入射光のための開口部（１６）を備え、倍増層（７）、電界制御層（８）、吸収層（１０）を含む、多数の種々の半導体層を前記開口部から下方に備え、前記吸収層が光を吸収するようになっている表面光入射型アバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）であって、前記開口部から前記吸収層（１０）を通過したフォトンを反射し、前記吸収層に戻すように配置されている少なくとも１つのブラッグミラー（１４）が前記吸収層（１０）の下に存在することを特徴とする、表面光入射型アバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）。
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【課題】容易且つ高精度に製造することができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光検知器の一態様には、下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層２と、活性層２上方に形成された上部電極３と、上部電極３上方に形成された回折部４と、回折部４を覆う反射膜５と、が設けられている。回折部４には、複数の量子ドットが結合して構成された複数の結合ドット４ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。
【解決手段】受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。III−Ｖ族化合物半導体受光素子１１では、ＩｎＰ層２３は不純物としてアンチモンを含むと共に、ＩｎＰ層２３にはｎ型ドーパントとしてシリコンが添加されている。ＩｎＰ層２３中のアンチモン不純物は正孔を生成するように作用するけれども、この生成キャリアをＩｎＰ層２３中に添加されたシリコンが補償して、ＩｎＰ層２３の第２の部分２３ｄは十分なｎ導電性を示す。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成る暗電流の低減された半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３ａ上にＳｂ元素を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第１の半導体層２ａを形成する工程と、第１の半導体層２ａを形成した後に、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第２の半導体層１０ａを第１の半導体層２ａ上に形成する工程とを備え、第１の半導体層２ａを形成する工程は、第１の半導体層２ａに含まれており基板３ａとの界面から所定の厚みを有する第１の層の形成を第１の温度のもとで行った後に、第１の半導体層２ａのうち第１の層を除いた第２の層の形成を第１の温度よりも高い第２の温度のもとで行い、第２の半導体層１０ａを形成する工程は、第２の半導体層１０ａに含まれており第１の半導体層２ａとの界面から所定の厚みを有する第３の層の形成を第２の温度のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】暗電流および劣化を抑制可能な半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体受光素子の製造方法では、第１導電型半導体基板を用意する工程と、第１導電型半導体基板上に、第１導電型層、光吸収層、拡散バッファ層、および第２導電型層をこの順に含んだ半導体層を形成する工程と、前記拡散バッファ層および前記第２導電型層において、外周の一部または全部を除去することにより内周を受光部として残す第２導電型層除去工程と、前記第１導電型層の形成後かつ前記光吸収層の形成前に、アバランシェ増倍層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ−ＩｎＰ基板４０１と、Ｐ−ＩｎＰ基板４０１に格子整合し、かつ、ｐ型の不純物が注入されたｐ−ＺｎドープＩｎＰバッファ層４０２と、ｐ−ＺｎドープＩｎＰバッファ層４０２よりも上層にあって、Ｐ−ＩｎＰ基板４０１に格子整合し、かつ、ｐ型不純物、ｎ型不純物のいずれか一方を含むｎ−ＳｉドープＩｎＰクラッド層４０４、ｎ−ＳｉドープＩｎＧａＡｓキャップ層４０５と、を備え、ｎ−ＳｉドープＩｎＰクラッド層４０４、ｎ−ＳｉドープＩｎＧａＡｓキャップ層４０５に、Ｓｂを含ませる。 （もっと読む）

【課題】 多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の量子井戸を５０ペア以上有する多重量子井戸構造３を形成する工程を備え、その多重量子井戸構造３の形成工程では、全有機金属気相成長法（全有機ＭＯＶＰＥ法）により、多重量子井戸構造を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側面２３と、メサの上面２４における少なくとも当該メサの肩の部分（肩部２５）とは、それらの上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により連続的に被覆されている。半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を具備し、かつ簡易に製造できる半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型の半導体基板２０１上に、半導体メサ１２０と、少なくとも半導体メサ１２０の側壁を覆う半導体層１０７ａが少なくとも形成されている。半導体メサ１２０は、光吸収層１０４と、ｐ型のコンタクト層１０６を少なくとも有する。半導体基板１０１の主面は、＜０１−１＞方向を軸として、（１００）面に対して回転角θだけ回転した結晶面であり、その回転角θは０．１°≦｜θ｜≦１０°である。 （もっと読む）

