【課題】結晶性に優れたIII族窒化物の受光層を形成することのできる半導体積層構造、及びこれを用いた紫外線センサーを提供する。
【解決手段】所定の基材３上において、III族窒化物下地層４と、少なくともGaを含むIII族窒化物層５とを順次に積層し、その上にInおよびAl、あるいは一方を含むIII族窒化物からなるAlyInxGa1-x-yN受光層６を設けた半導体積層構造１、及びこれを用いて表面にショットキー電極７s、およびオーミック電極７oを形成させて紫外線センサー２を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＳｂ基板上に形成された、表面性状の良好なＭＱＷを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ＧａＳｂ基板１の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷ３を有し、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来のエピ構造に断面Ｖ型の分離溝を追加形成することで光学的クロストークを抑制可能な受光素子アレイを提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１は、第１導電型の半導体基板２と、この半導体基板２の表面側に形成した第１導電型の受光層４と、この受光層の表面側に形成した第１導電型の窓層５と、この窓層を貫通して受光層の表面側に突入する状態に形成され且つ１次元的または２次元的な配列として離隔状に形成された複数の第２導電型領域６と、これら複数の第２導電領域６の表面の少なくとも一部に夫々設けた複数の第１電極７と有し、複数の第２導電型領域６からなる複数のアレイが形成する複数のアレイ間領域に、少なくとも前記窓層５と受光層４を貫通する深さの表面側に開放された断面Ｖ型の第１分離溝１０を夫々設けている。 （もっと読む）

【課題】応答歪を低減し、かつ受光感度の低下を抑えることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。窓層１８のバンドギャップエネルギーは、光吸収層１６のバンドギャップエネルギーよりも大きい。光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１乃至第４角部を備えた矩形であり素子周縁部１１を画定する半導体基板１０上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２と、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４４と、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とが順次積層されると共に、少なくともｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とからなるメサ構造を有し、半導体基板１０の中心部よりも第１角部２４に寄せて設けられた受光部４０と、半導体基板１０上に設けられ、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層に電気的に接続するｎ電極パッド１２と、第１角部２４と対角に位置する第２角部２６の近傍の半導体基板１０上に設けられ、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６に電気的に接続するｐ電極パッド１４と、を具備し、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１は、ｎ電極パッド１２と素子周縁部１１との最短距離Ｙ２に比べて長い半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたｎ型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成されたアンドープの半導体からなる増倍層１０３と、増倍層１０３の上に形成されたｐ型の半導体からなる電界制御層１０４と、電界制御層１０４の上に形成された半導体からなる光吸収層１０５と、光吸収層１０５の上に形成されたｐ型の半導体からなる第２半導体層１０６と、第２半導体層１０６の上に形成された第１電極１０７と、第１半導体層１０２に形成された第２電極１０８とを少なくとも備える。電界制御層１０４は、Ｓｂを含む化合物半導体から構成されてＣを不純物として導入することでｐ型とされている。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子等、光学センサ装置、および半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板の上に位置するＭＱＷの受光層３と、受光層の上に位置するコンタクト層５と、コンタクト層の表面から受光層にまで届くｐ型領域６と、ｐ型領域にオーミック接触するｐ側電極１１とを備え、ＭＱＷを、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）層と、ＧａＡｓ_１−ｙＳｂ_ｙ（０．２５≦ｙ≦０．７３）層とを対とする積層構造として、ＧａＡｓ_１−ｙＳｂ_ｙ層の中において、ＩｎＰ基板側の部分のＳｂ組成ｙを、反対側の部分のＳｂ組成ｙよりも大きくすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの接続段数の増加を抑えながら、より大きな出力電圧を得ることができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線エネルギーを電気信号に変換して取り出す赤外線センサ１において、赤外線エネルギーを電気信号に変換する受光部２、受光部２が赤外線エネルギーを受光したことによって励起された電荷に対してローレンツ力を加えるように作用する磁場を発生させる磁石７、磁性体６、リードフレーム３を設け、磁石７、磁性体６、リードフレーム３によって電荷の移動する方向と直交する方向にローレンツ力を加える。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。
【解決手段】所定の結晶軸方向に平行な方向に、マスクパターンの最大長とする複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチング速度が等価なサイドエッチングを行うことによって、マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電流及び素子抵抗をともに大きくできるようにすること。
【解決手段】本発明の赤外線センサ１００は、第１の光吸収層１０３及び第２の光吸収層１０６によって吸収された赤外線を光電流に変換するＰＮダイオードをトンネル接合によって直列接合させた構造である。半導体基板１０１上に設けられた第１のｎ型化合物半導体層１０２と、その上に設けられた第１の光吸収層１０３と、その上に設けられた第１のｐ型ワイドバンドギャップ層１０４と、その上に設けられた第２のｎ型化合物半導体層１０５と、その上に設けられた第２の光吸収層１０６と、その上に設けられた第２のｐ型ワイドバンドギャップ層１０７と、その上に設けられたｐ型キャップ層１０８と、第１のｎ型化合物半導体層１０２上及びｐ型キャップ層１０８上に電極１１０，１０９を備えている。 （もっと読む）

