【課題】 画素を構成するスイッチング素子及び光電変換素子の絶縁膜の膜厚を個別に設定することによる各素子の特性の向上を目的とする。
【解決手段】 光電変換装置は、基板１００上に、光電変換素子１０１とスイッチング素子１０２とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する。スイッチング素子１０２は、基板１００側から、ゲート電極２０５、第１の絶縁層３０１ａ、第２の絶縁層３０２ａ、半導体層３０３ａの順に配置された構造体を有する。光電変換素子１０１は、第１の絶縁層３０１ａ上に、基板１００側から、下部電極２０１、第２の絶縁層３０２ａ、半導体層３０３ａの順に配置された構造体を有する。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザ部および光検出部を含む光素子に関して、信頼性の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る光素子１００は、面発光型半導体レーザ部１４０と、面発光型半導体レーザ部の上方に形成された少なくとも１つの分離部２０と、分離部の上方に形成された光検出部１２０と、を含み、面発光型半導体レーザ部は、第１ミラー１０２と、第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、活性層の上方に形成された第２ミラー１０４と、を含み、光検出部１２０は、第１コンタクト層１１１と、第１コンタクト層の上方に形成された光吸収層１１２と、光吸収層の上方に形成された第２コンタクト層１１３と、を含み、分離部は、第２ミラーとは異なる導電型の第１分離層２２と、第１分離層の上方に形成され、第１コンタクト層および第１分離層とは異なる導電型の第２分離層２４と，を含む。 （もっと読む）

【課題】層にクラックが発生することを抑制できる光電変換装置及び光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換装置２００は、光電変換素子１０２と、マイクロレンズ１０９と、平坦化膜１０８と、透明膜２１０とを備える。マイクロレンズ１０９は、入射光を光電変換素子１０２に集光させる。平坦化膜１０８は、光電変換素子１０２とマイクロレンズ１０９との間に配置されている。透明膜２１０は、マイクロレンズ１０９及び平坦化膜１０８を覆うように配置されている。透明膜２１０は、第１開口２１０ａを有する。平坦化膜１０８は、貫通孔１０８ａを有する。貫通孔１０８ａは、第１開口２１０ａに整合している。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロルミネッセント素子を提供する。
【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は画素素子からなる。画素素子は、制御領域と感知領域を有する基板と、制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、感知領域に配置され、フォトセンサーを発光させるOLED素子と、フォトセンサーと駆動装置に結合されるキャパシタと、からなる。特に、フォトダイオードがOLED素子がフォトダイオードに照射する光線を感応することにより、OLED素子の輝度に対応するフォト電流が生成され、キャパシタの電圧はフォト電流により調整されて、駆動装置を経る電流を制御し、OLED素子の輝度を変化させる。OLEDの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２と対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間に形成された光電変換層３とを有し、下部電極２と上部電極４との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子１００であって、上部電極４を光入射側の電極とし、上部電極４が透明電極であり、下部電極２が光の反射機能を有する金属電極である。 （もっと読む）

【課題】 多波長量子井戸型赤外線検知器に関し、長短両波長に対して最適な構造の光結合器を構成して長短両波長に対する検出感度を向上する。
【解決手段】 感度波長が異なる複数の多重量子井戸構造光吸収層１，２を積層して１画素で複数の波長帯に対して感度を有するとともに、赤外光入射面の反対側の素子表面に設けた段差パターン５からなる光結合器構造４を備えた多波長量子井戸型赤外線検出装置の段差パターン５の段差の高い部分の素子表面上にのみ相対的に長波長光だけを透過し相対的に短波長光を反射する性質を持つフィルタ材６を設けるとともに、フィルタ材６を含む段差パターン５の全面に入射光を全て反射する膜を設け、段差パターン５の底面から反射が起こるフィルタ材６あるいは反射膜１０までの材料中の光路長を反射を起こす光の波長のおおよそ１／４とする。