【課題】信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。
【解決手段】基本接合構造を、素子上部から、ホールのエミッタ層兼窓層として機能する正孔輸送型の有機半導体薄膜であるp^*(n^*)型有機半導体薄膜と、低キャリア濃度且つ高抵抗の無機半導体層であるｉ型無機半導体光電変換層と、p(n)型無機半導体コレクタ層とからなるp^*-ｉ-p(n^*-ｉ-n)対称接合構造として、数Ｖから数十Ｖの直流あるいは交流のバイアス電圧を印加する有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって、第１の光電変換部と第２の光電変換部との近接、及び第２の光半導体素子に対する気密封止を実現することができる光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出器１では、低抵抗Ｓｉ基板３、絶縁層４、高抵抗Ｓｉ基板５及びＳｉフォトダイオード２０によって、凹部６内に配置されたＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する気密封止パッケージが構成されており、低抵抗Ｓｉ基板３の電気通路部８及び配線膜１５によって、Ｓｉフォトダイオード２０及びＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する電気的配線が達成されている。そして、Ｓｉフォトダイオード２０のｐ型領域２２がＳｉ基板２１の裏面２１ｂ側の部分に設けられているのに対し、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０のｐ型領域３２がＩｎＧａＡｓ基板３１の表面３１ａ側の部分に設けられている。 （もっと読む）

集積フォトニック・デバイスに対する側壁光検出器及びそれらの製造の方法。実施形態は、マルチモード・ファイバーのスポット・サイズを適合するように十分に大きい領域を有する基板半導体機能の側壁に形成されたp-i-n積層膜を含む。実施形態は、第2側壁光検出器に導波路によって結合された第1側壁光検出器を含み、その第1側壁光検出器は、第1側壁に入射する光の第1波長を吸収し、第2波長を吸収するように調節されたi層を有する第2側壁光検出器に第2波長の光を通過させるように調節されたi層を有する。
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【課題】安価で、効果的な臨界制御で製造することのできる単純かつ効果的なアバランシュ・フォトダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層とを備える。さらなる実施形態は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層に電気的に結合されたｐ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速かつ高感度な面型フォトダイオードを提供するものである。
【解決手段】電極用金属膜と誘電体多層膜から構成される反射ミラーにおいて、誘電体多層膜と金属膜からの反射光の位相を合わせるように誘電体膜の最適化をすることでミラーの高反射率化を図る。この高反射ミラーを用いて、面型フォトダイオードの高速化と高感度化の両立を図る。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る赤外線検出素子１は、基板２と、第１のＰＮ接合部９と第２のＰＮ接合部１０とが交互に並ぶように基板２の一方の側の主面Ａに沿って線状に延在すると共に、主面上で隣り合う部位が溝１５によって仕切られたＰＮ半導体層３と、第１のＰＮ接合部９が一方の側に露出するように第２のＰＮ接合部１０の一方の側に設けられ、第２のＰＮ接合部９を短絡させる中間電極４と、ＰＮ半導体層３の両端部Ｅ１，Ｅ２に設けられ、一方の側からの赤外線の入射によって第１のＰＮ接合部９で発生した電荷による電位の変化を出力するための端子電極５，６と、を備える。 （もっと読む）

単一の独立した個別増幅器を用いることによる、又は入力信号を個別に増幅される個別成分に分散させることによる、光又は電気入力信号の検出のためのシステム及び方法を提供する。入力信号は、９５０ｎｍより長い波長における光吸収プロセスの結果又は低レベル電気信号とすることができる。個別増幅器は、非ゲートモードで降伏領域内又はそれを越えたバイアス電圧を受けながら動作可能なアバランシェ増幅器であり、入力信号検出及び増幅半導体層にモノリシックに統合された複合誘電体フィードバック層を含む。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ、高速応答性能を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体受光素子１は、入力部１２１と、第一出力部１２２と、第二出力部１２３とを含み、入力部１２１から入力した光を偏光分離せずに、入射光よりも強度の低い光に分岐して、第一出力部１２２、第二出力部１２３から出力する光分波器１２と、第一出力部１２２からの光を伝播させる第一光導波路１３Ａと、第二出力部１２３からの光を伝播させる第二光導波路１３Ｂと、第一光導波路１３Ａの光射出側端面、第二光導波路１３Ｂの光射出側端面に接続された半導体光吸収層１４２とを備える。第一光導波路１３Ａからの光は、第二光導波路１３Ｂからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層１４２に入射する。 （もっと読む）

【課題】メサ上に再成長される半導体層によるメサの被覆性を、工程の追加を行わずに向上させることができるようにする。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面である。メサの少なくとも側壁１１２は、その上に成長された、第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により被覆されている。メサの下端部における斜面の傾斜角度θ１よりも、メサの上端部における斜面の傾斜角度θ３の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】増倍率が低い状態においても、光吸収層内で発生した電子の、光吸収層と電界調整層の界面への蓄積が抑制され、素子破壊に至る光信号強度を増加させることが可能な光吸収層を有するアバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュールの提供。
【解決手段】電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 （もっと読む）