【課題】水素プラズマ曝露後の導電率が適正な範囲に設定されることにより、漏れ電流が抑制されて変換効率が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも２層の発電セル層９１，９２を備える光電変換層３と、前記発電セル層９１，９２の間に介在する中間コンタクト層５とを含む光電変換装置１００であって、前記中間コンタクト層５が、Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ_２（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができるとともに出力を向上することができる薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を備え、透明電極層が前記半導体光電変換層および裏面電極層よりも分離溝の長手方向に突出しており、透明電極層の突出している部分よりも外側に位置する透明電極層と半導体光電変換層と裏面電極層とが除去されている、薄膜太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１０の製造方法は、溝部３０にレーザー光を照射することにより、光電変換層１３の一部を除去するステップＡと、光電変換層１３上に透明導電膜１４ａを積層するステップＢと、溝部３０にレーザー光を照射することにより、透明導電膜１４ａの一部を除去するステップＣと、透明導電膜１４ａ上に金属膜１４ｂを積層するステップＤと、溝部３０にレーザー光を照射することにより、金属膜１４ｂの一部を除去するステップＥとを含み、ステップＣにより、透明導電膜１４ａは、溝部３０において、光電変換層１３の側壁を覆いながら、第１電極１２に接するとともに、ステップＥにより、金属膜１４ｂは、溝部３０において、透明導電膜１４ａの側壁を覆いながら、第１電極１２に接している。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができるとともに出力を向上することができる薄膜太陽電池およびその薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、少なくとも裏面電極層を分離する分離溝を備え、透明電極層が半導体光電変換層および裏面電極層よりも分離溝の長手方向に突出している薄膜太陽電池とその薄膜太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】開放電圧を増加させることで発電効率を向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】ｐ層４１と、ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記ｎ層４３が結晶質シリコンを主とし、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、前記ｎ層４３の結晶化率が０より大きく３未満である窒素含有層とされる。及び、基板１上に、ｐ層４１と、ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記ｎ層４３として、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、結晶化率が０以上３未満である窒素含有層を、原料ガスに窒素ガスを用い、３０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の高周波周波数で、高周波プラズマＣＶＤ法によって形成する。 （もっと読む）

【課題】中間コンタクト層分離溝を介して中間コンタクト層から電流が漏洩することを可及的に防止した光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とするトップ層９１を製膜する工程と、トップ層９１上に、電気的および光学的に接続される中間コンタクト層９３を製膜する工程と、パルスレーザーを照射して、中間コンタクト層９３を除去するとともに、トップ層９１まで到達する中間コンタクト層分離溝１４を形成して中間コンタクト層９３を分離する工程と、中間コンタクト層９３上および中間コンタクト層分離溝１４内に、電気的および光学的に接続されるとともに、微結晶シリコンを主成分とするボトム層９２を製膜する工程とを有する。中間コンタクト層９３を分離するパルスレーザーとして、パルス幅が１０ｐｓ以上７５０ｐｓ以下とされたパルスレーザーを用いる。 （もっと読む）

【課題】中間コンタクト層分離溝を介して電流が漏洩することを可及的に防止した光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とするトップ層９１を製膜する工程と、トップ層９１上に、電気的および光学的に接続される中間コンタクト層９３を製膜する工程と、パルスレーザーを照射して、中間コンタクト層９３を除去するとともに、トップ層９１まで到達する中間コンタクト層分離溝１４を形成して中間コンタクト層９３を分離する工程と、中間コンタクト層９３上および中間コンタクト層分離溝１４内に、電気的および光学的に接続されるとともに、微結晶シリコンを主成分とするボトム層９２を製膜する工程とを有する。中間コンタクト層分離溝１４は、トップ層９１のｉ層内にて終端している。 （もっと読む）

