【課題】背面電極内に光透過部をパターン形成することによって光透過部を通して太陽光が透過されるようにし、従来の薄膜型太陽電池に比べて光透過領域が増加し、ガラス窓の代用とするのに充分な可視圏を確保できる薄膜型太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に所定間隔離間して形成される前面電極と、前面電極上にコンタクト部または分離部を介在して離間して形成される半導体層と、コンタクト部を通じて前面電極と連結され、分離部を介在して離間して形成される背面電極と、を含んでなり、ここで、光透過領域を増大させるために、所定部分に光透過部が設けられるように背面電極がパターン形成されたことを特徴とする薄膜型太陽電池及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｉ層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制すると同時にドーパントの活性化を行うことにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１上に、第１透明電極１２と、ｐ型シリコン層１３、ｉ型シリコン層１４及びｎ型シリコン層１５からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極１６とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、ｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層上にｉ型シリコン層１４を積層し、更にｉ型シリコン層１４上にｎ型シリコン層１５またはｐ型シリコン層を積層することにより、前記ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑化させることなく、高効率な光電変換装置を提供する。
【解決手段】一導電型である第１不純物半導体層と、結晶質半導体の占める割合が非晶質半導体よりも多い第１半導体領域と、非晶質半導体の占める割合が結晶質半導体よりも多く、且つ非晶質半導体中に放射状結晶と針状の成長端を有する結晶が混在する第２半導体領域と、を含む半導体層と、第１不純物半導体層と逆の導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層され半導体接合を構成するユニットセルを有する。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂接着剤からの脱気を促進することにより、太陽電池の集電効率及び配線材の接着性を向上した太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１００において、一の接続用配線材２０の芯材２０Ａと受光面１０Ａとの間隔ε１は、他の接続用配線材２０の芯材２０Ａと裏面１０Ｂとの間隔ε２に略等しい。 （もっと読む）

【課題】中間層と裏面電極との間の接触による特性の低下を抑制する。
【解決手段】表面電極２２と裏面電極３０との間に第１太陽電池ユニット２４と第２太陽電池ユニット２８とを導電性を有する中間層２６を挟み込んで積層した光起電力装置において、表面電極２２の表面まで第１太陽電池ユニット２４、第２太陽電池ユニット２８及び中間層２６を貫いて形成された溝Ｂを介して表面電極２２と裏面電極３０とが電気的に接続され、裏面電極３０と接する中間層２６の端部２６ａにドーパントを添加することによってＰＮ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率に優れた薄膜太陽電池セルおよび薄膜太陽電池を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板２上に、透明導電膜からなる第１電極層３と、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層４ａ、４ｂ、４ｃと、透明導電膜からなる第２電極層５と、光を反射する裏面反射層６と、光学的に透明な微粒子７と、前記微粒子７を覆う光学的に透明な絶縁層８と、がこの順で積層され、前記透光性絶縁基板２側から入射して前記裏面反射層６を透過した入射光が、前記微粒子７内に入射し、該微粒子７内で反射することにより前記裏面反射層６および前記第２電極層５を通過して前記光電変換層４に再入射する。 （もっと読む）

【課題】
基板の一主面上に、第１導電性透明膜、半導体層、導電性透明電極が順次積層され、基板の他の主面上に金属膜が形成され、基板に開けた接続孔を介して、第１導電性透明膜と金属膜が接続された薄膜太陽電池において、半導体層の回り込みにより、半導体層と金属膜が接触して金属・半導体接合が形成され、太陽電池の特性が低下することを防止する手段を提供する。
【解決手段】
金属膜の表面上に第３導電性透明膜を形成することによって、半導体層を形成する際に、半導体層の回り込みが生じても、半導体層と金属膜の接触を防止できる。このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。 （もっと読む）

【課題】中間層と裏面電極との間の接触による特性の低下を抑制する。
【解決手段】表面電極２０と裏面電極３０との間に第１太陽電池ユニット２４と第２太陽電池ユニット２８とを導電性を有する中間層２６を挟み込んで積層した光起電力装置において、中間層２６と、表面電極２０と裏面電極３０とを接続する電極接続層３２との間にショットキー障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】
基板上に少なくとも金属電極、導電性透明膜、半導体層、導電性透明電極がこの順で積層されてなる薄膜太陽電池において、金属電極表面のテクスチャー構造の影響を受けて、半導体層の膜質が低下し、変換効率が低下することを抑止する手段を提供する。
【解決手段】金属電極の上に形成する導電性透明膜の膜厚を０．５μｍ以上に形成することにより、金属電極表面のテクスチャー構造の影響を減少し、半導体層の膜質の低下を抑止する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池とその電力を蓄電する電気二重層キャパシタをプラスティックフィルムの両面に一体化した小型、軽量で柔軟性のある昼夜使用可能な電源モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池６と電気二重層キャパシタデバイス７とを一枚のプラスチックフィルム１の両面に隔離して設置することとし、該フィルムの両面にあらかじめ電極となる薄膜導電層１２，１３を設け、その上に各々のデバイスを構成する。最終外形は両方のデバイスを各々の導電薄膜電極４１、５１が付いているプラスティックフィルム４、５で密封接着した構造にする。 （もっと読む）

