【課題】具体的にはＩｎＧａＡｓＮ光吸収層の膜厚が薄い場合であっても、大きな量子効率が得られ、加えて暗電流の少ない半導体受光素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に形成されたＩｎＧａＡｓＮ層を光吸収層５とし、信号光をＩｎＰ基板１とは反対側から入射させる半導体受光素子において、ＩｎＰ基板１とＩｎＧａＡｓＮ光吸収層５の間に信号光を反射するための半導体多層膜反射鏡２を設置し、さらにＩｎＧａＡｓＮ光吸収層５に対してＩｎＰ基板１の反対側には半導体多層膜２により反射された光をさらに反射するような反射鏡（例えばｐ−ＩｎＧａＡｓ層７と空気の界面で反射する反射鏡）を設置し、信号光をこの２つの反射鏡の間で共振させる。 （もっと読む）

【課題】レンズ間領域を縮小化し、かつ隣接画素への入射光の入り込みを防止して、混色の防止を可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を出力する複数のセンサ部１２のそれぞれに該入射光を集光する集光レンズ５１を備えた固体撮像装置１であって、前記集光レンズ５１は光路方向に略角柱状で光入射側が凸レンズ形状を成し、前記集光レンズ５１と、前記集光レンズ５１に隣接する集光レンズ５１との間に溝５３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例のイメージセンサは、回路領域を含む半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の金属配線及び層間絶縁膜を含む金属配線層と、前記金属配線上に相互離隔するように形成された第１導電型伝導層と、前記第１導電型伝導層の間に形成された第１ピクセル分離膜と、前記第１導電型伝導層及び第１ピクセル分離膜を含む前記金属配線層の上部に形成された真性層と、前記真性層上に形成された第２導電型伝導層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高速動作または低消費電力動作が可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】直列接続されたｎ型ＭＯＳトランジスタ及びｐ型ＭＯＳトランジスタと、前記ｎ型ＭＯＳトランジスタと前記ｐ型ＭＯＳトランジスタのチャネルの上に絶縁膜を介して延在した第１ゲートと、を備え、前記第１ゲートに光を与えると、電子及び正孔が生成し、前記電子及び正孔のいずれかが前記ｎ型ＭＯＳトランジスタと前記ｐ型ＭＯＳトランジスタの前記チャネルの上を走行することにより、前記ｎ型ＭＯＳトランジスタと前記ｐ型ＭＯＳトランジスタがスイッチングすることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部から照射された光の照度の詳細な分布を検出することのできる照度検出部品及び照度検出装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板本体３６と、基板本体３６の上面３６Ａに設けられたパッド４２，４３と、を有する支持基板２６と、パッド４２，４３と電気的に接続され、外部から照射された光を受光する受光素子２７と、受光素子２７と電気的に接続された外部接続端子２８，２９と、を備えた照度検出部品１４であって、基板本体３６は、シリコンからなり、基板本体３６の上面３６Ａ側に受光素子２７をアレイ状に複数配置し、複数の受光素子２７を収容する凹部６６を有した透光性部材３２を基板本体３６に設けて、凹部６６により形成される空間Ｅを気密した。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子に最適な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部Ａを備える光電変換素子であって、光電変換膜１２が、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、光電変換部Ａが全体として可視域の光を５０％以上透過する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置内で水素の供給を有効に行い、ノイズの発生を有効に抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】フォトダイオード１１０や画素トランジスタ１２０等が形成されたシリコン基板１００の上にフォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に水素を供給する水素放出膜１６０を形成し、その上に水素の拡散防止を行う水素遮断膜１７０を形成している。シリコン基板１００の上面近傍に水素放出膜１６０を配置し、その上に水素遮断膜１７０を配置したことから、水素放出膜１６０の水素が上層方向に拡散するのを遮断でき、フォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に対する水素の供給効率を改善でき有効にノイズ抑制を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】赤外光への感度のさらなる向上を図りうる赤外光検出器を提供する。
【解決手段】赤外光検出器１００によれば、第１電子層１０２の孤立領域１０の「遮断状態」および「接続状態」が切り替えられる。接続状態の実現により、遮断状態における孤立領域１０の帯電量の飽和ひいては第２電子層１０４の電気伝導率の変化の飽和が解消されうる。したがって、第２電子層１０４の電気伝導率の変化が累積的に検出され、これによって赤外光の感度のさらなる向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる量子ドット型光検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中間層４上に、ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット５が形成されている。中間層４上で量子ドット５の間の領域には、真性ＡｌＡｓからなるＡｌＡｓ層６が形成されている。ＡｌＡｓ層６の厚さは、量子ドット５の高さよりも小さい。更に、量子ドット５上に、真性ＡｌＳｂからなるＡｌＳｂ層７が量子ドット５の表面に倣って形成されている。また、ＡｌＡｓ層６及びＡｌＳｂ層７を覆う中間層４が形成されている。この中間層４も真性ＧａＡｓからなる。量子ドット５、ＡｌＡｓ層６、ＡｌＳｂ層７及びこれらを覆う中間層４から光吸収単位層が構成されている。そして、このような光吸収単位層が更に９層積層されている。従って、総計で１０層の光吸収単位層が設けられている。なお、薄いＡｌＡｓ層６が量子ドット５とＡｌＳｂ層７との間に介在していてもよい。 （もっと読む）

