【課題】波長安定性を向上させることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１１（半導体基板）は、互いに対向する下面（第１主面）と上面（第２主面）を有する。ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基板１１の上面に反射防止膜１７が形成されている。ｎ型多層反射層１２は、屈折率の異なる半導体層を積層した多層反射層である。吸収層１３は、ｎ型ＩｎＰ基板１１よりもバンドギャップが小さい。ｐ型位相調整層１４は、吸収層１３よりもバンドギャップが大きい。ｎ型多層反射層１２と吸収層１３は他層を介さずに接している。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動になどに対して強度を向上させることで高い信頼性が得られる半導体チップ、光電変換チップおよび半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、受光部３および制御回路部４とを形成する集積回路と、前記半導体基板２の側面に形成され、半円筒形状に形成された外部端子５と、底面を除く全体を覆う樹脂封止部６とを備えた光電変換チップ１は、プリント配線基板に搭載する場合に、ワイヤによる接続が不要なので、ワイヤボンディング工程が不要である。 （もっと読む）

【課題】光導波路を有する構成において、充分にホールの蓄積効果を得ることを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の光センサを内蔵するビームストップは、それを支える糸状の高分子や金属、あるいは膜状の高分子フィルムからなる支持体に配線が埋め込まれており、光センサで変換された電気的なシグナルがこの配線を介して導き出される。この場合、ビームストップの支持体およびその配線によって回折光の吸収が生じる。したがって、光センサを持つ光吸収体の近傍から外側で周囲360°に渡って吸収斑なく２次元検出できず、回折像の領域が制限される。
【解決手段】光センサを内蔵するビームストップで光を検出しかつ光の強度を減衰し、その近傍から外側で周囲360°に渡って吸収斑なく光源より下流に光を透過し、光センサを内蔵するビームストップで変換した電気的シグナルをその外部に伝達する装置およびシステムを提供することにある。本発明は、金属線による配線およびそれが埋め込まれた支持棒の代わりに、高いＸ線および光透過性を有しかつ導電層を有するフィルムを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロストーク発生や感度低下を防止した固体撮像素子とこれを用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子を、一定のピッチで２次元配置された複数の受光部３と、個々の受光部に対応させて矩形の赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタが配列されてなるカラーフィルタ９と、個々の受光部に対応させて複数のマイクロレンズ１１が２次元配置されてなるマイクロレンズアレイとを少なくとも備えたものとし、マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズ１１を、有効撮像領域の中心から周辺に向って、対応する受光部に対してずれ量が大きくなるように配置し、かつ、マイクロレンズ１１の平面形状を、矩形の四隅を除去された形状とするとともに、カラーフィルタ９を構成する各色フィルタの角部９ａに重畳しないものとする。 （もっと読む）

【課題】 高い解像度を得ることができる機構を備えた受光素子アレイ、撮像装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光層３を含む受光素子１０が、複数個、共通の読出し制御回路の基板３０上に配置され、各受光素子は、隣接する受光素子から隔離され、各受光素子に設けられた対の電極のうち、第１導電側電極１２は、すべての受光素子にわたって電気的に共通に接続されており、他方の第２導電型領域６に設けられる第２導電側電極１１は、それぞれ読出し制御回路の読出し部３１に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、隣接するフォトダイオード間でクロストークの低減可能なフォトダイオードアレイ製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明は、一方の面に複数のフォトダイオードが形成された半導体ウエハを、基材の表面に貼り付ける貼り付け工程と、前記複数のフォトダイオードのそれぞれの間を、前記半導体ウエハの側から前記半導体ウエハの深さまでダイシングするウエハダイシング工程と、前記複数のフォトダイオードをまとめて構成されたアレイ化フォトダイオードの間を、前記半導体ウエハの側から前記基材の深さまでダイシングする基材ダイシング工程と、を備えるフォトダイオードアレイ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高速かつ高感度な面入射型フォトダイオードを提供することにある。
【解決手段】 斜面反射部を用いて光路を変換し、光吸収層に斜め方向に光信号を入射することにより、実効的吸収層厚を増大させ、高感度化を図る。さらに、受光部上部に回折格子またはフォトニック結晶反射部により、入射方向と逆方向に反射させ、受光部領域を増大することなく、さらなる高感度化を図る。 （もっと読む）

【課題】受光素子における感度低下が防止され、かつマイクロレンズ下方にパッシベーション膜を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０１を有する半導体基板１００と、前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜１０２と、前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層１０３を含む複数の配線層間膜１０２と、最上層の前記配線層間膜１０２ａ上に形成され、Ｓｉ−Ｈ結合の濃度がＮ−Ｈ結合の濃度より小さいシリコン窒化膜１０６、１１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す有機材料を含む光電変換素子を提供する。
【解決手段】 導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）
【化１】


式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ_１０を表す。Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは各々、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは連結して環を形成してもよい。但し、Ｒ^ｘとＲ^ｙが共にシアノ基であることはない。Ｒ_７〜Ｒ_１０はそれぞれ独立に、水素または置換基を表す。Ｒ_８とＲ_９は連結して環を形成してもよい。Ｌは共役結合からなる連結基を表す。Ｄ_１は原子群を表す。 （もっと読む）

