【課題】
【解決手段】量子井戸検出器の実装を提示する。一実施形態では、量子構造は、第１の障壁層、第１の障壁層上に配置される井戸層、および井戸層上に配置される第２の障壁層を備える。金属層は、この量子構造に隣接して配置される。表面プラズモン共鳴による結合を利用して光検出器の効率を高める本発明の実施形態が説明されている。いくつかの実施形態は、電磁スペクトルのＵＶまたは青色部分に適している。 （もっと読む）

【課題】メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。
【解決手段】基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。基板１１上に配置された水平配線１９ａとフォトダイオードのアノードとなるｐ型高濃度層１２ｅとの層間を接続する配線１９ｄは当該壁面に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でガードリング構造を作り込むことのできるアバランシェフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】拡散によりｐｎ接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。拡散マスクを経てＺｎを窓層２０に拡散し、受光部とガードリングとを同時に形成する。拡散制御層と窓層とで拡散係数がほぼ等しい場合、単純に拡散制御層の厚さに相当する厚みが拡散フロントでの深さの差となる。 （もっと読む）

【課題】作製時の歩留まりが高く、且つ光導波路と半導体光素子との結合効率を高めることができる半導体集積光デバイス及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体集積光デバイス１Ａは、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、III−Ｖ族化合物半導体を含む光導波路１１０を有する半導体レーザ領域１０と、半導体レーザ領域１０と並んでｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、光導波路１１０と光学的に結合されｎ型ＩｎＰ基板３の主面に沿って延びる光導波路２１ａ〜２１ｅを有する光導波領域２０とを備える。光導波領域２０は、ｎ型ＩｎＰ基板３と光導波路２１ａ〜２１ｅとの間に設けられた下部クラッドとしての酸化シリコン層２３を更に有し、光導波路２１ａ〜２１ｅは、III−Ｖ族化合物とは異なる半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】暗電流があっても高いＳＮ比の信号もしくは鮮明な画像を得ることができる、小型化された近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に形成され、受光層３を有する１つまたは複数の受光素子と、近赤外光の入射側に位置する変調部５０と、後ろ側に位置する信号処理部７０とを備え、受光層３のバンドギャップ波長が、１．２μｍ以上３μｍ以下であり、変調部５０は、シリコンを主成分とするＭＥＭＳで形成されて、１つまたは複数の受光素子をカバーして、該受光素子と一体化しており、そして信号処理部７０は、受光素子の信号を読み出す信号読み出し回路、および当該受光素子からの信号を検出する信号検出部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バイアスＴを用いなくても、受光素子に印加するバイアスに変調信号を付加でき、小型かつ低コストの、変調バイアス動作可能な受光装置等を実現できる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子は、導電性半導体基板６、光信号を電気信号に変換する半導体層から形成された受光部、前記受光部で変換した電気信号を外部に取り出す電気信号取出用電極（２、３）および変調信号入力用電極５を有し、
前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）が、基板６の上に形成され、
変調信号入力用電極５が、基板６の上の前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）とは別の場所に、電気信号取出用電極（２、３）と絶縁状態で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の低減に基づいた低暗電流と素子容量の低減による高速応答及び高い受光感度を備えたｐｉｎ型受光素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ等からなる半導体基板２０上に、ＳｉドープしたＧａＩｎＡｓからなるｎ型半導体層３０、アンドープＧａＩｎＡｓからなるｉ型半導体層３１及びＺｎドープＧａＩｎＡｓからなるｐ型半導体層３２が順次積層されており、ｉ型半導体層３１及びｐ型半導体層３２の周囲はメサ型に形成されており、そのメサ部の周囲にはパッシベーション半導体層４０を有している。さらに、ｐ型半導体層３２のメサ中央部の受光領域の厚みｈ２は、その周囲の厚みｈ１よりも薄くなっている。このような構造のｐｉｎ型受光素子では、低い暗電流特性を保持しながら、空乏層容量が低減し応答速度が格段に向上する。さらに、ｐ型半導体層３２での光吸収が低減され、受光感度も大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】長波長帯に対応可能な受光感度を有し、かつ、暗電流のばらつきの少ない半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半絶縁性のFeドープInP基板１上にSnドープｎ型InPバッファ／コンタクト層２と、アンドープInGaAsSb光吸収層４と、Beドープｐ型InGaAs／Beドープｐ型InGaAsPコンタクト層５とが順次積層されてなる構造を備えた半導体受光素子において、光吸収層４とコンタクト層５との境界面の面積を3.14×10²μｍ²以上7.85×10³μｍ²以下とした。 （もっと読む）

【課題】高速応答性に優れ、かつ外部電源が必要ない、半導体受光素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体受光素子は、ｐ型導波路１０１ａと、導波路１０１ｂと、ｎ型導波路１０１ｃからなる第１のｐｉｎ構造有する導波路領域１０１を備える。
また、導波路領域１０１上に、クラッド層１０２ａと、光吸収層１０２ｂと、コンタクト層１０２ｃからなる第２のｐｉｎ構造を有し、導波路領域１０１よりも電気容量が小さい光吸収領域１０２を備える。導波路領域１０１の最上層であるｎ型導波路１０１ｃと、クラッド層１０２ａとは電気的に接続されている。そして、導波路１０１ｂで発生した光起電圧により、光吸収層１０２ｂに電界が生じる。 （もっと読む）

