【課題】光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を
有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐｉｎ型の光電変換素子はｐｎ型と比べて応答速度が高速であるが、暗電流
が大きいという欠点がある。この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣
が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるも
のだと考えられる。そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテ
ーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しな
い構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ショットノイズを抑制した状態で、アバランシェ増倍によって感度の向上を可能にする。
【解決手段】第１電極２１と、前記第１電極２１に対向して形成された第２電極２５と、前記第１電極２１と前記第２電極２５との間に形成されていて、導電膜２２中にナローギャップ半導体の量子ドット２３を分散させた光電変換膜２４とを有し、前記第１電極２１および前記第２電極２５の一方の電極が透明電極で形成され、他方の電極が金属電極もしくは透明電極で形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の凹部内に形成される構成要素を有する半導体装置において歩留の低下およびデバイスの信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁膜８および貫通電極６が形成される貫通孔７が形成された半導体基板１を備え、半導体基板１の貫通孔７は、深さ方向に徐々に開口径が小さくなる形状を有し、貫通孔７の内壁には、貫通孔７の開口端よりも開口径が小さい段が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりの低下を可及的に抑制する。
【解決手段】対向する第１面および第２面を有するとともに第１面から第２面に貫通する空洞部が設けられている第１絶縁層７、２４ｃと、絶縁層内に形成された第１および第２配線と、を有する配線形成部３０と、第２面側から入射された赤外線を吸収する赤外線吸収膜２４と、赤外線吸収膜と電気的に絶縁され赤外線吸収膜の温度変化を検出することにより、電気信号を生成する少なくとも１個の熱電変換素子１２と、を有し、空洞部内に設けられた赤外線検出部１０と、赤外線検出部を空洞部内に支持し、一端が第１および第２配線の他端に接続され、他端が熱電変換素子の一端に接続された第１および第２接続配線２２ａ、２２ｂと、第１および第２接続配線を覆うように形成された第１および第２絶縁膜２４ａ、２４ｂとを有する第１および第２接続配線部２０ａ、２０ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を確保しつつ、開口率を向上させて検出感度を向上させることができるフォトダイオードアレイ及び放射線検出器を提供する。
【解決手段】
被検出光の入射面と反対面側に、ｐｎ接合型の複数のフォトダイオードがアレイ状に形成された半導体基板を備え、半導体基板は、複数のフォトダイオードの形成された領域が被検出光の入射面側から薄化されることにより、当該複数のフォトダイオードの形成された領域に挟まれた領域が被検出光の入射面側に向かって断面凸形状の凸部９とされ、凸部９には、フォトダイオードの被検出光の入射面側と同一導電型の高濃度不純物領域５ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の表面層に形成された不純物拡散層からなるダイオード（センサ）Ｄと、ダイオードＤ上に設けられた炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａとを備えた固体撮像装置１Ａ。酸化絶縁膜１Ａは、金属酸化物を用いて構成されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で作動し、厚さあたりの光増幅率を向上させることにより厚みを薄くすることが可能となる光検出素子及び光検出方法、撮像素子及び撮像方法を提供する。
【解決手段】光増幅部と光電変換部からなる光検出素子であって、
前記光増幅部が光滞留構造とゲイン媒質からなり、該光滞留構造とゲイン媒質が近接して配置されている構成とする。
その際、前記光滞留構造を、プラズモン共鳴体、導波モード共鳴体、ウィスパリングギャラリーモード共鳴体、等で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの光子変換効率を高めたイメージセンサを提供する。
【解決手段】
イメージセンサ(100)であって、少なくとも、
−約1μmから1.5μmの間の厚さを有する半導体層(110)内に形成される、CMOSタイプのフォトダイオード(112)及びトランジスタ(114)と、
−互いに及び/又は前記CMOSのフォトダイオード及び/又はトランジスタに電気的に接続する、電気的相互接続層(122a、122b)が内部に形成される誘電層(116)であって、当該誘電層は、外部からセンサによって受光される光を入れることを目的とする半導体層の第2の面とは反対側の半導体層の第1の面に接触して配置される誘電層(116)と、
−誘電層内で、フォトダイオードに対向して配置され、センサによって受光される光の少なくとも一部をフォトダイオードの方へ反射させることができる、光反射手段(122b)と、
を備えている、イメージセンサ(100)。 （もっと読む）

