【課題】応答速度及び効率を向上させることができる裏面入射型半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰ層２、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ層４が順に設けられている。アンドープＩｎＰ層４の一部にＺｎドープのｐ型不純物拡散領域５が設けられている。ｎ型ＩｎＰ層２とｐ型不純物拡散領域５がＩｎＧａＡｓ光吸収層３を介してｐｎ接合する部分が、ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面から入射した入射光を受ける受光部９である。平面視で受光部９を囲うようにｎ型ＩｎＰ基板１の裏面に溝１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる不純物濃度の埋め込み層を有する半導体装置を短時間かつ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に第１の酸化膜１１を形成する第１の酸化膜形成ステップと、フォトダイオードが形成される第１の領域に形成された前記酸化膜の一部を除去して第１の間隔で第１の開口部を形成すると共に、トランジスタが形成される第２の領域に形成された前記酸化膜を除去して前記半導体基板の表面を露出させる第１の開口部１２を形成ステップと、前記第１の酸化膜をマスクとして利用して前記第１の開口部及び前記第２の領域に対して第１の不純物を注入する第１の不純物注入ステップと、前記第１の不純物を熱拡散させる第１の熱拡散ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】所定の波長付近の電磁放射の検出用の裏面照射型検出器を提供する。
【解決手段】その検出器は、透明媒体の上方に形成されて、その放射の少なくとも一部を透過させる半導体吸収層（１４）と、半導体層（１４）の上方のミラー（２２）と、ミラー（２２）と半導体層（１４）との間に配置された金属パターン（２０）の周期格子（１８）とを含む。ミラー（２２）及び格子（１８）は、その放射に対して透明で、半導体層（１４）の上に形成された物質層（１６）の中に含まれる。ミラー（２２）及び格子（１８）は、ｄ≦λ／Ｒｅ（ｎ_１）、λ／（１６×Ｒｅ（ｎ_２））＋ｍ×λ／（２×Ｒｅ（ｎ_２））≦ｈ≦３×λ／（８×Ｒｅ（ｎ_２））＋ｍ×λ／（２×Ｒｅ（ｎ_２））、Ｒｅ（ｎ_２）≦１．３×Ｒｅ（ｎ_１）、Ｒｅ（ｎ_１）≧Ｒｅ（ｎ_{ｓｕｂｓｔｒａｔ}）を満たす。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備えている。フォトゲート電極ＰＧは、光入射面１ＦＴ上に設けられる。第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、フォトゲート電極ＰＧに隣接して設けられる。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から裏面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のボディ領域側で発生した、迷光等による余分なキャリアのフォトダイオードへの影響を排除または十分に抑圧する。
【解決手段】半導体基板は、ｐ型のボディ領域１０と半導体層１２とを有する。第２のフォトダイオードＰＤ２が半導体層１２に形成されている。第１のフォトダイオードＰＤ１が、半導体層１２内でＰＤ２の基板深部側に形成されている。電位障壁層（ＰＢＬ１１）は、第１のフォトダイオードＰＤ１とボディ領域１０との間に形成された、より高濃度なｐ型半導体領域であり、ボディ領域１０に対し電位障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ、高速応答性能を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体受光素子１は、入力部１２１と、第一出力部１２２と、第二出力部１２３とを含み、入力部１２１から入力した光を偏光分離せずに、入射光よりも強度の低い光に分岐して、第一出力部１２２、第二出力部１２３から出力する光分波器１２と、第一出力部１２２からの光を伝播させる第一光導波路１３Ａと、第二出力部１２３からの光を伝播させる第二光導波路１３Ｂと、第一光導波路１３Ａの光射出側端面、第二光導波路１３Ｂの光射出側端面に接続された半導体光吸収層１４２とを備える。第一光導波路１３Ａからの光は、第二光導波路１３Ｂからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層１４２に入射する。 （もっと読む）

【課題】新たに工程を追加せずに側面容量を低減することでコストパフォーマンスに優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体層と、前記第一導電型の半導体層上に形成された第二導電型の半導体層とを備える半導体基板を有し、前記第二導電型の半導体層上の受光領域に入射された光を電流に変換する光半導体装置であって、前記第二導電型の半導体層の上面から当該第二導電型の半導体層を貫通して前記第一導電型の半導体層と接するよう形成された第一導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に設けられた前記電流を取り出すための第一の電極と、前記第二導電型の半導体層上で、かつ前記第一の電極から離れた位置に設けられた前記電流を取り出すための第二の電極と、前記第二導電型の半導体層上で、かつ前記第一の電極と前記第二の電極との間の領域に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第三の電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのカソードをｎ型の埋め込み層で構成した新規な構造の光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、ｎ型の表面領域１８と、表面領域１８の下に形成されたｐ型領域ＰＲと、ｐ型領域ＰＲの下に形成されたｎ型の埋め込み層１０とを含む。表面領域１８、ｐ型領域ＰＲおよび埋め込み層１０によって埋め込み型のフォトダイオードＰＤが構成される。表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合フォトダイオードの外周に高抵抗半導体層を形成したメサ型半導体受光素子では、再成長界面とｐ型層もしくはｎ型層が直接、接触する構造となっており、高抵抗半導体層でメサ側壁の欠陥や界面順位が低減されていても、完全に除去することは難しくリークパスの要因となる。また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。
【解決手段】ｐ型領域と高抵抗半導体層の間にｉ型層を有することで埋め込み界面を流れる表面リーク電流を低減する事ができ、暗電流の少ない受光素子半導体受光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】珪素系ＰＩＮ−ＰＤの暗電流を減らすため、ＰＩＮ−ＰＤのＩ層を挟むＰ層、またはＮ層に炭素を加えバンドギャップを大きくし、Ｉ層からの暗電流を抑える方法では、炭化珪素と珪素とでは２５％程度格子定数が異なっており、珪素中に炭素を添加することで大きな応力が生じ、この応力により欠陥が発生し暗電流が増える。また、側面からのリークを下げるのみでは、暗電流を抑制は限定的なものとなる。
【解決手段】ＡｌＮｄを用いたＰＩＮ−ＰＤ１０の第１導電層２０をエッチング液で処理しテクスチャー構造を作り、さらにこの工程で生成されたＡｌＮｄ酸化物を下バリア層２１として用いる。この際、第１半導体層２２と第１導電層２０との間はＦＮ電流により電荷が伝達される。ＦＮ電流が少ない黒状態では下バリア層２１の微分抵抗は高く、暗電流の通過を阻止する。白状態では微分抵抗は低くなり、光電流は通過するので、画像のＳＮ比が上がる。 （もっと読む）

