【課題】 従来のものよりも受光部の光電変換特性を安定化させることができ、しかも、３板式のカラー撮像素子と同等の解像度及び色分解特性を得ることができるカラー撮像素子を提供すること。
【解決手段】 カラー撮像素子５０は、受光層１０と、受光層２０と、受光層３０と、透明性基板４０とを有し、受光層１０は、画素電極１１ａを含む信号読出回路１１と、受光した光の強度に応じた電荷を発生する光電変換部１２と、所定の電圧が印加される透明電極１３とを備え、受光層２０は、画素電極２１ａを含む信号読出回路２１と、受光した光の強度に応じた電荷を発生する光電変換部２２と、所定の電圧が印加される透明電極２３とを備え、受光層３０は、半導体基板３１と、光を受光する受光部３２と、電荷を転送する電荷転送電極３３と、電荷転送電極３３を遮光する遮光膜３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。


（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ_１Ａ、Ｒ_１Ｂはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｘ_１１、Ｘ_１２はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を表す。） （もっと読む）

【課題】 画素が微細化され、かつ、画像感度、色シェーディング、感度シェーディングが良好な、画像特性の良い固体撮像装置を実現するための固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜１０の表面のうち、ゲート電極６と、光電変換部３を保護する保護膜７とが重畳形成され、さらに、遮光膜９が形成されている部分には、面積が広く高さが高い凸部が現れる。層間絶縁膜１０の表面を平坦化するために、まず、この凸部上に開口２２を有するレジストパターン２１を形成する。そして、レジストパターン２１から露出した部分をドライエッチングして凸部の大きさを予め小さくしておいた後に、ＣＭＰ法で層間絶縁膜１０の表面を平坦化する。そして、平坦化後の層間絶縁膜１０上に光路変更レンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】増幅が多層半導体インテリジェント増幅器設計を通じて達成される増幅アバランシェ装置を提供する。
【解決手段】数個ほどの少ない電子で構成された弱い信号を検出するように配置された電極（２）及び（８）と、アバランシェ領域（３）と、量子化器（４）と、積算器（５）と、調整器（６）と、基板（７）とを含むアバランシェ増幅構造体（１）。量子化器（４）は、アバランシェ過程を調節する。積算器（５）は、信号電荷を蓄積する。調整器（６）は、積算器（５）を空にして量子化器（４）を制御する。アバランシェ増幅構造体（１）は、ノーマル量子化器リバースバイアス設計、ノーマル量子化器ノーマルバイアス設計、ラテラル量子化器ノーマルバイアス設計、可変量子化器ノーマルバイアス調節電極設計、ノーマル量子化器ノーマルバイアス調節電極設計、及びラテラル量子化器ノーマルバイアス環状積算器設計を含む。アバランシェ増幅構造体（１）は、同様に多チャンネル装置のアレイをもたらすように配置される。構造体は、自国防衛の極めて重要な装置に直ちに適用可能である。 （もっと読む）

イメージセンサ及びイメージセンサを形成する方法。イメージセンサは基板表面にピクセルセル（１００）のアレイを含む。それぞれのピクセルセルは光変換デバイス（１２）を有する。光子結晶構造を含む、少なくとも一つのマイクロ電子機械的システム（ＭＥＭＳ）構成要素（３３０）が、少なくとも一つのピクセルセル上に提供される。ＭＥＭＳに基づいた光子結晶構成要素（３３０）は支持構造（７）によって支持され、電圧の印加時において、電磁気的な波長が光変換デバイスに到達するのを選択的に許容するよう、構成される。このように、本発明に係るＭＥＭＳに基づいた光子結晶構成要素は、例えば色フィルタアレイのような従来のフィルタを代替するか、或いはその補完となりうる。 （もっと読む）

