【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】クラックに起因する暗電流の増加を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、基板１１上の選択的な領域に設けられたｐ型半導体層１４と、ｎ型半導体層１７との間にｉ型半導体層１６を備えたものである。ｉ型半導体層１６は、ｐ型半導体層１４に非接触な角部１６ｅを少なくとも１つ有する。ｉ型半導体層１６において、例えばその形状等に起因する応力（ストレス）の影響を受けてクラックが発生した場合、ｉ型半導体層１６が上記のような角部１６ｅを有していることにより、クラックは、その角部１６ｅを起点（または終点）として発生し易くなる。この角部１６ｅが、ｐ型半導体層１４に非接触であることにより、発生したクラックがリークパスとなることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を備える固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極１１と、第一電極１１に対向する第二電極１３と、第一電極１１と第二電極１３との間に形成された光電変換層１２とを含む光電変換部を有する光電変換素子１００であって、第二電極１３と光電変換層１２との間に、光電変換層１２の表面の凹凸を緩和する平滑層１０４を設けた。平滑層１０４は、有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが３０〜３００ｎｍである。また、第二電極が光入射側の電極であり、第一電極１１が正孔取り出し用の電極であり、第二電極１３が電子取り出し用の電極である。 （もっと読む）

【課題】従来と同様の製造プロセスを用いた場合でも、従来よりも間隔の狭い（各マイクロレンズ間のスペースが少ない）マイクロレンズを得ることのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マイクロレンズの製造において、基板上の感光性のマイクロレンズ材料に、パターン化された光線を照射するためのマスクであって、メインレイアウト、および、該メインレイアウトの周囲に設けられたサブレイアウトを有し、該マスクに光線を照射したときに、前記メインレイアウトによってマイクロレンズの中央部に相当する位置に第１の光線パターンが得られ、前記サブレイアウトによって前記第１の光線パターンの周囲に前記第１の光線パターンとは分離された（解像された）第２の光線パターンが得られることを特徴とするマスクである。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、波長（色）分離精度の良く、また望ましくは暗電流の発生を抑制することができる、光電変換素子等を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係わる光電変換素子は、半導体基板１、フォトダイオード部２、凹レンズ３、凸レンズ４を備えている。フォトダイオード部２は、半導体基板１内において、ｐ型の半導体領域２ａ，２ｃ，２ｅとｎ型の半導体領域２ｂ，２ｄとが、交互に順次積層することにより構成されている、複数のフォトダイオードから成る。また、凸レンズ４は、フォトダイオード部２に入射光を集光させるレンズである。また、凹レンズ３は、フォトダイオード部２と凸レンズ４との間で保護膜上の光路上に、フォトダイオード部２に対して垂直な光軸を持つ並行光を入射させ、並行光の到達距離を一定にするように配設されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体（フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、コンタクト電極１１、及びパッド電極１３）と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域（フォトゲート電極ＰＧ直下の領域）が形成されており、半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの接続段数の増加を抑えながら、より大きな出力電圧を得ることができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線エネルギーを電気信号に変換して取り出す赤外線センサ１において、赤外線エネルギーを電気信号に変換する受光部２、受光部２が赤外線エネルギーを受光したことによって励起された電荷に対してローレンツ力を加えるように作用する磁場を発生させる磁石７、磁性体６、リードフレーム３を設け、磁石７、磁性体６、リードフレーム３によって電荷の移動する方向と直交する方向にローレンツ力を加える。 （もっと読む）

