【課題】製造が容易で、良好な時間的および空間的なコヒーレンスを有し、高い実装密度を有する、バイスペクトル検出器を提供する。
【解決手段】第1の導電型の上側半導体層１８および下側半導体層１４のスタックであって、上側層１８および下側層１４の間の電位バリアを形成する中間層１６によって分離される、スタックと、第2の導電型の上側半導体領域６８および下型半導体領域６６であって、半導体領域６６が、少なくとも部分的に、上側層および中間層を通過する開口２２の底部に位置する、半導体領域６６，６８とからなる。上側層と下側層の少なくとも1つの上面が、半導体層６６，６８で全体が覆われる。半導体層６６，６８を形成するために、スタックの上面から、かつ半導体層６６，６８の少なくとも厚みを通って、各単位検出要素の周囲で切り欠き６２が作られ、半導体層６６，６８が、半導体層１８，１４の一方またはもう一方の全体を覆う。 （もっと読む）

【課題】バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２の電磁波スペクトルを吸収し、バリアを形成する中間層（１６）によって離される第１導電型の上部（１８）及び下部（１４）の半導体層と、上部（１８）及び下部層（１４）に注入され、それぞれが上部層（１８）及び中間層（１６）を通り抜ける開口部（２２）の底部に少なくとも部分的に注入される第２導電型の半導体区域（４４）と、半導体区域（４４）に接続された導体要素（２８，３０，３２，３４）と、を備えるバイスペクトル検知器を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。
【解決手段】所定の結晶軸方向に平行な方向に、マスクパターンの最大長とする複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチング速度が等価なサイドエッチングを行うことによって、マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を具備し、かつ簡易に製造できる半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型の半導体基板２０１上に、半導体メサ１２０と、少なくとも半導体メサ１２０の側壁を覆う半導体層１０７ａが少なくとも形成されている。半導体メサ１２０は、光吸収層１０４と、ｐ型のコンタクト層１０６を少なくとも有する。半導体基板１０１の主面は、＜０１−１＞方向を軸として、（１００）面に対して回転角θだけ回転した結晶面であり、その回転角θは０．１°≦｜θ｜≦１０°である。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ４０５ｎｍ近傍の短波長の光に対して安定した高感度を有する、フォトダイオードを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩデバイスを含み、且つ貫通電極を有するＷ−ＣＳＰ構造の半導体装置において、パッケージサイズの拡大や製造プロセスの変更を伴うことなくＳＯＩ基板のシリコン基板層の電位固定を行うことができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板層と表面に半導体素子が形成された半導体層との間に絶縁層を有するＳＯＩ基板と、半導体基板層の表面に絶縁膜を介して設けられて半導体素子に電気的に接続された少なくとも１つの外部端子と、を含む半導体装置であり、絶縁膜を貫通し、半導体基板層に電気的に接続された導電膜からなるコンタクト部と、半導体基板層の表面上に絶縁膜を介して設けられてコンタクト部に接続された電位固定用電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】応答の線形性が良く、量子効率が高い光半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｎ型ＩｎＰ層１２ａは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより大きく、入射光を吸収しない。一方、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収する。ｎ型ＩｎＰ層１２ａの光学層厚はｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂの光学層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】受光感度の低下を防止することができるＵＶセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の半導体層内に形成された低濃度Ｎ型領域と、前記低濃度Ｎ型領域と接してこれとＰＮ接合を形成する低濃度Ｐ型領域と、を前記低濃度Ｎ型領域及び前記低濃度Ｐ型領域の各々よりも高濃度の高濃度Ｎ型領域及び高濃度Ｐ型領域によって挟んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ光を照射することなく半導体ＵＶセンサに所定の波長及び強度のＵＶ光を照射した場合に生じ得る光電流の大きさを推定することを目的とする。
【解決手段】半導体ＵＶセンサのＰＮ接合受光領域に並んで抵抗素子を形成する抵抗素子形成工程と、前記抵抗素子の抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、前記抵抗値測定工程の測定結果に応じて前記ＰＮ受光領域の膜厚を算出する膜厚算出工程と、前記膜厚算出工程の算出結果に応じて前記半導体ＵＶセンサに所定の波長及び強度のＵＶ光を入射した場合に生じ得る光電流の大きさを推定する光電流推定工程と、を有する光電流推定方法。 （もっと読む）

