【課題】 少量の封止用樹脂で導電部分を封止すること可能な太陽電位モジュールのターミナルボックスを提供すること。
【解決手段】 本発明のターミナルボックスは、筐体１と蓋体２とを含み、蓋体２は、蓋体基板２１と、前記ターミナルボックス内を内部と外部とに区切る連続した突出部２２とからなり、突出部２２には、前記内部の断面積が前記蓋体基板に近付くに従って小さくなるような誘導部２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】ｉ層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制すると同時にドーパントの活性化を行うことにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１上に、第１透明電極１２と、ｐ型シリコン層１３、ｉ型シリコン層１４及びｎ型シリコン層１５からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極１６とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、ｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層上にｉ型シリコン層１４を積層し、更にｉ型シリコン層１４上にｎ型シリコン層１５またはｐ型シリコン層を積層することにより、前記ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】後含浸による太陽電池封止シートの製造方法において、従来技術の欠点を解決し、金属微粉の発生を抑制しながら、均一かつ高速に微少量の有機過酸化物を塗布し得る太陽電池封止シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池封止シートの製造方法は、（Ａ）軟質樹脂からなるシートを成形する工程、（Ｂ）架橋剤を含有する溶液を前記軟質樹脂からなるシートに塗布する工程、および（Ｃ）塗布した前記架橋剤を前記軟質樹脂からなるシート中に浸透させる工程をこの順で含み、前記工程（Ｂ）における前記溶液のシートへの塗布が、直径３０ｍｍ以下のロールを用いて、該ロールを回転させながら行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂接着剤からの脱気を促進することにより、太陽電池の集電効率及び配線材の接着性を向上した太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１００において、一の接続用配線材２０の芯材２０Ａと受光面１０Ａとの間隔ε１は、他の接続用配線材２０の芯材２０Ａと裏面１０Ｂとの間隔ε２に略等しい。 （もっと読む）

【課題】四角形の太陽電池セルの製造において、簡単に線幅の細い電極を厚く形成できるようにする。
【解決手段】四角形のシリコン基板１の表面に形成された反射防止膜２上に、レジストをスピンコート法により塗布して、プリベークする。この上に再びレジストをスピンコート法により塗布して、ベークし、２層のレジスト膜３を形成する。電極パターンにしたがってレジスト膜３を露光、現像する。レジスト膜３に覆われていない反射防止膜２をエッチングする。シリコン基板１に金属層４を蒸着した後、レジストを除去するリフトオフを行い、電極１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００Ａが、ｎ型半導体領域２と、ｐ型半導体層５と、ｐ型電極６と、ｎ型電極９とを備え、ｐ型半導体層５がｎ型半導体領域２の裏面の一部に隣接形成され、ｐ型電極６が、ｐ型半導体層５を介してｎ型半導体領域２と対向する位置に形成され、ｎ型電極９が、ｎ型半導体領域２の裏面側において、ｐ型半導体層５の形成されてない領域に隣接形成され、ｐ型半導体層５において、ｐ型の導電型決定元素の濃度がｎ型半導体領域２の裏面に近いほど小さいようにする。 （もっと読む）

【課題】光起電力装置の受光面側の受光面積を従来に比して削減することができる電極構造を有する光起電力装置を得ること。
【解決手段】Ｎ型拡散層が第１の主面側に形成されたＰ型シリコン基板１２と、第１の主面上に第１の方向に延在して平行に形成され、シリコン基板１２で生じた電流を集電する複数のグリッド電極２１と、第１の主面上に第２の方向に形成され、グリッド電極２１で集電される電流を外部に取り出すバスバー電極２２と、シリコン基板１２の第２の主面側に形成され、シリコン基板１２で生じた電流を集電すると共に外部に取り出す裏面電極と、を備え、グリッド電極２１は、先端部のグリッド電極２１の第１の方向に垂直な断面積が、バスバー電極２２との接続部における断面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】キャリアの収集効率の低下を抑制可能な太陽電池モジュール及び太陽電池の交換方法を提供する太陽電池モジュール及び太陽電池の交換方法を提供する。
【解決手段】細線電極１０２,１０３は、第１接続配線材２０Ａ_１の被接着部分ａ１に接続されるとともに、第１接続配線材２０Ａ_２の非接着部分ｂ１及び第１接続配線材２０Ａ_３の非接着部分ｃ１に接続される。非接着部分ｂ１は、第１接続配線材２０Ａ_２のうち被接着部分ｂ２と異なる部分であり、非接着部分ｃ１は、第１接続配線材２０Ａ_３のうち被接着部分ｃ３と異なる部分である。 （もっと読む）

【課題】配線材の剥離を抑制可能な太陽電池モジュール及び太陽電池の交換方法を提供する。
【解決手段】太陽電池モジュール１００において、第１交換用配線材３０Ａは、第１接続配線材２０Ａの一端部分２０Ａ_１に接着されていない。 （もっと読む）