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能であり、かつ、設置位置、形状および大きさが良好に制御された光学部材を含む受光素子およびその製造方法、ならびに該受光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子１００は、受光面１０８上に設けられた土台部材１１０と、土台部材１１０の上面１１０ａ上に設けられた光学部材１１１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】暗電流を少なくすることで画質が良く、生産効率の良い光電変換素子、この光電変換素子を用いた撮像装置及び放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】Ｉ型半導体の両側が電極で挟まれて成る光電変換素子において、前記電極の一方が前記Ｉ型半導体をＮ型半導体にするドーパントを含み、該ドーパントの移行により形成されるＮ型半導体層を有する構成、及び、前記電極の他方が前記Ｉ型半導体をＰ型半導体にするドーパントを含み、該ドーパントの移行により形成されるＰ型半導体層を有する構成、の少なくとも一方の構成を有する。 （もっと読む）

【課題】部品点数が少なく且つ複雑な調整工程を必要とすることなく偏波多重光信号を出射可能な面発光レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】面発光レーザ装置は、１枚の基板に形成された発光部１１Ａ、発光部１１Ｂ、発光部１１Ｃ及び発光部１１Ｄの４つの発光部からなる。各発光部はそれぞれ、独立した上部電極を備えており、互いに独立して駆動することができる。発光部１１Ａにおける開口部４５の配列方向に対して、発光部１１Ｂ、発光部１１Ｃ及び発光部１１Ｄのそれぞれにおける開口部４５の配列方向は、時計回り方向に４５度、９０度及び１３５度回転した方向となっている。これにより、発光部１１Ａからの出射光に対して発光部１１Ｂでは４５度、発光部１１Ｃでは９０度及び発光部１１Ｄでは１３５度回転した直線偏光方向を有する光をそれぞれ得ることができる。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが数十μｍ以上の比較的大きな受光素子を用いる場合でも、良好な集光性能が得られる小型のマイクロレンズを搭載できるようにして、良好な感度が得ることができるリニアイメージセンサを得ることを目的とする。
【解決手段】ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。これにより、画素サイズが数十μｍ以上の比較的大きな受光素子２−１〜２−Ｎを用いる場合でも、良好な集光性能が得られる小型のマイクロレンズ（凸型レンズ形状のマイクロレンズ）を搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】配線が形成される回路部が受光部に隣接して形成される光検出器において、受光部への入射光を透過する開口部の底面の膜厚が不均一となる。
【解決手段】基板上に積層した第１層間絶縁膜９２の回路部に対応する領域をエッチバックして、受光部における第１層間絶縁膜９２の表面を高くする。その上に、第１Ａｌ層９４を積層しパターニングして、回路部に配線を形成する。第１Ａｌ層９４のパターンが形成されない受光部に、第１Ａｌ層９４の膜厚に応じた高さの第１層間絶縁膜９２の凸部が存在することで、その上に積層される第２層間絶縁膜９６の表面が平坦に形成される。これにより、基板上に積層される上部構造層が受光部近傍にて平坦となり、この上部構造層をエッチバックして受光部に形成する開口部の底面も平坦性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを低減させることが可能になるとともに、製造過程において、配線部の上面に導電性の汚れなどが付着しても、フォトダイオードの容量を増加させず、その感度が低下するのを防ぐ。
【解決手段】 画素領域１１内の第１導電型の第１半導体領域１０ａと、この第１半導体領域１０ａ内に設けられ、信号電荷を蓄積する第２導電型の第２半導体領域１２と、この第２半導体領域１２、および画素領域１１の外部に設けられた回路素子を接続する配線部１３、１４と、この配線部１３、１４において画素領域１１内に位置する部分の上に、絶縁保護膜１５を介して設けられ所定の電位に保持される有機膜１６とを有する光電変換装置１０であって、有機膜１６は、導電性の粒子若しくは繊維を含む熱可塑性のポリイミド樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を提供する。
【解決手段】第一電極１１と、第一電極１１に対向する第二電極１３と、第一電極１１と第二電極１３との間に形成された光電変換層１２とを含む光電変換部を有する光電変換素子１００であって、第一電極１１又は第二電極１３と光電変換層１２との間に、光電変換層１２の表面の凹凸を緩和する平滑層１０４を設けた。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子の各フォトダイオードに至る光導波路を通る入射光の光強度がエバネッセント効果で減衰するのを回避する。