【課題】画素の高集積化を図ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置において、多層配線層と、多層配線層上に設けられ、第１導電型層を有する半導体基板と、第１導電型層を複数の領域に区画する第２導電型の不純物拡散領域と、半導体基板上に前記区画された領域毎に設けられたカラーフィルタと、半導体基板の下面における区画された領域以外の領域に形成されたメタリック層と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】
高速、高感度並びに入力光に対する光学位置合わせトレランスの大きな面入射型フォトダイオードを提供する。
【解決手段】
面入射型フォトダイオードにおいて、光吸収層４の上下に接しているクラッド層５、３の少なくとも光の入力側にある当該クラッド層３の形状が入力光１１の進行方向に対して層の幅が狭くなるテーパー状とし、光吸収層４の接合面積よりクラッド層３の受光面積を大きくする。これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板と透光板との接合強度を維持し、反りの発生を抑制し、かつ、歩留まりおよび設計の自由度を維持した状態で小型化が可能な光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２１ａが一表面に形成された半導体基板１と、受光素子２１ａを覆うように半導体基板１上に設けられた透光板４とを備え、半導体基板１と透光板４とは、半導体基板１の受光素子２１ａが形成された受光部２ａ上において、部分的に接合される。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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【課題】 光電変換素子同士の間隔が異なる場合、隣接する光電変換素子へ混入する電荷量にばらつきが生じてしまう。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、第１および第２の光電変換素子との間に信号電荷に対して障壁となる第１の半導体領域を有する。そして、第１および第３の光電変換素子との間に第１の半導体領域と同じ深さの、第１の半導体領域よりも幅が狭い、信号電荷に対して障壁となる第２の半導体領域を有する。更に、第１の半導体領域と第２の半導体領域の下部に信号電荷に対して障壁となる第３の半導体領域を有する。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

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【課題】高い性能を有する光変換装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１と電気的に接続されたフォトダイオード１００と、を備え、フォトダイオード１００は、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続する下部電極１０と、下部電極１０の上に形成された光電変換層１１と、光電変換層１１上に透明導電膜によって形成され、上面視で光電変換層１１の上面に内包されるよう形成された上部電極１２と、上部電極１２の外側の部分の光電変換層１１の上面を保護するよう設けられた保護膜（化合物層２０等）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】受光部の受光面に、画素間のばらつきなく均一にホール蓄積層を形成して、界面準位に起因した暗電流を抑制することが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０１の第１面２０１ａ側に形成された配線層２０３と、第１面２０１ａ側とは反対側の第２面２０１ｂ側から入射される光を光電変換する受光部２０２とを有する裏面照射型の固体撮像装置であって、受光部２０２の受光面上に、自発分極を有する材料からなる自発分極膜２０４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換によって得られた光電子を所望の領域に高速に移動させ、集積させるようにして、測距装置や受光システム等を実現できるようにする。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する第１光電変換素子１０Ａは、半導体基体１２に形成された１つの埋め込みフォトダイオードＢＰＤと、半導体基体１２上に絶縁体を介して形成された電極１６を有する複数のＭＯＳダイオード１８とを有する。埋め込みフォトダイオードＢＰＤは、上面から見たとき、１つの部位２０から複数の枝分かれ部位２２に分岐配列されたくし歯形状を有し、ＭＯＳダイオード１８の各電極１６は、上面から見たとき、埋め込みフォトダイオードＢＰＤにおける複数の枝分かれ部位２２間にそれぞれ入れ子状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換によって得られた光電子を所望の領域に高速に移動させ、集積させるようにして、測距装置や受光システム等を実現できるようにする。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する第１光電変換素子１０Ａは、半導体基体１２上に絶縁体を介して形成された電極１６を有する１つのＭＯＳダイオード１８と、半導体基体１２に形成された複数の埋め込みフォトダイオードＢＰＤとを有する。ＭＯＳダイオード１８の電極１６は、上面から見たとき、１つの電極部位２０から複数の枝分かれ部位２２に分岐配列されたくし歯形状を有し、複数の埋め込みフォトダイオードＢＰＤは、上面から見たとき、電極１６における複数の枝分かれ部位２２間にそれぞれ入れ子状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数の層内レンズと多層配線構造とを少ない工程で製造することに適した光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置であって、半導体基板の上に配され、前記画素配列領域の配線層の数よりも前記周辺領域の配線層の数が多い多層配線構造と、前記画素配列領域における前記多層配線構造の上に配された複数の層内レンズとを備え、前記複数の層内レンズのそれぞれは、第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体を覆うように配され、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有した第２の絶縁体とを含み、前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の最上の層間絶縁膜とは、同じ材料で形成されている。 （もっと読む）