【課題】平行平板方式と同程度の規模の搬送装置を設けた成膜装置で、可撓性基板のしわを防止し、可撓性基板裏面への傷を防止しながら、連続搬送が可能な搬送装置を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】一方の端から他方の端に、可撓性基板６０１を連続して搬送させる手段を備えた搬送装置を設けた成膜装置において、成膜装置の電極の一方が弧に沿って配列された複数の円筒形ローラー６０２を有し、他方の電極がその弧に沿った曲面を有している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電性能を安定させるとともに、太陽電池の製造時における歩留まりの向上を図ることができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】メンテナンス等で大気開放された後に閉じられた容器の内部の気体を排気して真空度を上げる排気工程Ｓ２と、不活性ガスに酸素原子を含む混入ガスを所定濃度だけ混合させた混合ガスを排気された容器の内部に満たし、容器の内部に配置されたターゲットと基板との間に電圧を印加して、太陽電池を構成する膜を基板に製膜する本製膜工程Ｓ４と、本製膜工程Ｓ４の前に、混合ガスにおける混入ガスの濃度を、所定濃度よりも低くした混合ガスを容器の内部に供給して、基板に膜を所定期間の間だけ製膜する初期製膜工程Ｓ３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開放電圧を増加させるとともに、ｎ層と裏面側透明電極層または中間コンタクト層とのコンタクト性を改善して形状因子を向上させた光電変換装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、ｐ層４１とｉ層４２とｎ層とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記ｎ層が、窒素含有ｎ層４３と、該窒素含有ｎ層４３の前記基板１と反対側の面に形成された界面処理層４４とを備え、前記窒素含有ｎ層４３が、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、結晶化率が０以上３未満であり、前記界面処理層４４が、結晶化率１以上６以下であることを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、半導体よりなるナノ結晶粒が分散された、ポリシラザンを含有する液体を塗布することにより塗布膜を形成し、前記塗布膜に熱処理を施すことにより前記ナノ結晶粒(d)を含有する酸窒化シリコン膜(8z)を形成する。熱処理は、酸素又は酸素化合物含有の窒素雰囲気下で行われ、雰囲気中の酸素濃度を調整することにより、酸窒化シリコン膜中の酸素と窒素の組成比を調整する。かかる方法によれば、簡易な方法で酸窒化シリコン膜中にナノ結晶粒を閉じ込めることができる。また、酸窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ₂）と比較し、バンドギャップが小さいため、量子井戸の深さを浅くすることができる。さらに、酸素と窒素の組成比を調整することで、酸窒化シリコン膜のバンドギャップをＳｉＯ₂のバンドギャップである９ｅＶからＳｉ₃Ｎ₄のバンドギャップである５ｅＶの間で調整できる。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置の信頼性（耐久性）と変換効率を向上させる。
【解決手段】 裏面透明導電層と裏面金属層と間に、反射率改善体を含む導電性反射率改善層を設ける。反射率改善体は裏面透明導電層を形成する材料より屈折率が低い材料、さらにはＬｉＦが好ましく、これを好ましくは島状に設けることにより、裏面金属電極の付着力が向上して剥離が生じにくくなるとともに、裏面金属電極の反射率が向上し、光電変換装置の信頼性と効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】製造スループットの低下や裏面反射電極の接続不良を引き起こすことなく分離溝の側壁面におけるサイドリークの発生を防止して、高いモジュール変換効率が得られる薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続するように、透光性絶縁基板上に、第１電極層と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層と第３導電型半導体層とが順次積層された発電層と、第２電極層と、を形成し、第２電極層から第１電極層まで達する分離溝をレーザスクライブにより形成してすることにより複数のセルに分離し、分離した透光性絶縁基板を酸化処理液に浸漬して薄膜太陽電池セルに光照射することによりセルで発電させながら、分離溝の側壁面を光酸化反応により酸化させて第２導電型半導体層よりも大きな電気抵抗値を有する高抵抗層を分離溝の側壁面に形成する。 （もっと読む）