【課題】引張歪による直接エネルギーギャップＥ_０の縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム粒子と、前記ゲルマニウム粒子の周囲を覆って、前記ゲルマニウム粒子を埋め込む埋め込み層を具備し、前記埋め込み層が、前記ゲルマニウム粒子の３つの結晶軸方向夫々に於いて、引張歪を前記ゲルマニウム粒子に発生させていること。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素が微細化されても光電変換部での飽和電荷量を確保する。
【解決手段】固体撮像装置において、ポテンシャルＩの形状が主に縦方向に電荷を蓄積する形になる光電変換部２１１を有する。 （もっと読む）

【目的】受光感度の向上、動作の高速化およびノイズの低減を併せて実現する光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された受光素子２と、半導体基板１上に形成され、受光素子２に隣接して配置された光吸収素子４と、半導体基板１上に形成された信号処理用の半導体素子３とを備えている。また、光吸収素子４は第５の半導体層２９を有しており、受光素子２の光吸収領域の構成と光吸収素子の光吸収領域との構成とは異なっている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、低消費電力で高速動作が可能な光検出装置を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に形成された光導波路と、これを囲むように形成された光吸収領域と、この光吸収領域の上部に形成された第１の電極と、前記光吸収領域の下部または両側部に形成された第２の電極と、を備えることを特徴とする導波路型光検出装置。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型固体撮像素子の光利用効率の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１の表面部に複数の画素２２が二次元アレイ状に形成され半導体基板１の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を画素２２が蓄積する裏面照射型固体撮像素子１００において、半導体基板１の裏面側に反射防止膜２７を積層する。反射防止膜２７を設けることで、半導体基板１の光入射面における入射光の反射率を抑制でき、光利用効率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】分割部の直下及び分割部直下周囲に空乏層を広げて分割フォトダイオードの応答速度を向上させる。
【解決手段】本実施の形態の分割フォトダイオードは、光を受光する受光領域が平面視において複数個に分割される分割フォトダイオードである。この分割フォトダイオードは、Ｐ型基板１０９と、Ｐ型基板１０９上に形成されたＰ型エピタキシャル層１０１と、Ｐ型エピタキシャル層１０１上に形成されたＮ型エピタキシャル層１０３と、Ｎ型エピタキシャル層１０３内にＰ型エピタキシャル層１０１と離隔して設けられ、受光領域を分割するＰ型分割領域１０７と、を備え、印加される逆バイアス電圧によってＰ型分割領域１０７とＰ型エピタキシャル層１０１との間に位置する分割部直下Ｎ型領域１０６に形成された空乏層（第１の空乏層）が、Ｎ型エピタキシャル層１０３とＰ型エピタキシャル層１０１との接合面に形成される空乏層（第２の空乏層）に達することによって受光領域が電気的に分離されるように構成されている。 （もっと読む）

半導体構造を製造する方法を開示する。方法は、誘電体層に少なくとも１つのトレンチを形成して、半導体基板の一部を露呈させる工程と、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に、シリコンゲルマニウムバッファ層を形成する工程と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上にゲルマニウムシード層を形成する工程と、ゲルマニウムシード層の上にゲルマニウム層を形成する工程とを備える。さらに半導体構造を開示する。半導体構造は、半導体基板と、半導体基板の上に形成される誘電体層と、誘電体層に形成されて、半導体基板の一部を露呈させる少なくとも１つのトレンチと、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に形成されるシリコンゲルマニウムバッファ層と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上に形成されるゲルマニウムシード層と、ゲルマニウムシード層の上に形成されるゲルマニウム層とを備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低く抑えることができる新規の構造を採用した信頼性の高いメサ型のアバランシェホトダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】光を吸収してキャリアを発生する光吸収層と、発生したキャリアを増倍する増倍層と、光吸収層と増倍層の間に挿入された電界調整層とを有し、増倍層の少なくとも一部と電界調整層の一部を含む第一のメサ（台地）が基板上に形成され、更に電界調整層の他の一部と光吸収層を含む第二のメサが第一のメサ上に形成される。第一のメサの頂部の面積は、第二のメサの底部の面積よりも大きく、第一のメサの頂部の第二のメサに覆われない面と第二のメサの側面に半導体層が形成される。 （もっと読む）