【解決手段】受光面及び非受光面を有する半導体基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する太陽電池セルであって、上記受光面及び非受光面上のバスバー電極が長手方向に互いに直交するように形成されてなる太陽電池セル。
【効果】本発明による太陽電池セル及び太陽電池セルの配線方法を用いることで、太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率を改善することが可能で、モジュール変換効率を改善できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノワイヤの製造方法、シリコンナノワイヤを含む太陽電池及び太陽電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に具備された第１^＋＋型多結晶シリコン層と、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から成長した第１型シリコンナノワイヤを含む第１型シリコンナノワイヤ層と、前記第１型シリコンナノワイヤ層が具備された基板上に具備された真性層と、前記真性層上に具備された第２型ドーピング層と、を含む太陽電池が提供される。 （もっと読む）

【課題】集電効率が高く、かつ特性のばらつきが少ない太陽電池用基板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板層（１２）と、基板層（１２）の上に積層された金属層（１４）と、を備え、基板層（１２）は、金属層（１４）との積層面に、平面視で、略円形状又は略多角形状である凹部（１２ａ）を有し、金属層（１４）は、基板層（１２）における凹部（１２ａ）以外の表面を被覆する、太陽電池用基板（１０）とすること。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムイオンの拡散が抑制されて優れた耐久性を有する光電変換装置の製造方法及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】フロートガラス基板１上に、アルカリバリア層７と、透明電極層２と、光電変換層３と、裏面電極層４を備える光電変換装置１００の製造方法であって、前記基板１の溶融スズと接触した面上に、酸素原子を含む分子を吸着させる工程と、該酸素原子を含む分子が吸着した基板１を、４５０℃以上５５０℃以下で加熱処理する工程と、該加熱処理された基板１の前記溶融スズと接触した面上に、アルカリバリア層７を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価な材料を用いても高い発電効率を得ることができる光発電装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１は、例えば圧延再結晶集合組織を有する銅又は銅合金基板である。この銅又は銅合金基板では、数十μｍの大きさの複数の単結晶が、その表面の結晶方位を揃えて並んでいる。この結晶方位のずれは５度以内である。金属電極２は、例えばニッケル膜、ニッケル合金膜、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜である。この金属電極２は、めっき法により金属電極１上に形成する。ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】
この発明は、直列接続される太陽電池間の電流のバラツキをなくすとともに、各太陽電池の集電抵抗損失を少なくし、太陽電池モジュール出力を向上させることを目的とする。
【解決手段】 表面部材と、裏面部材と、表面部材及び裏面部材の間に配設され、配線材によって電気的に接続された太陽電池と、表面部材及び裏面部材の間に配設され、複数の太陽電池を封止する封止材と、を備えた太陽電池モジュールであって、太陽電池１１ａ、１１ｂは、受光面側に配設され配線材１２０と接続される受光面側集電極１１５と、裏面側に配設され配線材１２０と接続される裏面側集電極１１９と、を有し、端部側に、受光面側集電極１１５のうち表面部材に臨む部分の面積が、内側に位置する太陽電池１１ｂの受光面側集電極１１５のうち表面部材に臨む部分の面積よりも大きくされた太陽電池１１ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの製造効率を効率良く製造することができる太陽電池セルおよび配線シート、ならびにこれらを用いた配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】第１導電型用電極と第２導電型用電極とから構成される電極パターンが回転対称性を有して電極パターンの両側に位置する電極が同一の導電型の不純物拡散層に電気的に接続されるものである太陽電池セル、第１導電型用配線と第２導電型用配線とから構成される太陽電池セル接続配線パターンが回転対称性を有して太陽電池セル接続配線パターンの両側に位置する配線材が太陽電池セルの同一の導電型用の電極に接続されるものである配線シート、ならびにこれらを用いた配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】