【課題】
従来、フォトダイオード又はフォトダイオードの樹脂封止体には空乏層に集光する為に反射面やレンズが備えられたが、反射面で反射した光の全てが空乏層に入射するわけでない。また、光を反射する性質を持たないフィラーをフォトダイオードの樹脂封止体に混合しており、フォトダイオードに入射する光が空乏層に到達できるとは限らない。
本願発明は上記課題を解決する為になされたもので、フォトダイオードに入射する光の一部をフォトダイオードの空乏層へ集光又は到達させることを目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成する為に、本発明は、フォトダイオードの基板又は半導体層に反射面を備えた。また、フォトダイオードを収容する筐体に拡散体を充填した。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の表面におけるダングリングボンドを効果的に終端化することにより界面準位を低減し、暗電流が少ない固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】基板１の表面に酸化シリコンからなる絶縁膜１８が形成されており、絶縁膜１８の直下に正孔蓄積層１５Ａが設けられたフォトダイオードである光電変換部１５が形成されている。光電変換部１５の一方の側部には読み出し部１６を介在させて垂直転送部２４Ａが形成されている。絶縁膜１８の上には、光電変換部１５の中央部の上部に開口部を有する、遮光膜２６が形成されている。遮光膜２６の上には開口部を埋めるように、シリコン酸窒化膜である透明絶縁膜３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング及び混色の発生と、フォトダイオードにおける最大電子数及び感度の減少とを同時に抑制し得る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部３２と、信号電荷を検出する信号検出部３３とが形成されたｎ型の半導体基板３０を備える固体撮像装置を用いる。光電変換部３２にフォトダイオード１２を備えておき、半導体基板３０に、光電変換部３２及び信号検出部３３と半導体基板３０の厚み方向において重なるｐウェル３１を形成する。ｐウェル３１は、最も表層側にある界面３１ａが、フォトダイオード１２の表層側の界面１６ａよりも下層に位置するように形成する。好ましくは、ｐウェル３１の不純物プロファイルがフォトダイオード１２の不純物プロファイルに重ならないようにする。このとき、フォトダイオード１２とｐウェル３１との間にはノンドープ領域５０が存在する。 （もっと読む）

【課題】 感度が高く、高度な色分離ができ、偽色がなく、リアルカラーを実現できる光電変換素子を得ること。特に、緑色光電変換層の感度を向上し、かつ色分離を良くして光電変換層の分光感度を改善した光電変換素子を得ること。
【解決手段】 素子の上部に、好ましくは有機の光電変換膜と、該光電変換膜が吸収する波長域（好ましくは緑）の光の反射率を増加させる光学薄膜とが設けられている、積層型光電変換素子とする。光電変換膜の厚みは、該光学薄膜の反射光による干渉効果によりその分光感度がシャープ化する厚みに設定されているとより好ましい。 （もっと読む）

半導体基板内に２次元状に配列された複数の受光手段と、前記受光手段に入射すべき波長の光のみを通過させる濾光手段と、入射光を遮断する遮光手段であって、前記複数の受光手段のそれぞれに対向する位置に開口を有する遮光手段とを備える固体撮像装置において、前記濾光手段は前記複数の受光手段と前記遮光手段との間に配設する。これによって、斜め光に起因する混色を防止する。
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シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造体に形成された比較的薄い（すなわちサブミクロンの）シリコン光導波路と共に使用される光検出器は、シリコン光導波路に沿って伝搬する光信号の少なくとも一部分と結合するように配設されたポリゲルマニウムの層を含む。この導波路構造体内に光信号をしっかりと閉じ込めることによって、ポリゲルマニウム検出器へ効果的にエバネセント結合することが可能となる。このシリコン光導波路は任意の所望の形状を取ることができ、ポリゲルマニウム検出器は導波路の一部分を被覆するか、または導波路の端部部分とバット・カップリングされるように形成される。導波路の一部分を被覆する場合、ポリゲルマニウム検出器は、検出器の両端にコンタクトが形成された状態で、光導波路の側面および上面を被覆する「巻き付け」形状を含み得る。
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【課題】 入射光の入射方向を精度よく検出でき、小型化が可能な新規な光センサを提供する。
【解決手段】 基板１０１と第１および第２の受光素子１０４ａおよび１０４ｂとを備える光センサであって、基板１０１上に基板１０１側から順に配置された第１および第２の層（半導体層１２３および１２４）を含む積層部１０２と、第１および第２の層を第２の層側に曲げることによって形成された少なくとも１つの起立部１０３ａおよび１０３ｂとを含む。第１の層の格子定数と第２の層の格子定数とは異なり、第１および第２の層は、第１および第２の層を含む複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられている。受光素子１０４ａは起立部１０３ａに形成されている。受光素子１０４ａの受光面と受光素子１０４ｂの受光面とが非平行となるように、受光素子１０４ａおよび１０４ｂが配置されている。 （もっと読む）

