【課題】電流−電圧特性が正側と負側で確実に非対称になり、障壁電圧を向上させるダイオード特性を示し、更には発電電力を増大できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１１に導電層２０を積層し、その上にランダムな周期の周期構造３３を多数含む金属ナノ構造３０を積層する。一対の電極４１，４２を導電層２０上に互いに離して設ける。一対の電極４１，４２のうち第１電極４１と導電層２０との間に極性確定層５０を介在させる。好ましくは、極性確定層５０を、厚さ１ｎｍ未満の絶縁体にて構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成り暗電流の低減された受光素子及びエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３と、基板３上に設けられた受光層７と、受光層７に接して設けられ、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる拡散濃度分布調整層９と、拡散濃度分布調整層９に接して設けられ、拡散濃度分布調整層９よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、Ｐ元素を含有する窓層１１と、を備え、窓層１１と拡散濃度分布調整層９との接合面から窓層１１内に延びる所定領域内のｎ型のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以上１×１０^１9ｃｍ^−３以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有すると共に、経時変化による変換効率の低下を抑制した光電変換素子を提供する。
【解決手段】陽極と陰極と、陽極と陰極の間に光電変換層と、を含み、光電変換層が、少なくとも、電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）を含有する混合層を有し、混合層の最も陽極側部分の電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）の重量混合比（Ｐ／Ｎ）が、３よりも大きく、混合層のＰ／Ｎが、陽極側から陰極側に向かって小さくなっている、光電変換素子。 （もっと読む）

単一の独立した個別増幅器を用いることによる、又は入力信号を個別に増幅される個別成分に分散させることによる、光又は電気入力信号の検出のためのシステム及び方法を提供する。入力信号は、９５０ｎｍより長い波長における光吸収プロセスの結果又は低レベル電気信号とすることができる。個別増幅器は、非ゲートモードで降伏領域内又はそれを越えたバイアス電圧を受けながら動作可能なアバランシェ増幅器であり、入力信号検出及び増幅半導体層にモノリシックに統合された複合誘電体フィードバック層を含む。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができ、応答速度の低下を防止できる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に前記一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が酸化珪素SiOx(0<x<2)と、該酸化珪素よりも電子移動度の高い材料とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる光半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２と、窓層及び倍増層であるｎ型ＩｎＰ層１３（第１導電型半導体層）とが順番に積層されている。選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。ｎ型ＩｎＰ層１３及びｐ型ＩｎＰ領域１４の上面は表面保護膜１５により覆われている。ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面にカソード電極１６（第１電極）が接続されている。ｐ型ＩｎＰ領域１４の上面に、輪っか状のアノード電極１７（第２電極）が接続されている。アノード電極１７を囲むように低電圧電極１９が配置されている。この低電圧電極１９にはカソード電極１６よりも低い電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にすることなく、高エネルギーでイオン注入を行っても、結晶欠陥を防止することができ、暗電流を抑えられる個体撮像装置の製造方法を提供できる。
【解決手段】半導体基板にフォトダイオード層をイオン注入により埋め込み形成する工程と、このフォトダイオード層上にシールド層をイオン注入により埋め込み形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法のうち、少なくともシールド層を形成するイオン注入工程において、このイオン注入工程期間に少なくとも１回以上のイオン注入工程休止期間を設けることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高速の光信号を受信することができるフォトダイオードと、その平均の出力あるいは高速信号の存否を検出できる感度の高い応答速度の低いフォトダイオードを組み合わせた複合フォトダイオードデバイスを与えること。
【解決手段】 高速の光信号を受信するために、受光面の狭い寸法の小さい小フォトダイオードと、信号の平均の強度を検出するために広い受光部の大きい寸法を有する大フォトダイオードを持ち、それぞれのカソード、アノード電極は独立で絶縁されており、大フォトダイオードにも小フォトダイオードにも光信号が当たるようにし、それぞれで受光できるようにする。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる量子ドット型光検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中間層４上に、ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット５が形成されている。中間層４上で量子ドット５の間の領域には、真性ＡｌＡｓからなるＡｌＡｓ層６が形成されている。ＡｌＡｓ層６の厚さは、量子ドット５の高さよりも小さい。更に、量子ドット５上に、真性ＡｌＳｂからなるＡｌＳｂ層７が量子ドット５の表面に倣って形成されている。また、ＡｌＡｓ層６及びＡｌＳｂ層７を覆う中間層４が形成されている。この中間層４も真性ＧａＡｓからなる。量子ドット５、ＡｌＡｓ層６、ＡｌＳｂ層７及びこれらを覆う中間層４から光吸収単位層が構成されている。そして、このような光吸収単位層が更に９層積層されている。従って、総計で１０層の光吸収単位層が設けられている。なお、薄いＡｌＡｓ層６が量子ドット５とＡｌＳｂ層７との間に介在していてもよい。 （もっと読む）