簡易に作製することが可能な高効率の太陽電池素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極を有し
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、前記第一薄膜層の上に一導電型を示す第三薄膜層と、第二電極を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザーを使用することによるＰＮ分離方法では、残渣が分離溝に入り込み、分離溝内部の周辺部に付着し、周辺部に付着した残渣を通じて太陽電池素子の発電時にリーク電流が発生し、太陽電池素子の光電変換効率が低下するという問題があった。
【解決手段】第１の面と、第１の面の裏側の第２の面とを有し、第一の導電型の部分１０と、第二の導電型の拡散層９と、を備えるシリコンウェハ２と、拡散層９上に形成された第一の電極と、シリコンウェハの第一導電型の部分１０と拡散層９とに跨って形成された第一の溝と、シリコンウェハの第一導電型の部分１０と拡散層９とに跨って形成されており、第一の溝７ｂよりシリコンウェハの端部側に配置された第二の溝７ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストでホウ素及びリンの濃度が小さいシリコン塊を回収するためのシリコンスラッジ回収方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンスラッジ回収方法は、シリコン塊を機械加工するときに生じるシリコンスラッジからシリコン塊を再生するためのシリコンスラッジ回収方法であって、被加工シリコン塊の電気抵抗率または不純物の濃度を予め測定する測定工程と、所望の測定値を有するシリコン塊を選別する工程と、選別されたシリコン塊より生じるシリコンスラッジを回収する回収工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面側の出力取出用バスバー部と集電部の重なり部分で割れが発生しても出力損失を最小限に抑える。
【解決手段】表面及び裏面を有する半導体基板１と、半導体基板の表面側及び裏面側のそれぞれに配置された出力取出用バスバー部６，４と、半導体基板の裏面側に配置された集電部５とを備えてなり、半導体基板の裏面側に配置された出力取出用バスバー部４は、半導体基板の中央部及び両端部のそれぞれに形成されている太陽電池素子とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体基板を用いた場合でも、裏面電極近傍における少数キャリアの再結合を従来に比して抑え、耐熱性を改善した裏面電極構造が得られる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型多結晶シリコン基板１０１の受光面側にＮ型拡散層１０２と反射防止膜１０３を形成する工程と、反射防止膜１０３上に表面電極形状に導電性ペーストを形成し、８００℃以上の温度で焼成する工程と、シリコン基板１０１の裏面側に裏面電極構造を形成する工程と、を含み、焼成前に、シリコン基板１０１の裏面上にプラズマＣＶＤ法によって、水素を含む第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を形成し、焼成後で裏面電極構造形成前に、第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を除去する工程をさらに含み、裏面電極構造を形成する工程では、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の水素含有プラズマＣＶＤ膜がシリコン基板１０１の裏面上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高い太陽電池素子、これを使用した太陽電池モジュールおよび太陽光発電装置を提供すること。
【解決手段】 光を受光する第１の面と第１の面の裏側の第２の面とを有する半導体基板２０と、半導体基板２０の第１の面に設けられた第１の電極２２と、インナーリードが取り付けられる第１の部分２５ａと、第１の部分２５ａの側方に延びた第２の部分２５ｂと、を含み、互いに間をあけて半導体基板２０の第２の面上に配列された複数の第２の電極２５と、を有する太陽電池素子３とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの中で欠陥が存在しない領域を特定することが可能な太陽電池の検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の検査装置１０は、通電された状態の１または複数の太陽電池セルを表すセル画像を取得する画像取得部１５と、セル画像を構成する画素の明度に基づいて、太陽電池セルの欠陥の位置を表す欠陥位置情報を生成する欠陥位置情報生成部１６と、セル画像内に区画される、欠陥が存在しない所定以上の面積の無欠陥領域を表す無欠陥領域情報を生成する無欠陥領域情報生成部１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製造する際に、グラビアオフセット印刷を用いてバスバー電極のパターンとグリッド電極のパターンとを導電性ペーストで形成する場合に、バスバー電極とグリッド電極の接続部付近での接続の安定性を高めることができる太陽電池を得ること。
