【課題】暗電流および消費電力が増大するのを抑制しながら、電子の転送効率の低下を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８のｎ^＋型不純物領域１２の深さよりも大きく、かつ、ｎ型不純物領域１０の深さよりも小さい深さを有するｎ型中間不純物領域１１を含む電荷蓄積領域を備えている。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子等を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの電極に挟まれた有機光電変換膜が特定構造を有するアリーリデン化合物からなる正孔輸送性材料を含有する光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

光検出器が、基板上面に形成された入口面と反射面とを備えた半導体基板を含む。反射面は基板表面と鋭角を成しており、そして入口面を通って基板内に透過される光ビームが、反射面から半導体上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。基板上面上には光検出器活性領域が形成され、そして光検出器活性領域は、反射された光ビームが活性領域上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第2基板上に載置することにより、第2基板上に形成されたプレーナー型導波路、又は第2基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを受容することができる。
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【課題】 各種の後続する工程によるフォトダイオードの表面のダメージを減らして、フォトダイオードの表面特性を向上させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板にフォトダイオード領域を形成する段階と、格子構造を変化させるためのイオンを前記フォトダイオード領域に注入する段階と、前記イオン注入による格子構造の変化を復旧するのに十分な条件で、前記フォトダイオード領域に酸化膜を形成する段階とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
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【課題】マイクロレンズを保護するための低温絶縁保護膜に起因する光感度の低下を防止できるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。
【解決方法】 受光素子３１と、受光素子３１の上に形成されたマイクロレンズ４１と、マイクロレンズ４１の上に形成され、マイクロレンズ４１を保護するための絶縁保護膜４５と、マイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間に形成され、マイクロレンズ４１の屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜４２Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 高効率な光電変換素子、及び前記光電変換素子を用いた高画質のデジタル放射線画像が得られる放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】 透明電極と、前記透明電極を透過した光を吸収し電荷分離を行う光電変換層と、前記光電変換層を挟んで前記透明電極と反対側に設けられた対電極を有する光電変換素子において、光電変換層は、電子受容体および電子供与体を混合した複数の層を有し、前記複数の層は、それぞれ電子受容体と電子供与体の混合比が異なることを特徴とする光電変換素子。また、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、第１層から出力された光エネルギーを電気エネルギーに変換する第２層と、第２層で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層と、支持体である第４層を有する放射線画像検出器において、第２層に前記光電変換素子を用いる。 （もっと読む）

本発明は、感光性の構成要素及び付随する電子回路(4)からなる画素(P)のアレイを有する半導体層(1)を有する、特にX線検出器用の、マイクロエレクトロニクスシステムに関する。表面に凹部(5a)を有する絶縁性の保護層(5)が、半導体層(1)とシンチレータ(8)との間に設けられている。X線放射から電子回路(4)を保護する遮蔽金属(6)が、保護層(5)の凹部(5a)中に設けられて良い。さらに、凹部は、シンチレータ(8)を固定するための接着剤を含んで良い。このとき保護層(5)は付加的に、シンチレータ(8)と半導体層(1)との間のスペーサとして機能する。
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【課題】感光セルのマトリクスで形成されたイメージセンサで、各感光セルについて、従来の技術に記載されているイメージセンサよりも感光セルの感光領域上に多くの光を合焦できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】感光領域と、感光領域をカバーする絶縁層の積重ねと、感光領域にピクセルの光を合焦するための装置とを有するイメージセンサのピクセル構造を提供する。合焦装置は、第１のマイクロレンズ２９および第２のマイクロレンズ２７を有し、第１のマイクロレンズ２９は積重ねの層の間に配置され、第２のマイクロレンズ２７と感光領域とを、実質的に結び付ける。 （もっと読む）

【課題】 所期の受光部の光電流の電流値を確実に測定可能な半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 半導体ウェハには、複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が備えられ、光電流阻止手段によって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する。 （もっと読む）

【課題】 優れた感度（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明のイメージセンサは半導体基板上に形成された活性画素アレイ領域のメイン画素アレイ領域を備えている。前記センサ上部にパッシベーション膜が形成され、前記パッシベーション膜は少なくとも前記メイン画素アレイ領域のすべてを露出させる。その結果、前記メイン画素アレイ領域上で前記パッシベーション膜による光吸収率及び屈折率を取り除いてイメージセンサの光感度を改善させる。 （もっと読む）

【課題】応答時間の低下を防止でき、かつ、電気信号の劣化を防止できる受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１の表面にはカソード低抵抗化領域８が形成されている。このカソード低抵抗化領域８上には、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化するアモルファス合金膜１６を形成している。 （もっと読む）

【課題】同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置において、受光素子上の反射防止膜の膜厚バラツキにより光電変換効率が低下する問題がある。
【解決手段】同一の半導体基板１に集積回路を構成するトランジスタ２、受光素子３およびマイクロミラー５を搭載する光半導体装置であって、受光素子３上に形成された反射防止膜１６と、反射防止膜１６上に形成され、反射防止膜１６を露出する状態に開口された第１絶縁膜１８と、第１絶縁膜１８上に形成され、反射防止膜１６上の第１絶縁膜１８の開口の周辺部およびマイクロミラー５上の周辺部に残存されたエッチングストップ膜１９とを有する。この構成によると、所望の膜厚に制御された反射防止膜１６が受光素子３上に形成されるので、受光素子３の高感度化が図られる。 （もっと読む）

背面照射型イメージセンサ(14)の製造方法を開示する。本発明の方法は、第１および第２の表面(3,4)を有するウェハ(2)から出発し、第１表面(3)からウェハ(2)内に延在する感光性ピクセル領域(5)を設けるステップと、第１表面(3)を保護基板(7)に対向させて保護基板上にウェハ(2)を固定するステップとを具える。ウェハは、第１の材料の基板(8)と、光学透明層(9)と、半導体材料の層(10)とを具える。基板(8)を、光学透明層(9)を停止層として用いて、半導体材料の層から選択的に除去する。背面照射型イメージセンサでは、光は半導体層を透過して感光性ピクセル領域(5)に入射しなければならない。吸収損失を低減するために、半導体層(10)を比較的薄く均一に作製できると非常に有利である。半導体層の厚さを減少させると、感光性領域に入射する光が多くなり、このことがイメージセンサの効率改善につながる。 （もっと読む）

電磁ビーム（１７）の検出用の1つ又は複数のビーム感応ゾーン（７，８，９）を有する半導体チップ（２）を有するビーム検出光電素子において、ビーム感応ゾーン（７，８，９）内の電磁ビーム（１７）のフォーカシングが、回折素子（１）によって行われ、この回折素子（１）は、有利には、半導体チップ（２）内に集積化されている。回折素子（１）は、殊に、ゾーンプレートにするとよい。
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