【課題】小型で持ち運びやすく、設置場所に制限されず、かつ低電圧で動作できる装置が実現可能となる、フォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法を提案する。
【解決手段】任意の光の波長スペクトルを検出する方法であって、光電変換素子であるフォトダイオードを用いて、前記フォトダイオードから得られる光電流値（もしくは光電流に起因した電圧値）を用いて、前記フォトダイオードに、予め波長と光電流値が判明している比較用の光を入射させたときの光電流値を検出し、前記フォトダイオードに前記任意の光を入射させたときの光電流値と数式２に基づいて、前記任意の光の波長スペクトルを検出する。 （もっと読む）

【課題】 小型化しながらＩｎバンプによる画素ごとの接続に伴う問題を解決し、かつフォトダイオードと読み出し回路の接続部周辺に高い応力を生じない、光検出装置を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ型センサーチップ５０には画素ごとに画素電極１１が設けられ、また、読み出し回路７０には、金属突起の読み出し電極７１が設けられ、受光素子アレイ型センサーチップの画素電極と読み出し回路の読み出し電極とを画素ごとに導電接続する異方性導電フィルム６０を備え、異方性導電フィルム６０が、受光素子アレイ型センサーチップと信号読み出し回路との間を充填して、受光素子アレイ型センサーチップと読み出し回路とを接着していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特異な電子特性を利用して、極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を非常に広い周波数範囲で正確に測定することができるテラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化層が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられた２次元グラフェン１４、導電性のソース電極１５、及びドレイン電極１６と、半導体チップの裏面に密着して設けられたゲート電極１７とを備える。２次元グラフェン１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続されている。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のＳＤ電圧Ｖ１を検出するＳＤ電圧検出回路１８と、ゲート電極に可変ゲート電圧Ｖ２を印加するゲート電圧印加回路１９と、２次元グラフェンに可変磁場Ｂを印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】短絡などを生じた欠陥画素が存在したとしても、その周囲に異常な出力電流が出力される領域が拡がらないようにして、イメージセンサの生産性を向上させる。
【解決手段】イメージセンサを、第１光伝導体型素子６と第２光伝導体型素子８とを含む複数の画素１と、第１光導電体型素子６及び第２光導電体型素子８に接続された出力電極１２Ｂと、複数の画素１のそれぞれに含まれる第１光導電体型素子６に接続された共通電極１２Ｃと、出力電極１２Ｂと共通電極１２Ｃとの間に設けられ、動作時に流れる電流の方向と逆向きの電流が流れるのを阻止する整流素子７Ａ，７Ｂとを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子は、Ｎ型のＩｎＡｓからなる半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ１Ｓｂ_１−Ｘ１を含むバッファ層２，３，４と、バッファ層２，３，４上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ２Ｓｂ_１−Ｘ２からなる光吸収層５と、光吸収層５上に形成されたＩｎＰＳｂからなるキャップ層６とを備えている。組成比Ｘ１は、組成比Ｘ２よりも大きく、組成比Ｘ１は、半導体基板１から光吸収層５に近づくに従って段階的に減少しており、キャップ層６の表面から光吸収層５内にＰ型不純物が添加されてなる。なお、半導体基板１としてＩｎＳｂを用いた場合には、組成比の関係は逆となる。 （もっと読む）

【課題】発光装置および受光装置をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０３は分離溝３００によって発光領域１００と受光領域２００とに分離され、活性層１０６のうちの少なくとも一部は利得領域１４０を構成し、利得領域は第１側面１０５に設けられた第１端面から第１側面に設けられた第２端面まで連続しており、第１端面から第２端面までの間に利得領域に生じる光を反射させる反射面を有し、反射面にはミラー部１７０が設けられ、第１端面から延びる第１部分１４２および第２端面から延びる第２部分１４４は第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、第１部分に生じる光の一部は反射面において反射して第２端面から出射され、第２部分に生じる光の一部は反射面において反射して第１端面から出射され、利得領域に生じる光の一部はミラー部を透過し、受光領域の半導体層１０３は透過した光を受光する。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で、近赤外域の光を波長によらず一様に透過することができ、安定して高い製造歩留りを得ることができる、近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明の近赤外イメージセンサ１００は、波長１．２μｍ〜３μｍに受光感度をもつ受光素子アレイおよび信号読み出し回路のマルチプレクサを備え、筐体に収納されたセンサであって、真空封止されていて、筐体の本体部１の蓋部をなすリッド３が、波長１．２μｍ〜３μｍに透明な材料で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性InP基板上に作製する特性の優れた光半導体装置を提供することが課題である。
【解決手段】 導電性InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用いるか、Ru-InP基板或いはFe-InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用い、半導体層の積層順を基板側からｎ型半導体層／量子井戸層／ｐ型半導体層の順とする。 （もっと読む）