【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体受光素子をより高耐入力化できるようにする。
【解決手段】第２電極１０９は、ｐ型電極接続層１０７に接して形成されたチタンからなる第１金属層１２１と、第１金属層の上に接して形成されて白金より高い融点の高融点金属であるモリブデンからなる第２金属層１２２とを少なくとも備えて構成されている。本実施の形態では、第２電極１０９は、第１金属層１２１、第２金属層１２２に加え、第２金属層１２２の上に接して形成されたチタンからなる第３金属層１２３と、第３金属層１２３の上に接して形成された白金からなる第４金属層１２４と、第４金属層１２４の上に接して形成された金からなる第５金属層１２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第１層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】受光部を作製した後の作業において受光部が破壊されることを抑制される、表面入射型半導体受光素子、これを備える光受信モジュール及び光トランシーバの提供。
【解決手段】ＰＮ接合となる第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体多層構造を有するメサ型受光部と、前記メサ型受光部を含む保護領域の少なくとも一部を囲う、保護メサ部と、が半導体基板上に形成される表面入射型半導体受光素子であって、前記保護メサ部は、前記メサ型受光部の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のいずれにも電気的に接続されていない、非接続メサ部を含む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０と、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に設けられたｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられたＩｎＧａＡｓ層３２と、ＩｎＧａＡｓ層３２上に設けられたｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２と、により構成されるメサ３０と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられ、かつメサ３０の側面を覆うＩｎＰパッシベーション層４０と、を備えている。ＩｎＧａＡｓ層３２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と異なる材料により構成されており、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と同一の材料から構成されている。また、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２の層厚がＩｎＧａＡｓ層３２の層厚の１／３以下である。 （もっと読む）

【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。アンドープＩｎＰ窓層６の一部にｐ型不純物領域８が設けられている。直線状ｐ側電極９がｐ型不純物領域８上に配置されてｐ型不純物領域８に接続されている。直線状ｐ側電極９は、ｎ型ＩｎＰ基板１の主面に対向する平面視において直線状である。 （もっと読む）

【課題】電気的及び光学的なクロストークを抑制しつつ、比較的安価なレンズを用いても高い受光感度を得ることができる半導体受光装置を得る。
【解決手段】Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上に、互いに電気的に分離された４個の受光素子２ａ〜２ｄが設けられている。各受光素子２ａ〜２ｄにおいて、Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓ導電層、ｎ型ＩｎＰ導電層、光電変換するｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、及びｉ型ＩｎＰ窓層が順に積層されている。ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。導電層の一部は、ｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層と同じ材料で構成されている。４個の受光素子２ａ〜２ｄの受光部９の全てが同一直線上に配置されてはいない。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、ｐ型コンタクト層の抵抗を低減し、より広帯域な特性が実現できるようにする。
【解決手段】アンチモンを含むｐ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されて基板１０１の上に形成されたｐ型コンタクト層１０２と、Ｓｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されてｐ型コンタクト層１０２の上に形成された光吸収層１０３とを備える。また、ｐ型コンタクト層１０２は、炭素を不純物として導入することでｐ型とされている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流が補償でき、かつ、安価な量子ドット型光検出装置を提供する。
【解決手段】 量子ドット２４ｃを利用した量子ドット型光検出装置１０Ａであって、複数の量子ドット２４ｃを含んで、入射した赤外線を吸収することにより光電流を出力する光検出ユニット２０Ａと、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射するか否かを制御するシャッタ装置１２と、を備えて、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射する場合に出力される第１の電流と、光検出ユニット２０Ａに赤外線が入射しない場合に出力される第２の電流との差分に基づき光電流の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタンスおよびインダクタンスの両方を抑制することができる半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 半導体受光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、第１導電型領域および第２導電型領域を備え、上面および側面を有する半導体受光素子と、前記上面において、前記第１導電型領域と電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型領域に電気的に接続された第２電極と、前記半導体受光素子の前記上面および側面を覆う絶縁膜と、前記第１電極と接続され、前記上面および側面の前記絶縁膜上を経て前記基板上にまで延在して設けられた引出配線と、前記半導体受光素子の上面あるいは側面に位置し、前記基板上における前記引出配線の第１の幅よりも狭い前記引出配線の第２の幅の領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】受光部とメサ部との間に樹脂膜が埋め込まれる構造であっても、入射光に対する光学的な影響を低減することが可能な半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部１６と、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に受光部１６に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなるダミーメサ部２０ａ（電極接続部）と、受光部１６の側面、ダミーメサ部２０ａの側面、および受光部１６とダミーメサ部２０ａとの間のｎ型ＩｎＰ基板１０を覆う第１絶縁膜２６と、第１絶縁膜２６上の受光部１６とダミーメサ部２０ａとの間を埋め込む樹脂膜２８と、受光部１６の上面と直接接し、かつ樹脂膜２８を覆う第２絶縁膜３０と、を備える半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】耐入力性を低下させることなく装荷型フォトダイオードの応答速度を向上させる。
【解決手段】下部クラッド層１０７，コア層１０６，上部クラッド層１０５は、対象とする光を吸収しない範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成され、コア層１０６および上部クラッド層１０５の不純物導入量は、第１半導体層１０２と第２半導体層１０３との間への電圧印加により、光吸収層１０４が形成されている領域における一部のコア層１０６および上部クラッド層１０５が空乏化する範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】それぞれ異なる結晶面（ファセット）を有する結晶粒から成る多結晶もしくは微結晶窒化物半導体（以後単に多結晶窒化物半導体）を基体としており、各結晶粒のファセットがランダムになることを利用した、もしくはその構造を制御することを特徴とした半導体電子素子とする。 （もっと読む）