【課題】暗電流の少ない光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に下部電極１０１を形成する下部電極形成工程と、下部電極１０１上に有機光電変換層１０２を形成する有機光電変換層形成工程と、有機光電変換層１０２上に金属酸化体からなる正孔ブロッキング層１０３を形成する正孔ブロッキング層形成工程と、正孔ブロッキング層１０３上に上部電極１０４を形成する上部電極形成工程とを備え、ブロッキング層形成工程は、有機光電変換層１０２上に金属材料を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された金属材料を酸化する酸化工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅドープ絶縁体層に埋め込まれた埋込導波路型受光素子のリーク電流を少なくする。
【解決手段】Ｆｅ―ＩｎＰ基板２４上に配設されたｎ−クラッド層２８と、このｎ−クラッド層２８の一部の上に配設され、ｎ−光ガイド層３０、ｎ−クラッド層２８と同じかまたはより高い屈折率を有するとともにｎ−光ガイド層３０の不純物濃度より低い１×１０^１７ｃｍ^−３以下の不純物濃度を有するかあるいはアンドープのｉ−光ガイド層３１、このｉ−光ガイド層３１よりも屈折率が高い光吸収層３２、ｐ−光ガイド層３４、およびｐ―クラッド層３６がＦｅ―ＩｎＰ基板２４側から順次メサ状に積層された導波路１６ａと、Ｆｅ―ＩｎＰ基板２４上に配設され導波路１６ａの側壁を埋設したブロック層と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも受光部に近い位置にカラーフィルタ等の光学的フィルタ層を設けることを可能にする、新しい構成の光学的フィルタ層を備えた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】受光部が形成された半導体基体の表面上に、直接又は他の層を介して、光学的フィルタ層１１が設けられ、この光学的フィルタ層１１は、層内に径のほぼ揃った量子ドット１３が形成されて成り、量子ドット１３は、この量子ドット１３が埋め込まれた層１２よりも屈折率が高い、固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】光導波路から光電変換部への金属拡散による白点増加を抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】フォトダイオード１の受光領域上にプラズマ窒化シリコンよりなる第１光導波部９Ａとポリイミドよりなる第２光導波部９Ｂで構成した光導波路を設ける。そして、水素を含有したプラズマ窒化シリコンの形成後に水素雰囲気中でアニール処理を施すことにより、フォトダイオード１内への水素供給を促進する。これにより、ポリイミド等からフォトダイオード１内に拡散される金属によって生じる結晶欠陥を抑制し、白点低減効果を得る。また、光導波路を形成する際に用いるエッチングストッパ膜５Ａを構成するＬＰ−窒化シリコンを受光領域以外の領域、例えばトランジスタの上層に設けることにより、水素の浸入を防止し、特性劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】受光面における検出不可能部分をなくし、従来よりも遥かに優れた量子効率かつ低ノイズで、受光面に到達する電子を検出することができる、コンパクトな光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオードの受光領域と、隣接する複数の受光領域それぞれの境界線部分に設けられた不活性領域とからなる受光面に対し、複数の受光領域それぞれと１対１に対応して複数のレンズを配し、マイクロレンズアレイの前記レンズそれぞれは、対応する受光領域に向かう光をこの受光領域へと導きつつ、対応する受光領域の周囲を囲む不活性領域に向かって到来する光を、対応する受光領域へと導く。 （もっと読む）