【課題】可視光領域の光の強度に応じた照度を精度よく検出する手段を提供する。
【解決手段】照度センサが、導電性不純物を拡散させた半導体基板に、半導体基板の一の面に半導体基板の導電性不純物とは逆型の導電性不純物を拡散させて形成されたウェル層と、ウェル層の一の面側に半導体基板の導電性不純物と同型の導電性不純物を拡散させて形成された拡散層とを有するフォトダイオードと、半導体基板上に透光性を有する絶縁材料で形成された厚さＬ１の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に第１の絶縁層と同じ絶縁材料で形成された厚さＬ２の第２の絶縁層と、第２の絶縁層の上面に所定のピッチＰで形成された回折格子とを備える。 （もっと読む）

【課題】
ＯＢ部を形成して且つ接着面の塵埃に起因する画像の傷故障を抑制し、更に接着剤の未充填を無くした信頼性の高い裏面照射型撮像装置及び裏面照射型撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板３とサポート基板４とを接着する際、接着剤５の厚みＢがオプティカルブラック部の幅Ａに対して所定の厚みとなるようにサポート基板４を半導体基板３に接着する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ膜およびプラズマＳｉＮ膜を残さず除去することにより、プラズマＳｉＮ膜に起因する入射光の外部への反射およびその透過量を減少させると共にマイクロレンズから基板表面間距離を更に縮小して、受光感度を向上でき、しかも、マイクロレンズから基板表面間での光の多重反射を更に低減して色むらや感度むらを抑制する。
【解決手段】各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの寄生容量を低減することによって、フォトダイオードの出力信号にノイズが生じることを抑制可能とした受光装置及び同装置を有する光ピックアップ装置及び同装置を有する光ディスク装置及び受光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】受光領域を複数の領域に分割する分離層を有するフォトダイオードを備え、このフォトダイオード上に第一の層間絶縁膜、導電性のエッチング停止膜、第二の層間絶縁膜を順次積層し、前記受光領域上の前記各膜に穿孔して受光用開口部を設けた受光装置を有する光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置を製造する際に、エッチング停止膜を分離層上で予め分断しておくこととした。 （もっと読む）

【課題】拡散する蛍光をカットでき、鮮鋭性の高いＸ線画像検出パネルを提供する。
【解決手段】シンチレータ層と光電変換層との間に、シンチレータ層から入射された蛍光のうち、入射角が所定角度よりも大きな角度で入射した蛍光をカットする斜入光カット層を有する。 （もっと読む）

【課題】部品点数が少なく、簡便な調整のみによって実装でき、且つ偏波多重光信号の送受信が可能な双方向光送受信装置を実現する。
【解決手段】同一基板１０上に発光部２０と受光部３０とが形成されている。発光部２０は、下部多層膜反射鏡１２とその上に形成された発光層２１とを含む。発光部２０の上部には、発光部２０の発光波長よりも小さい寸法を持つ複数の開口部が形成された金属ホールアレイ２６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡易なレイアウトで各配線層間の接続を維持しながら、撮像領域の周辺部における感度の低下を抑制できる構造を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の配線層と、第２の配線層と、基板コンタクトと、第１のコンタクトとを備える。周辺画素を構成する受光部に対する基板コンタクトの配置は、中心画素を構成する受光部に対する基板コンタクトの配置よりも、周辺部から中心部に向かってズレ量ｒでずれて配置されているか、又はずれずに配置されている。周辺画素を構成する受光部に対する第１のコンタクトの配置は、中心画素を構成する受光部に対する第１のコンタクトの配置よりも、周辺部から中心部に向かってズレ量ｓ１でずれて配置されている。ズレ量ｓ１はズレ量ｒよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】感度特性の向上を図りつつ、撮像装置の絞り（Ｆ値）特性に対して感度特性の低下が小さい固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、受光部１２が配置された撮像領域と、受光部１２の上方に配置され、開口部を形成する金属配線２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃと、第１の絶縁膜２０とを有する配線層と、受光部１２ごとに設けられ、配線層の上または上部に形成された層内レンズ２４と、配線層および層内レンズ２４の上に形成された透明な第２の絶縁膜２６と、受光部１２ごとに設けられ、第２の絶縁膜２６の上に形成され、上面が凸状曲面であるトップレンズ２８と、トップレンズ２８の上に形成され、トップレンズ２８よりも屈折率の低い材料で構成された透明な透明膜３０とを備えている。これにより、入射光の少なくとも一部の焦点を半導体基板１０の上方に位置させることができる。 （もっと読む）

【課題】短波長の光に対応する受光素子において、高感度と高速応答とを両立する。
【解決手段】受光素子２０は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成され、低濃度不純物層を含み且つ所定の波長帯の光を吸収する光吸収層と、光吸収層上に形成され且つ低濃度不純物層よりも不純物濃度が高い高濃度不純物層４とを備える。少なくとも高濃度不純物層中に、高濃度不純物層よりも光に関する屈折率が小さい複数の低屈折率領域６が一定の間隔をもって配列され、半導体基板１の主面方向に周期的な屈折率分布を有することにより所定の波長帯の光を透過させるフォトニック結晶部２１が構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された複数の半導体素子を備えた半導体装置において、半導体素子の基板側に配置された遮光層の電位を安定化させて半導体素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、光透過性を有する基板１０１と、基板１０１に支持された複数の半導体素子１２５と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された導電性を有する複数の島状の遮光層１０３と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された透光性を有する導電膜１０２とを備え、複数の島状の遮光層１０３は、複数の半導体素子１２５の少なくとも２つの半導体素子と関連付けられており、かつ、導電膜１０２に電気的に接続されている。 （もっと読む）