【解決手段】ＰＮ接合面が基板面に平行に形成されたシリコン基板１２と、シリコン基板１２の第１の主面上に第１の方向に延在して平行に複数形成されるグリッド電極２１と、第１の主面上に第２の方向に複数のグリッド電極２１と接続するように形成されるバスバー電極２２と、シリコン基板１２の第２の主面上に形成される裏面電極３０と、を備え、バスバー電極２２は、グリッド電極２１の幅よりも広い幅を有し、かつグリッド電極２１の高さよりも低い高さを有する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させることができる半導体装置、半導体装置の製造方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体基板と、第１導電型半導体基板の表面に形成された低濃度第２導電型不純物拡散層とを含み、第１導電型半導体基板の表面に、低濃度第２導電型不純物拡散層よりも第２導電型不純物濃度の高い高濃度第２導電型不純物拡散層を有し、低濃度第２導電型不純物拡散層と高濃度第２導電型不純物拡散層とが接している半導体装置、半導体装置の製造方法および太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、銀電極より低コストで、かつ銀電極同様に大気等の酸化雰囲気中で焼成可能な銅系電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品を提供する。また、本発明は、窒素等の不活性ガス雰囲気で低温焼成可能な電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも金属粒子と酸化物相からなる電極であって、金属粒子が銅とアルミニウムを含み、かつ酸化物相がリンを含むことを特徴とする。好ましくは、その酸化物相は金属粒子の粒界に存在し、リン酸ガラス相となっている。好ましくは、金属粒子が７５〜９５体積％及び、酸化物相が５〜２５体積％である。また、金属粒子中の銅とアルミニウムの好ましい組成範囲は、酸化雰囲気の焼成では８０重量％以上と３重量％以上、不活性ガス雰囲気の焼成では９７重量％以上と３重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】基板表面に細幅で厚みもあり、かつエッジがシャープな電極線を形成することができる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】表面にｎ型拡散層１３が形成されたｐ型シリコン基板１２の裏面上に裏面電極層を形成する裏面電極層形成工程と、表面上に複数平行に延在するグリッド電極形成層、およびグリッド電極形成層間を接続するバス電極形成層を形成する表面電極層形成工程と、シリコン基板１２を焼成する焼成工程と、を含み、表面電極層形成工程は、シリコン基板１２の表面上に、凹版オフセット印刷法で、グリッド電極形成層とバス電極形成層のパターンに導電性ペーストを印刷して第１の電極層形成層２１１Ａを形成する工程と、第１の電極層形成層２１１Ａ上に第２の電極層２１２Ａを重ねて形成する工程と、スクリーン印刷法で、第２の電極層形成層２１２Ａ上に導電性ペーストを重ねて印刷して第３の電極層形成層２１３Ａを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反射光の再取り込み量を大きくしながら、断線を生じない安定した表面電極を形成することができる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板１２の第１の主面上のテクスチャ構造形成領域Ｒ_Tではレーザ光の照射中に貫通孔５３を形成可能なエネルギを吸収することができる閾値膜厚以下の厚さで、表面電極形成領域Ｒ_Eでは閾値膜厚よりも厚い第２の厚さで耐エッチング膜５２を形成する工程と、耐エッチング膜５２にレーザ光を照射して、テクスチャ構造形成領域Ｒ_Tの耐エッチング膜５２に貫通孔５３を形成する工程と、シリコン基板１２の露出位置を中心にシリコン基板１２をエッチングして凹部５１を形成する工程と、耐エッチング膜５２を除去する工程と、シリコン基板１２の第２の主面上に裏面電極形成層を形成し、第１の主面上の表面電極形成領域Ｒ_E上に表面電極形成層を形成する工程と、半導体基板を焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有する低濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤上に低濃度ドーパント拡散剤よりもドーパントの濃度が高い高濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって低濃度ドーパント拡散層を形成する工程と、高濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって高濃度ドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）