５の暗電流を低減させたり、或いは、表面再結合を抑制し得、光電変換機能を用いた各種機器の性能を従来よりも向上し得る。 （もっと読む）

【課題】プロセスばらつきによる色分離特性への影響を軽減することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により得られる信号を出力する第１導電型の第１半導体層及び第３半導体層と、電位供給手段から電位が供給される第２導電型の第２半導体層及び第４半導体層とを有し、第１半導体層と第２半導体層と第３半導体層と第４半導体層とが順に並んで配された光電変換装置にて、第２半導体層と第４半導体層とを電気的に分離し、第２半導体層に供給される電位と第４半導体層に供給される電位とは互いに独立して制御されるようにして、互いの第２導電型の半導体層の電位を独立に制御し、プロセスばらつきによる色分離特性への影響を軽減できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】暗電流値が小さい等のＳＮ比が高く、長期に亘って安定した光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１０４、電子ブロッキング層１１４、光電変換層１１２、上部電極１０８および封止層１１０が、この順で積層された光電変換素子１００の製造方法であり、光電変換層上に、スパッタ法により透明導電酸化物を０．５Å／ｓ以上の成膜速度で成膜し、応力が−５０〜−５００ＭＰａである上部電極を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜１５と、導電性膜１１と、透明導電性膜１５と導電性膜１１との間に配置された光電変換層１２および電子ブロッキング層１６Ａとを有する光電変換素子１０ａであって、光電変換層１２が、ベンゼン環を少なくとも５個以上含み、総環数が７個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からＲａ₁〜Ｒａ₉の少なくとも１つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点（Ｔｇ）が２００℃以上である化合物Ａを含有する。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 暗電流が補償でき、かつ、安価な量子ドット型光検出装置を提供する。
【解決手段】 量子ドット２４ｃを利用した量子ドット型光検出装置１０Ａであって、複数の量子ドット２４ｃを含んで、入射した赤外線を吸収することにより光電流を出力する光検出ユニット２０Ａと、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射するか否かを制御するシャッタ装置１２と、を備えて、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射する場合に出力される第１の電流と、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射しない場合に出力される第２の電流との差分に基づき光電流の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜３上には、金属電極４、パッド電極５が形成される。金属電極４は、Ｐｄ層４ａ上にＡｕ層４ｂが積層された多層膜構造を有している。金属電極４は、半透明電極として機能する。金属電極４上にはパッド電極５が形成されている。基板１の裏面には金属電極４に対向するように、裏面電極６が形成される。ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】メサ側面のリークが増大することを防止し、長期間にわたって安定的な半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子３０１は、基板１と、基板１上に複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の層が積層された四角錐台状のメサ１５と、メサ１５の上面及び側面を覆うＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のパッシベーション層７と、を備える。メサ１５は、上面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１００｝結晶面であり、側面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１１０｝結晶面であることを特徴とする。 （もっと読む）