【課題】 過大な光入力による自身の破損を防止するとともに、光損失を抑えることの可能な受光素子を提供する。
【解決手段】 受光素子１０は、受光面１５と、受光面１５上に直接設けられ、粒径２０ｎｍ以下のＰｂＳｅナノ粒子を含有する薄膜１８を備えている。薄膜１８は光フューズとしての機能を有するので、受光素子１０は、過大な光入力による自身の破損を防止することができる。また、薄膜１８が受光面１５上に直接設けられているので、薄膜１８と受光面１５との間の光損失を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 単位画素の光電変換効率を向上させることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。これにより、画素内における光電変換部の電荷蓄積領域（面積）を増大できる。 （もっと読む）

【課題】 極微細構造の半導体突起構造に対して容易且つ正確に集光手段を設け、取り出し効率または集光効率を格段に向上させて信頼性の高い半導体光学素子を実現する。
【解決手段】 レンズ９及びバッファー層６をマスクとして半導体層３，５及び量子ドット層４をウェットエッチングし、バッファー層６よりも更に幅狭に、バッファー層６の下部に唯一つの量子ドット４ａが位置するまで幅狭となるように半導体層３の上部、半導体層５、及び量子ドット層４を細らせる。これにより、半導体突起構造１１が、レンズ９及びバッファー層６と自己整合的に形成される。 （もっと読む）

【課題】 集積化の容易な受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受光素子１００は，
基板１０１と、
基板１０１の上方に形成された第１コンタクト層１１２と、
第１コンタクト層１１２の上方に形成された光吸収層１１４と、
光吸収層１１４の上方に形成された第２コンタクト層１１６と、
第２コンタクト層１１６の上方に形成された集光レンズ１７０と、を含み、
光吸収層１１４および第２コンタクト層１１６のうちの少なくとも一方は、面方向に周期的な屈折率分布を有するフォトニック結晶領域１４０を有し、
フォトニック結晶領域１４０は、欠陥領域１４２を有する。 （もっと読む）

【課題】 集積化の容易な受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受光素子１００は，
基板１０１と、
基板１０１の上方に、順に積み重ねられた複数の受光部１１０，１５０と、
複数の受光部１１０，１５０のそれぞれを電気的に分離する分離層１３０と、
複数の受光部１１０，１５０のうちの最上の受光部１５０の上方に形成された光学部材１７０と、を含み、
各受光部１１０，１５０は、
コンタクト層１１２，１５２と、
コンタクト層１１２，１５２の上方に形成された光吸収層１１４，１５４と、
光吸収層１１４，１５４の上方に形成された他のコンタクト層１１６，１５６と、を含み、
光学部材１７０は、波長の異なる複数の光λ１，λ２の焦点を，各光吸収層１１４，１５４のうちの少なくとも２層の光吸収層１１４，１５４の内部に合わせる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び受光素子部を独立に変調信号を入力して駆動させることができ、かつ受光素子部が良好な高周波特性を有するようにすることができる電気光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板の発光素子部形成領域に形成されている発光素子部と、前記発光素子部形成領域以外の水平方向に設けられている受光素子部形成領域に形成されている光検出部と、前記発光素子部から前記光検出部にわたって、前記発光素子部が放出する光の一部を前記受光素子部へ導くように形成されている光導波路層とを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】 広い波長範囲にわたる光の強度情報を高密度に得ることができる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 積層される３つの半導体層１，２，３と、互いに隣接する上記３つの半導体層１，２，３の間に介設された絶縁層７と、上記３つの半導体層１，２，３のそれぞれに接続された電極１１，１２，１３と、この各電極１１，１２，１３に接続される回路２１，２２，２３とを備える。上記半導体層１，２，３のそれぞれにおいて光電変換によって発生した電荷を、それぞれの上記半導体層１，２，３ごとに独立して取り出すことができるので、入射光の波長範囲を区分して、この区分された範囲のそれぞれの光の強度情報を独立して計測することができる。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流が少なく、光感度の改善された、イメージセンサ等の光検出器を提供する。
【解決手段】半導体集積回路構造１００は、半導体基板３２０と一体的な光電素子１０８と、光電素子１０８の上に配置されたカバー誘電体層４１０と、カバー誘電体層４１０の上に配置されたレンズ形成誘電体層１１０ａとを含む。カバー誘電体層４１０とレンズ形成誘電体層１１０ａを光が透過可能である。レンズ形成誘電体層１１０ａは埋め込まれた凸状マイクロレンズ６４０を形成する。マイクロレンズ６４０は光電素子１０８上に光を導く。 （もっと読む）