【課題】１光子の吸収により複数の励起子を生成させる効果が大きく、かつキャリア移動度が十分大きい光電変換素子を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた光電変換素子。（ａ）光電変換素子は、量子ドット配列構造を有するｉ層と、ｉ層の電子取り出し端側に形成されたｎ型半導体層及び電子取り出し電極と、ｉ層の正孔取り出し端側に形成されたｐ型半導体層及び正孔取り出し電極とを備える。（ｂ）量子ドット材料の電子の有効質量（ｍ_e）は、０．１以下。（ｃ）量子ドット材料の電子と正孔の有効質量比ｍ_e／ｍ_hは、０．３以下。（ｄ）量子ドット材料のε_g(bulk)＋ε_e1＋ε_h1は、０．５≦ε_g(bulk)＋ε_e1＋ε_h1≦１．４ｅＶの範囲。（ｅ）電子の障壁ポテンシャルＶ_eは、ε_g(bulk)＋ε_e1≦Ｖ_e≦５．０ｅＶの範囲。（ｆ）正孔の障壁ポテンシャルＶ_hは、０．１≦Ｖ_h≦０．５ｅＶの範囲。（ｇ）障壁層の厚さｄは、１≦ｄ≦５ｎｍの範囲。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換層の間に導電性を有する中間層を備える場合にも背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に基板側電極３を第１開溝部３ｃで分離した第１基板側電極３ａと第２基板側電極３ｂ、第１光電変換層４、中間層５、第２光電変換層６を形成する。そして第２光電変換層６上に透光性導電層７を形成した後、第１基板側電極３ａ上において、中間層５、第２光電変換層６および透光性導電層７を切断する第２開溝部１０ａ内に、中間層５の切断部を覆い、かつ、透光性導電層７上に沿って延びるように絶縁部材８を形成するとともに、第１光電変換層４、中間層５、第２光電変換層６、透光性導電層７を貫通し、第１基板側電極３ａの表面が露出する第３開溝部１０ｂを介して第１基板側電極３ａと第２基板側電極３ｂ側の第２光電変換層６とを電気的に接続する背面電極９と、を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換層の間に導電性を有する中間層を備える場合にも、背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、基板側電極３を第１開溝部３ｃで分離した第１基板側電極３ａと第２基板側電極３ｂ、第１光電変換層４、中間層５、第２光電変換層６を形成する。そして、第１基板側電極３ａ上において、少なくとも中間層５および第２光電変換層６を切断する第２開溝部１０ａ内に、少なくとも中間層５の切断部を覆い、かつ、第１開溝部３ｃの上面上に対応する第２光電変換層６上に沿って延びるように絶縁部材８を塗布形成した後、少なくとも第１光電変換層４、中間層５、第２光電変換層６を貫通するとともに、第１基板側電極３ａの表面が露出する第３開溝部１０ｂを介して第１基板側電極３ａと第２基板側電極側３ｂの第２光電変換層６とを電気的に接続する背面電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン系およびＣＩＳ系薄膜光電変換ユニットを直列接続することにより短絡電流値を高い値でバランスさせ、高い開放電圧を有する、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供する。
【解決手段】多接合型薄膜光電変換装置は、シリコン系薄膜光電変換ユニット３、５及びＣＩＳ系薄膜光電変換ユニット７を備え、中間層４、６を介してこれらを直列接続している。シリコン系薄膜光電変換装置では光電変換が難しい１１００ｎｍ以上の近赤外光の光電変換が可能であり、太陽光スペクトルを幅広く利用することが可能である点から、より高効率な多接合型薄膜光電変換装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、光電変換セル同士を繋ぐ配線の製造工程を簡略化することを目的の一とする。また、光電変換セル同士を繋ぐ配線の断線不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】第１単結晶半導体層の一方の面に第１電極を他方の面に第２電極を有する第１光電変換セルと、第２単結晶半導体層の一方の面に第１電極を他方の面に第２電極を有する第２光電変換セルを有する光電変換装置である。この光電変換装置は、第１光電変換セル及び第２光電変換セルは支持基板に並置固定される。そして、第２単結晶半導体層は第１電極に達する貫通口を有し、第１単結晶半導体層の第２電極が前記貫通口まで延長されて、第１光電変換セルの第２電極と第２光電変換セルの第１電極が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜付き透明基板と、微粒子を用いた反射抑制膜と、光電変換ユニットとの相互作用により、光電変換装置の光電変換効率を改善する。
【解決手段】ガラス板２上に、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平均粒径を有する微粒子を含み、この微粒子が露出して表面に凹凸が形成された反射抑制膜１を形成する。ガラス板２の反対側の表面には透明導電膜４を形成し、透明導電膜付きガラス板の状態で、波長域８００ｎｍ〜９００ｎｍにおける光線透過率を７５％以上とする。光電変換ユニットとしては、少なくとも、バンドギャップが１．８５ｅＶ以下の光電変換層を含む光電変換ユニット、例えば膜厚が１０μｍ以下である結晶質シリコン系光電変換ユニット６を形成する。 （もっと読む）

【課題】塗布型材料を使用した湿式塗工法によって作製することにより、多接合型太陽電池に使用する際に求められる、良好な光透過性、高い電気伝導性、低屈折率などの各要件を満たすことができるとともに、真空成膜法を用いずに作製することによりランニングコストの低減を図ることができる、透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用透明導電膜は、多接合型太陽電池の光電変換層間に設けられ、導電性微粒子及びバインダを含む透明導電膜用組成物を湿式塗工法を用いて塗布して得られた塗膜を焼成することにより形成され、導電膜を構成する母材中には導電性成分が５〜９５質量％の範囲内で存在し、導電膜の厚さが５〜２００ｎｍの範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）