【課題】光電変換領域の空乏層を厚くした場合でも、異なる光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ基板３０の裏面側から光を照射し、前記光に応じてｐ基板３０内で発生した電荷をｐ基板３０の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子１００であって、ｐ基板３０内に形成された前記電荷を蓄積するためのｎ型半導体層４と、ｐ基板の裏面から内側に形成されたｐ型半導体層２とを備え、ｎ型半導体層４とｐ型半導体層２との間に、不純物濃度が１．０×１０^１４／ｃｍ^３以下のｎ型又はｐ型半導体層、或いはｉ型半導体層を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板厚み方向に信号電荷を効率的に転送する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、半導体基体、光電変換部、不純物領域、転送ゲート、および画素出力回路を備える。半導体基体は、第１主面に配線層を有し、第２主面に受光領域を有する。光電変換部は、第２主面側に画素単位に配列される。不純物領域は、第１主面側に設けられ、光電変換部の少なくとも一部と中間層を介して対向する。転送ゲートは、半導体基体の内部に絶縁膜で覆われて配置されてチャネル制御により、光電変換部から不純物領域へ信号電荷を転送する。画素出力回路は、不純物領域の電気的状態に基づく画素出力を走査出力する。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換画素による画像データの品質が高いものを歩留りよく作製し易い情報読み取りセンサを提供すること。
【解決手段】支持基板１と、該支持基板１上に配置された複数の有機光電変換画素５であって、各々が支持基板１上に配置された第一電極２と、該第一電極２上に配置された有機光電変換部３ａと、該有機光電変換部３ａ上に配置された第二電極４とを有する複数の有機光電変換画素５と、該複数の有機光電変換画素５の上方に配置された光透過性基板６と、該光透過性基板６上に配置されて複数の有機光電変換画素５それぞれへの入射光の波長域を制限する光学フィルター部７とを用いて情報読み取りセンサＳ₁を構成する。 （もっと読む）

【課題】横型フォトダイオードの感度を向上させる。
【解決手段】基板１と、その上に形成されて入射光を受光する半導体層２と、さらにその上に形成された絶縁層７と、この絶縁層７中に形成された電極５，６とを有する横型のフォトダイオード１０において、フォトダイオード一素子の受光領域内で、絶縁層７の表面上に（あるいは該表面に直接）複数のマイクロレンズ１１ａを形成し、それらのマイクロレンズ１１ａにより入射光Ｌを、前記電極５，６から外れるように集光させる。 （もっと読む）

【課題】接着剤で受光部の受光を阻害することなく、光透過部材を確実に光電変換素子に貼り付けることで、信頼性を確保することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光源からの光を受光して電気信号を出力する光電変換素子１１と、光電変換素子１１の受光部１１ａを覆うように形成され、光電変換素子１１の表面に接着剤１４で接着されたカバーガラス１３と、光電変換素子１１の表面に形成され、カバーガラス１３を光電変換素子１１の表面に接着剤１４を接着面に塗布して接着するときに、カバーガラス１３の接着面から外側に押し流された接着剤１４を堰き止めるために、カバーガラス１３の周囲に沿って、その周囲を囲うように形成されたポリイミド層１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
受光部の上部構造層で生じる膜厚差に起因して、開口部の底面が平坦にならず、受光部面内での入射光量の不均一が生じる。
【解決手段】
第１金属層間を、ダマシン法、もしくは、第１金属層を形成した後に積層する絶縁膜をＣＭＰにより研磨することで平坦な層を形成する。これにより、受光部に積層される絶縁膜も平坦に形成される。したがって、受光部の内部をエッチングにより開口する場合、開口部の底面を平坦に形成することができる。 （もっと読む）