【課題】横型フォトダイオードの高速応答性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１１の上方に、活性領域１３，１４と、互いに基板表面と平行な方向に並べて配置されたｐ型領域１５およびｎ型領域１６とを備えてなる横型構造のフォトディテクタ１０において、前記活性領域１３，１４を、互いに基板厚さ方向に積層されてｐｎ接合を構成するｎ層およびｐ層から形成するとともに、この活性領域の基板側に、基板側から活性領域側へのキャリア移動を阻止するバリア層１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】受光部の内部抵抗を増加させることなく、特に、４０５ｎｍ帯の青色波長における受光感度が向上可能な受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子２０であって、半導体基板１と、この半導体基板上に設けられて受光領域Ａとこの受光領域で受光した光を電荷に光電変換する光電変換部とを有する半導体層２と、半導体層上に受光領域を覆うように設けられた光透過性を有する絶縁層３と、絶縁層上の受光領域に対応する範囲に設けられた光透過性を有する電極部６と、半導体層における受光領域の外側に設けられて光電変換部で光電変換された電荷を取り出す電荷取り出し電極１０と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】青色レーザのような短波長光の受光素子として高感度・高速応答の光半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型ｐの第１半導体層３の表面の一部を、第２導電型ｎのチャネル層１０に反転させる反転手段９を備え、第１半導体層３とチャネル層１０とで形成されるｐｎ接合面を受光領域とするフォトダイオード２０を備えたことを特徴とする光半導体装置を用いる。反転手段は、第１半導体層３の表層部に設けられた第２導電型ｎの第２半導体層５と；第１半導体層３の表層部に設けられ、第１半導体層３と第２半導体層５との間に逆バイアス電圧が印加された時に第２半導体層５に接して第１半導体層３の表面にチャネル層１０を形成されるチャネル領域３０と；チャネル領域３０上に設けられた絶縁体膜６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を提供する。
【解決手段】第一電極１１と、第一電極１１に対向する第二電極１３と、第一電極１１と第二電極１３との間に形成された光電変換層１２とを含む光電変換部を有する光電変換素子１００であって、第一電極１１又は第二電極１３と光電変換層１２との間に、光電変換層１２の表面の凹凸を緩和する平滑層１０４を設けた。 （もっと読む）

【課題】 受光感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されるウェル領域１２と、ウェル領域１２内に形成されるフォトダイオード層２１と、ウェル領域１２上のフォトダイオード層２１に隣接し、ゲート酸化膜１７と半導体材料１８との積層構造である読み出しゲート電極１５と、読み出しゲート電極１５の側部に形成されるドレイン層２０を備える。そして、フォトダイオード層２１側の半導体材料１８の一部が、ドレイン層２０側の半導体材料１８の一部よりも薄いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードの検出電圧を高めること。
【解決手段】 フォトダイオードの基板内に、カソードと対面し、空乏層の下端に接する埋込酸化物を設ける。埋込酸化物は空乏層を形成する電荷の影響により分極し、コンデンサとして作用する。これによって、空乏層が形成するコンデンサと埋込酸化物によるコンデンサが直列接続され、接合総容量Ｃｓが減少する。光電荷Ｑｐは一定であるため、式（３）（Ｖｓ＝Ｑｐ／Ｃｔ）により光検出電圧Ｖｓが増大する。光検出電圧Ｖｓの増大によりフォトダイオード１のＳＮ比を向上させることができる。また、埋込酸化物は、酸素原子のイオン注入などにより容易に形成することができるため、低コストでフォトダイオードを製造することができる。 （もっと読む）

画素セルであって、シリコン基板の中のフォトセンサと、前記フォトセンサの上に備えられ且つ前記シリコン基板との格子界面を有する酸化層と、を有する。および格子界面を有する画素セルを製作する方法。
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第1の電極と、第2の電極と、特性吸収波長λ₁を有する第1の光活性領域と、特性吸収波長λ₂を有する第2の光活性領域とを有するデバイスを提供する。光活性領域は、第1の電極と第2の電極の間に配置されており、さらに、第1の光活性領域の方が第2の光活性領域より反射層に近くなるように、反射層の同じ面に配置されている。光活性領域を含む材料は、λ₁とλ₂が少なくとも約10%異なるように選択することができる。このデバイスは、個々の光活性領域の有機アクセプタ材料に隣接して、有機アクセプタ材料と直接接触して配置された励起子阻止層をさらに含むことができる。ここで、カソードに最も近い励起子阻止層以外の各励起子阻止層のLUMOは、アクセプタ材料のLUMOより最大で約0.3eV大きいだけである。
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