【課題】複数の光検出素子を有する光検出装置をコンパクト化すること。
【解決手段】基板２と、基板２の表面２ａ上に設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子１０を有する帯状の光検出体８とを備える。複数の光検出素子１０は、光信号を電気信号に変換する光電変換領域１２と、この電気信号を外部に出力するための信号出力領域１４とをそれぞれ有する。光電変換領域１２と信号出力領域１４とは光検出体８において交互に配置され、隣り合う光電変換領域１２と信号出力領域１４とは電気的に接続され、光検出体８は、表面２ａに沿って渦巻き状に延びている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成を有する複数の光検出素子を含む光検出装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板２上において複数の分離溝５によって互に分離されて設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子４を備え、光検出素子４は、所定の導電型の第１の領域８と他の導電型の第２の領域１０とを含むＩｎＳｂ化合物半導体層であり、この化合物半導体層の光検出領域６において入射光を光電変換し、複数の光検出素子４のうち分離溝５を挟んで互に隣接する二つの光検出素子４の一方に含まれる第１の領域８と、他方に含まれる第２の領域１０とは、電気的に接続され、光検出領域６、第１の領域８及び第２の領域１０は、光検出素子４の化合物半導体基板２との接合面と、この接合面の反対側にありこの接合面に沿って延びる光検出素子４の主面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、映像品質の向上を図ることができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、主面上に形成された撮像領域３、及び、撮像領域３の外周部に配置された周辺回路領域２を有する半導体基板４と、撮像領域３上に形成された透明基板５と、半導体基４板上における周辺回路領域２上を封止する封止樹脂１５と、封止樹脂１５における周辺回路領域２を覆う部分と、周辺回路領域２との間に形成された寄生容量遮蔽膜２４とを備える。寄生容量遮蔽膜２４は、周辺回路領域２のグランドに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩデバイスを含み、且つ貫通電極を有するＷ−ＣＳＰ構造の半導体装置において、パッケージサイズの拡大や製造プロセスの変更を伴うことなくＳＯＩ基板のシリコン基板層の電位固定を行うことができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板層と表面に半導体素子が形成された半導体層との間に絶縁層を有するＳＯＩ基板と、半導体基板層の表面に絶縁膜を介して設けられて半導体素子に電気的に接続された少なくとも１つの外部端子と、を含む半導体装置であり、絶縁膜を貫通し、半導体基板層に電気的に接続された導電膜からなるコンタクト部と、半導体基板層の表面上に絶縁膜を介して設けられてコンタクト部に接続された電位固定用電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
従来の問題を解決するために、フォトダイオード層を備え、光を効率よく感知できる半導体構造を提供する
【解決手段】半導体構造はベース層と、シリコン層と、フォトダイオード層と、金属層とを含む。ベース層は光が透過できる材料で製作される。シリコン層はベース層の第一表面を覆うように形成されており、フォトダイオード層はシリコン層を覆うように形成されており、金属層はフォトダイオード層を覆うように形成されている。フォトダイオード層はベース層の第二表面から入射してベース層を透過した光を感知するために用いられる。第二表面と第一表面はそれぞれベース層の両側にある。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するモノリシック半導体レンズを簡易に形成できる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。また、モノリシック半導体レンズ２３の形状の再現性も良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する光電変換部において、各色のピーク感度を落とさずに、半導体中での混色を低減できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】所要の色光の光電変換部２３Ｇ上に絶縁膜２５を介して短波長側の光を吸収する吸収膜２８が形成された画素を有する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加が必要な外部光源を用いることなく、発光素子の出射端面に付着した有機物を分解除去して、素子劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】レーザダイオード１０（発光素子）は、出射端面１０ａから光１２を出射する。レーザダイオード１０の出射端面１０ａにＴｉＯ_２膜１６（有機物付着防止膜）が形成されている。ＴｉＯ_２膜１６は、特定の波長の光が照射されると有機物を分解除去する光触媒反応を起こす。反射鏡１８は、レーザダイオード１０から出射された光１２の一部を反射して、ＴｉＯ_２膜１６に照射する。波長変換器２０は、ＴｉＯ_２膜１６に照射される光２２の波長を、ＴｉＯ_２膜１６が光触媒反応を起こすような波長に変換する。 （もっと読む）

【課題】筋状の膜ムラ（ストリエーションＳ）の受光部への影響を低減させる。
【解決手段】半導体素子１０として、下地パターン２の広い凹部内の膜材料としての感光性材料３が平面視で複数部分に分割されているかまたは、格子状に形成されているかまたは、複数の支柱状に形成されているかまたは、複数の井戸状に形成されており、パターニングされた感光性材料３の各凸部３ａ、被処理基板１および下地パターン２上に渡って平坦化用材料４が成膜される。 （もっと読む）

【課題】 基板に平行にｐｉｎ構造の半導体層が配置された薄膜フォトダイオードにおいて、光電流量を増加させる。
【解決手段】 薄膜フォトダイオードにおいて、基板１１上に形成されたｐ型半導体からなる第１の半導体層１３１と、基板１１上に第１の半導体層１３１と接して形成され、第１の半導体層１３１よりも不純物濃度の低いｐ型半導体又はｉ型半導体からなる第２の半導体層１３２と、基板１１上に第２の半導体層１３２と接して形成されたｎ型半導体層からなる第３の半導体層１３３と、を含む薄膜セル部と、薄膜セル部の上方に形成され、光軸中心の位置が、第２の半導体層１３２及び第３の半導体層１３３の境界と第２の半導体層１３２の中心との間に設定されたマイクロレンズ１９とを備えた。 （もっと読む）

【課題】暗電流を効率的に抑制できる固体撮像装置とその製造方法、及びこの固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換素子２４を有する複数の画素と、各画素の光電変換素子２４上に、絶縁膜２５を介して形成された分極処理された強誘電体膜２８と、強誘電体膜２８上に形成された透明電極膜２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】任意の２つの光送受信部が相互に通信可能な光集積回路装置を提供する。
【解決手段】光導波路１〜ｉおよび光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊは、半導体基板２０の一主面に配置される。光源３０は、半導体基板２０の端面に配置され、発生した光を光導波路１〜ｉへ導く。各光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊにおいて、光共振部材４０は、電圧が印加されると、光導波路１〜ｉ中を伝搬する光の１つの一部の光と光共振し、その一部の光を光伝送部材１０中へ出射する。また、各光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊにおいて、光共振部材５０，６０は、電圧が印加されると、光伝送部材１０中を伝搬する光と光共振し、その共振した光を光検出部７０，８０へ出射する。 （もっと読む）