【解決手段】 半導体基板３０の表面に複数のフォトダイオード３２がアレイ状に配列形成され、半導体基板３０の表面に各フォトダイオード対応の開口を設けた遮光膜３８を備える固体撮像素子の製造方法において、半導体基板３０の表面に遮光膜３０を含む積層体３７，３９を積層し、積層体３７，３８，３９の各フォトダイオード対応位置に夫々スルーホール４１を開けて遮光膜３８に前記開口を形成し、各スルーホール４１の側壁面に等方的に所要厚さの低屈折率材料層４２を形成し、その後、各スルーホール内の残りの孔部分を高屈折率材料４５で埋めることで入射光を各フォトダイオード３２に導く光導波路４５を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、高感度で、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、入射した光を光電変換部に向けて突出した下凸形状の層内レンズを介して前記光電変換部に導くように構成された固体撮像素子であって、前記層内レンズは、前記光電変換部上に形成され、前記光電変換部により近接して設けられ、前記光電変換部上にのみ選択的に形成されたボトム部と、前記ボトム部上に形成されたトップ部とで構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大型化せずにキャパシタの容量を増大させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 電極パッド（５１〜５４）と、キャパシタ（６０）と、電極パッド（５１〜５４）およびキャパシタ（６０）が所定の領域に配置された基板（１０）とを備え、キャパシタ（６０）および電極パッド（５１〜５４）は、キャパシタ（６０）および電極パッド（５１〜５４）の各々の少なくとも２辺が所定の間隔で隣接する、平面上の配置関係を有し、キャパシタ（６０）は、キャパシタ（６０）の当該２辺を連結して電極パッド（５１〜５４）と対向する接続辺をさらに備え、接続辺と２辺の各々とがなすキャパシタの外側の角度は、９０度よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ全体に光が当たる光学系に用いるフォトダイオードについて、従来のＰＩＮフォトダイオードは光応答性の劣化を防ぐために受光面のみに光を照射しなければならず、光学系の位置合わせが困難であった。また、光学系の位置合わせを不要とするメサ型ＰＩＮフォトダイオードではメサの段差による断線不良が多かった。本発明は上記課題を解決するためになされたもので、光応答性を改善し、金属配線の断線不良が少ないＰＩＮフォトダイオード及び前記ＰＩＮフォトダイオードを利用した光受信装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＰＩＮフォトダイオードは受光面を所定の深さの溝で囲む構造とした。 （もっと読む）

【課題】 高い接合強度を有する光学部品を備える光半導体素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１０は、半導体基板２０上に形成されたフォトダイオード１１を備える。このフォトダイオード１１上には接合部１３が設けられており、その上部にマイクロレンズ１２が形成されている。接合部１３は、フォトダイオード１１上を開口する開口２４ａが形成されたコンタクト層２４と、開口２４ａの上方に開口２４ａの開口面積よりも小さな開口面積の開口２５ａが形成された電極２５とからなり、これら開口２４ａ，２５ａの内部にマイクロレンズ１２の一部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 金属配線への入射光の反射を利用してフォトダイオードへの入射光を増大させることで感度を向上させたセンサＩＣを提供することを目的とする。
【手段】 センサＩＣのフォトダイオードを囲むように金属配線を配置して金属配線で反射した斜め入射光をフォトダイオードへ入射させるようにした。また、絶縁膜による凹型の絶縁膜レンズにより斜め入射光をフォトダイオードに集光させるようにした。これによってフォトダイオードの集光が増え感度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】 微弱光についても高精度に検出することができ、２次元アレイ化にも対応可能な、高感度な光検出素子を提供する。
【解決手段】 光検出素子１は、光を吸収して光電子を発生する光電子発生体１０と、光電子発生体１０で発生した光電子の量に応じた電流が流れるトランジスタ３０とを備えた光検出素子であり、トランジスタ３０は、光電子発生体１０の表面に絶縁体２０を介して形成されたソース電極３１とドレイン電極３２とを有し、ソース電極３１とドレイン電極３２とが、導電性又は半導電性のナノチューブを含むチャネル部３３を介して接続されたものである。 （もっと読む）