【課題】
基板上に少なくとも金属電極、導電性透明膜、半導体層、導電性透明電極がこの順で積層されてなる薄膜太陽電池において、金属電極表面のテクスチャー構造の影響を受けて、半導体層の膜質が低下し、変換効率が低下することを抑止する手段を提供する。
【解決手段】金属電極の上に形成する導電性透明膜の膜厚を０．５μｍ以上に形成することにより、金属電極表面のテクスチャー構造の影響を減少し、半導体層の膜質の低下を抑止する。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットから切り出したシリコン層の反りを抑制又は防止し、シリコン太陽電池の製造を容易化する。
【解決手段】切削手段１０によって、円柱状のシリコンインゴット９の外周部をシリコンインゴット９の周方向に切削し、切削片９ａを得る。貼り付け手段２０，３０，４１によって、切削片９ａを接着剤９２を介して基板９１に貼り付ける。切削片９ａがシリコン層９３になる。好ましくは、シリコンインゴット９を支持回転手段２０によって回転させ、かつ切削刃１２の刃先１３をシリコンインゴット９の周方向に向けてシリコンインゴット９の外周部に切り込ませる。 （もっと読む）

【課題】高湿下での強度や水蒸気バリア性に優れ、ＭＤとＴＤとの熱膨張率差が小さい基板を備えた太陽電池を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン層、多結晶シリコン層及び多結晶化合物層からなる群から選ばれる少なくとも１つの発電層と、液晶ポリエステル層と、導電層とで、太陽電池を構成する。前記液晶ポリエステル層は、溶剤可溶性の液晶ポリエステルから形成する。前記液晶ポリエステル層は、溶剤可溶性の液晶ポリエステルから形成された液晶ポリエステルフィルムであるか、液晶ポリエステルと繊維シートとから形成されたプリプレグであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】配線ずれが発生することに起因する変換効率の低下を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】この光電変換素子は、光電変換層１と、メイン電極６とサブ電極７とからなる受光面電極５とを備えている。そして、メイン電極６の幅方向における一対の端部６ａの高さに対して中央部６ｂの高さが低くなっているとともに、メイン電極６の幅方向に沿った断面形状が円弧状に凹んだ形状となっている。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉４１の予備加熱部４３で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部４４において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部４５にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光変換効率の向上。
【解決手段】太陽電池は、少なくとも一面に凹凸パターンが形成された半導体基板と、第１濃度を有する第１部分および前記第１濃度より高い第２濃度を有する第２部分を含み、凹凸パターン上に形成された第１不純物層と、第１不純物層の第２部分に接触し、第１不純物層の第１部分には接触しない位置に形成された第１電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】にじみの少ない高精細なパターンの電極を有して光電変換特性に優れる太陽電池セルの製造を可能とする太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法を得る。
【解決手段】第１導電型の半導体基板の一面側に、レーザー照射による加工が可能な第１マスク膜を形成する工程と、レーザー耐性を有する第２マスクを前記第１マスク膜上における電極形成領域に選択的に形成する工程と、前記半導体基板の一面側にレーザー照射を行い、前記半導体基板に達する開口部を前記第１マスク膜に形成して第１マスクを形成する工程と、前記第２マスクを除去する工程と、前記第１マスクをエッチングマスクとして前記半導体基板の一面側に対してウェットエッチングによる等方性エッチングを行って、前記半導体基板の一面側における前記開口部に対応した位置に凹部を形成する工程と、前記第１マスクを除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率の向上に最適な凹凸形状を有した光再利用シート及びそれを用いた太陽電池モジュール用を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも透光性前面板と太陽電池セルと封止材と裏面シートとを有する太陽電池モジュールにおいて、前記裏面シートは、基材と前記基材の表面に形成された凹凸構造と反射層とトップコート層とからなり、前面側から、トップコート層、反射層、凹凸構造、基材の順に積層されて構成されることを特徴とする太陽電池裏面シート。 （もっと読む）

【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。
【解決手段】第１の面と第２の面とを含み、第１の導電型を有する半導体基板と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第１の面に設けられた第１ドープ層と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第２の面の第１領域に設けられた第２ドープ層と、半導体基板の第２の面の第２領域に設けられた真性半導体層と、第２の導電型を有し、真性半導体層上に形成された第２の導電型の層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水素プラズマ曝露後の導電率が適正な範囲に設定されることにより、漏れ電流が抑制されて変換効率が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも２層の発電セル層９１，９２を備える光電変換層３と、前記発電セル層９１，９２の間に介在する中間コンタクト層５とを含む光電変換装置１００であって、前記中間コンタクト層５が、Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ_２（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含むことを特徴とする。 （もっと読む）