【課題】高湿下での強度や水蒸気バリア性に優れ、ＭＤとＴＤとの熱膨張率差が小さい基板を備えた太陽電池を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン層、多結晶シリコン層及び多結晶化合物層からなる群から選ばれる少なくとも１つの発電層と、液晶ポリエステル層と、導電層とで、太陽電池を構成する。前記液晶ポリエステル層は、溶剤可溶性の液晶ポリエステルから形成する。前記液晶ポリエステル層は、溶剤可溶性の液晶ポリエステルから形成された液晶ポリエステルフィルムであるか、液晶ポリエステルと繊維シートとから形成されたプリプレグであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、ｐｉｎ接合を有する電池層９１，９２，９３を３層積層された光電変換層３と、裏面電極層４とを備える光電変換装置１００であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層９１が、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の非晶質シリコンｉ層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層９３が、膜厚が７００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の結晶質シリコンゲルマニウムｉ層を有し、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対する前記ゲルマニウム原子の割合が１５原子％以上２５原子％以下であり、前記入射部の電池層９１と前記底部の電池層９３との間に設けられた中間部の電池層９２が、膜厚が１０００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の結晶質シリコンｉ層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第２セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第２セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第１セル層膜厚とに基づき、第２セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。該膜厚計測方法により第２セル層の膜厚を算出する第２セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。該膜厚計測方法に基づき、基板面内の任意位置における第２セル層の膜厚を算出する工程と、第２セル層の膜厚が許容膜厚範囲から外れる場合に、第２セル層製膜条件を調整する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を、簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法の第一の形態は、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層および第１のｎ型半導体層を有する非晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程と、第２のｐ型半導体層、ｉ型結晶質シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を有する結晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程とを各々プラズマＣＶＤ成膜室内で一室成膜により行ない、非晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程は、第１のプラズマＣＶＤ成膜室内における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下であって、電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カバレージが良好なｎ層を高速で製膜することにより、高生産性と高変換効率とを両立させた光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により、基板１上にシリコン系の光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記光電変換層３を形成する工程が、結晶質シリコンからなるｉ層４２を形成する工程と、該ｉ層４２上に、水素希釈率０倍以上１０倍以下の条件でｎ層４３を形成する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
従来のシリコンアモルファス型太陽電池では、高価な真空装置を用いるため、製造コストが高くなるという欠点があった。また、シリコン結晶型太陽電池では、高純度なシリコン結晶やポリシリコン結晶を多量に用いるため、製造コストが高くなるという欠点があった
【課題を解決するための手段】
少なくとも表面に共有結合した有機薄膜で被われているｎ型シリコン微粒子層と表面に共有結合した有機薄膜で被われているｐ型シリコン微粒子層の間に有機薄膜で被われているｎ型シリコン微粒子と有機薄膜で被われているｐ型シリコン微粒子のｐｎ微粒子混合層が形成されていることを特徴とする高効率の太陽電池および高感度の光センサーを提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの裏面電極膜と裏面保護シートの開口部端面との間の絶縁耐圧を十分に確保する。
【解決手段】透光性絶縁基板５１上に、透明電極膜、光電変換層、裏面電極膜からなる太陽電池セル５５が積層され、この太陽電池セル５５の裏面電極膜上に、絶縁状態のリード線６２，６３と、このリード線６２，６３の出力リード部６２ａ，６３ａを導出するための開口部６５ａを有するバックフィルム６５とが順次積層された太陽電池モジュールにおいて、太陽電池セル５５の裏面電極膜とバックフィルム６５との間に、前記バックフィルム６５の開口部６５ａを完全に覆うように絶縁シート１１が配置された構成となっている。この絶縁シート１１は、バックフィルム６５の開口部６５ａの縁部全周を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層の厚さを減らし、短絡電流密度（Jsc）を増加させることのできる反射構造を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】反射構造を有する太陽電池は、積み重ねられたフロント接点と、Ｐ層と、Ｉ層と、Ｎ層と、バック接点とを含む。反射構造を有する太陽電池は、Ｎ層が低屈折率層で、低屈折率層の屈折率がＩ層の屈折率よりも低いことを特徴とする。さらに、Ｎ層は、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねた複数の膜から成る多層構造であってもよい。多層構造においてＩ層に接する膜は、低屈折率膜である。低屈折率膜の屈折率は、Ｉ層の屈折率よりも低い。 （もっと読む）