【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】設計自由度を低下させることなく、感度の向上を図ることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子１は、入射光を表面プラズモンに変換する周期構造領域１ａと、周期構造領域１ａの外縁に沿うように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域１ｂと、周期構造領域１ａの内側に位置するように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１及び第２主面２１ａ，２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備え、表面入射型である。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成され、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】機器の性能を従来よりも向上し得る光電変換素子、光検出器及び太陽電池を提供する。
【解決手段】Geからなる光電変換層５の表面にGeO₂膜１０を形成し、光電変換層５及びGeO₂膜１０間の界面準位密度を10¹²[eV^-1cm^-2]以下としたことにより、光電変換層５の暗電流を低減させたり、或いは、表面再結合を抑制し得、光電変換機能を用いた各種機器の性能を従来よりも向上し得る。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】１画素１バンプを実現しながら、感度を向上させる。
【解決手段】センサ素子アレイを、第１波長帯に対する第１活性層８と第２波長帯に対する第２活性層９とを積層した構造を有し、縦横２つずつ配列された第１〜第４画素１０Ａ〜１０Ｄと、第１画素１０Ａの第１活性層と第２画素１０Ｂの第１活性層とに電気的に接続された第１バンプ６Ａと、第２画素の第２活性層に電気的に接続された第２バンプ６Ｂと、第１画素の第２活性層と第３画素１０Ｃの第２活性層とに電気的に接続された第３バンプ６Ｃと、第４画素１０Ｄの第１活性層に電気的に接続された第４バンプ６Ｄとを備えるものとし、第１〜第４バンプを、第１〜第４画素の上方にそれぞれ１つずつ設ける。 （もっと読む）

【課題】入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板１に形成されたＰＮ接合部４ａを有する受光素子４と、受光素子４を覆うＬＯＣＯＳ酸化膜５ａよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜としてのポリシリコン膜８と、透光性導電膜に接続され、ＧＮＤ電位に固定するための電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０と、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に設けられたｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられたＩｎＧａＡｓ層３２と、ＩｎＧａＡｓ層３２上に設けられたｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２と、により構成されるメサ３０と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられ、かつメサ３０の側面を覆うＩｎＰパッシベーション層４０と、を備えている。ＩｎＧａＡｓ層３２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と異なる材料により構成されており、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と同一の材料から構成されている。また、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２の層厚がＩｎＧａＡｓ層３２の層厚の１／３以下である。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタンスおよびインダクタンスの両方を抑制することができる半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 半導体受光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、第１導電型領域および第２導電型領域を備え、上面および側面を有する半導体受光素子と、前記上面において、前記第１導電型領域と電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型領域に電気的に接続された第２電極と、前記半導体受光素子の前記上面および側面を覆う絶縁膜と、前記第１電極と接続され、前記上面および側面の前記絶縁膜上を経て前記基板上にまで延在して設けられた引出配線と、前記半導体受光素子の上面あるいは側面に位置し、前記基板上における前記引出配線の第１の幅よりも狭い前記引出配線の第２の幅の領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばら
つきのない光電変換装置を得ることを課題とする。光電変換装置を有する半導体装置にお
いて、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極と
の間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバ
ーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、
前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端
部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 （もっと読む）