【課題】反射層を備える下面入射型の半導体受光素子における反射層における性能の劣化が抑制できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された半導体からなる光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０４と、第２半導体層１０４の上の周辺部に接して形成された第１電極１０５と、第１半導体層１０２に形成された第２電極１０６と、第１電極１０５の内側の第２半導体層１０４の上に誘電体層１０８を介して形成された金属からなる反射層１０９とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】超高速動作に適した、受光感度の高い「光通信用フォトダイオード」を提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトダイオードは、半絶縁性基板１上に、ｐ形電極層２、半導体光吸収層３、４、半導体光吸収層３、４よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する電子走行層５、ｎ形電極バッファ層６、及びｎ形電極層７が順次積層され、半導体光吸収層３、４及び電子走行層５が第１のメサ構造を形成し、ｎ形電極バッファ層６及びｎ形電極層７が第２のメサ構造を形成し、ｐ形電極８と、ｎ形電極９とを有する。半導体光吸収層３、４は積層方向にドーピングプロファイルを有し、動作状態において、半導体光吸収層３、４にｐ形の中性を保つ領域が存在し、少なくとも電子走行層５とｎ形電極バッファ層６との両層が接する部分が空乏化し、第２のメサ構造の形状とドーピング構造で決まる電界分布により、第１のメサ構造内に活性領域が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度の光が入力されても、応答性の低下が抑制できるようにする。
【解決手段】例えばＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された半導体からなる光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０５と、第１半導体層１０２に形成された第１電極および第２半導体層１０５に形成された第２電極とを少なくとも備える。光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードをより低いバイアス電圧で動作させても、より高い感度が得られるようにする。
【解決手段】電子走行層１０３の上に形成された第１導電型の半導体からなる電界制御層１０４を備える。第１半導体層１０２，電子走行層１０３、電界制御層１０４、および第２半導体層１０７は、光吸収層１０５を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、電子走行層１０３および光吸収層１０５は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４、および第２半導体層１０７よりも不純物濃度が低い状態とされている。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面に２層からなる保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 特に微弱光（もしくは光子）の検出信号のＳ／Ｎ比を向上させることができる半導体受光素子、および、それを用いた半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 光信号を電気信号に変換するフォトダイオード層１３が、光吸収層１３３と、増倍層１３１と、これらに挟まれた電界緩和層１３２とを含み、
増倍層１３１において、第一増倍層１３１ａと、これに隣接する第二増倍層１３１ｂとが、電界緩和層１３２側から前記順序で積層され、
第一増倍層１３１ａ内に含まれる材料のバンドギャップの最小値をＥｇ１_ｍｉｎ、第二増倍層１３１ｂ内に含まれる材料のバンドギャップの最大値をＥｇ２_ｍａｘ、第二増倍層１３１ｂ内に含まれる材料のバンドギャップの最小値をＥｇ２_ｍｉｎとしたとき、Ｅｇ１_ｍｉｎ≧Ｅｇ２_ｍａｘかつＥｇ１_ｍｉｎ＞Ｅｇ２_ｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする半導体受光素子。 （もっと読む）

【課題】
高速、高感度並びに入力光に対する光学位置合わせトレランスの大きな面入射型フォトダイオードを提供する。
【解決手段】
面入射型フォトダイオードにおいて、光吸収層４の上下に接しているクラッド層５、３の少なくとも光の入力側にある当該クラッド層３の形状が入力光１１の進行方向に対して層の幅が狭くなるテーパー状とし、光吸収層４の接合面積よりクラッド層３の受光面積を大きくする。これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 （もっと読む）