【課題】隣接する受光部７の間で光学的クロストークを生じることなく、また、受光部７を構成する材料の光の吸収係数および受光部７の長さに関わらず高感度な受光部７を備えた受光素子を提供する。
【解決手段】受光部７の底面に第１の反射膜３を配置し、表面に第２の反射膜８を配置し、側面に第３の反射膜１１を配置する。そして、第２の反射膜８に受光部７の表面を露出させる貫通孔１０を形成し、受光部７の表面側に受光部７の表面のうち露出されている部分に光を集めるように構成されたマイクロレンズ１３を配置する。このような受光素子によれば、マイクロレンズ１３により集められた光が受光部７の内部に入射されると第１の反射膜３、第２の反射膜８および第３の反射膜１１により反射されることで光を受光部７の内部に閉じ込めることができるので、受光部７を構成する材料や受光部７の長さに関わらず高感度な受光部７を備えた受光素子とすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程数が少ない方法により、レンズ表面に所望の大きさの凹凸を形成することを可能とする。
【解決手段】基体１１上にレンズ形成層１２を形成する工程と、前記レンズ形成層１２上にレンズ型１３を形成する工程と、前記レンズ型１３表面に、ナノ構造体１４を含む溶媒１５を塗布して該ナノ構造体１４を分布させる工程と、前記ナノ構造体１４および前記レンズ型１３の表面形状を転写するように、前記ナノ構造体１４、前記レンズ型１３および前記レンズ形成層１２をエッチングして、前記レンズ形成層１２で表面に凹凸を有するレンズ１６を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。
【解決手段】所望の長波長特性を実現しつつ、暗電流が少なく、かつ、十分な感度を有する赤外線検知器を提供する。中間層と、中間層よりバッドギャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体を有し、積層体に赤外線を照射した際に生じる光電流を検出することにより赤外線を検出する赤外線検知器において、量子ドット層の一方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第１の障壁層と、量子ドット層の他方の側に設けられ、中間層よりもバンドギャップが広い第２の障壁層とを更に有する。 （もっと読む）

【課題】受光素子への不要な光の浸入を防止することで、半導体装置の特性ずれを防止することを主たる目的とする。
【解決手段】半導体基板２の表面には、ホトダイオードから成る複数の受光素子３が島状に形成されている。半導体基板１の表面には、受光素子３で変換された電気信号を増幅するためのトランジスタ素子（増幅素子）等から成る集積回路４が形成されている。半導体基板２の側面及び裏面全体は絶縁膜１０で被覆されている。絶縁膜１０上には、パッド電極６と電気的に接続された配線層１１が形成されている。配線層１１上には電極接続層１２及びバンプ電極１４が形成されている。各受光素子３は、垂直方向から見た場合にバンプ電極１４の領域よりも内側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイおよびその製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】ｎ型シリコン基板３の被検出光の入射面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成され、かつ入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線８がホトダイオード４について形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側に、ホトダイオード４の形成領域を被覆し、被検出光を透過する透明樹脂膜６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 （もっと読む）

【解決手段】金属・絶縁体半導体（MIS）フォトダイオードを有する集積された光電性デバイスは半導体材料の1つ以上の実質的に連続した層と、誘電性材料の実質的に連続した層とで構成される。
（もっと読む）

【課題】 フォトダイオード領域に到達する光の減衰を防止し、パシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善したCMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】 フォトダイオード領域上のパシベーション膜に対し、SOGあるいはレジストコーティング後にパシベーション膜の表面層をSOGあるいはレジストごとエッチバックすることによりパシベーション膜表面の凹凸を除去し、光学的に平坦化させるようにした。これにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止し、さらにパシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善した。 （もっと読む）

【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第１の素子と、第２の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第２の素子とを有し、前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】電荷捕獲中心となる電荷捕獲準位の密度を低くすることにより良好な特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、縦型ＭＯＳＦＥＴが形成されたシリコンカーバイド２、３、４と、シリコンカーバイド２、３、４の表面上に形成された酸化膜６と、シリコンカーバイド基板２、３、４と酸化膜６との間に形成され、かつシリコンからなる第１の要素と、炭素からなる第２の要素と、窒素、フッ素、硫黄およびセレンよりなる群から選ばれる１種以上を含む第３の要素との化合物を有する層５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感光度（photo sensitivity）を向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、フォトダイオードセルが形成された第１基板と、ロジック回路部が形成された第２基板と、フォトダイオードセルとロジック回路部とを電気的に連結させる連結電極とを含む。 （もっと読む）