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Fターム[5F051AA04]の内容

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Fターム[5F051AA04]に分類される特許

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【課題】製膜される膜の高品質化を図るとともに、大面積化および製膜速度の高速化を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマを生成するリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室2と、放電室2に隣接して配置され、リッジ電極に向かってプラズマの形成に用いられる母ガスを供給するガス供給部10と、放電室2との間にガス供給部10を挟む位置に配置され、プラズマによる処理が施される基板Sと、少なくとも放電室2、ガス供給部10および基板Sを内部に収納する減圧容器7と、減圧容器7におけるガス供給部10との間に放電室2を挟む位置に連通され、減圧容器7内部の圧力を低減させる排気部9と、が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34と、を積層したアモルファスシリコンユニットを含む太陽電池を形成する際に、p型層30を成膜する工程において、p型ドーパントが第1ドーパント濃度で添加された高吸収アモルファス炭化シリコン層30aと、高吸収アモルファス炭化シリコン層30aよりi型層32側にp型ドーパントが第1ドーパント濃度よりも低い第2ドーパント濃度で添加された低吸収アモルファス炭化シリコン層30bと、低吸収アモルファス炭化シリコン層30bとi型層32との間に炭化シリコンバッファ層とを成膜し、特に、低吸収アモルファス炭化シリコン層30bを成膜後、供給ガスの混合比の調整を行う前に成膜装置内を真空に排気しないようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、信頼性が高く、かつ光閉じ込めに有効な凹凸をもつ薄膜光電変換装置を提供することである。
【解決手段】本発明によれば、基板に近い側から順に、第一電極層、1以上の光電変換ユニットを含む半導体層、第二電極層を、順次配置した構造を含む薄膜光電変換装置であって、基板と第一電極の間に下地層を含み、かつ前記下地層が基板の一主面に平行な方向に微細な周期的凹凸を有することを特徴とすることによって、課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30、i型層32、n型層34を積層した薄膜太陽電池の製造方法であって、i型層32はアモルファスシリコン層であり、n型層34は微結晶シリコン層であり、n型層34を形成する工程において、i型層32から離れるにしたがってn型ドーパントのドーピング濃度を高くする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34を積層したアモルファスシリコンユニットを有する太陽電池の製造工程において、p型層30を成膜する工程は、i型層32から離れるにしたがってp型層30に含まれるp型ドーパントのドーピング濃度を高くするものであり、特に、高吸収アモルファス炭化シリコン層と低吸収アモルファス炭化シリコン層とをプラズマを発生させた状態を維持したまま連続的に形成するものとする。 (もっと読む)


【課題】中間反射層の膜質、膜厚が均一である積層型光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板の一方の主面上に順次積層された透明電極層、pin接合からなりi型層が実質的に非晶質シリコンであり、n型層の一部がシリコンと酸素との非晶質合金中にシリコン結晶層を含むn型のシリコン系複合層である第一の光電変換ユニット、pin接合からなりi型層が実質的に結晶質シリコンである第二の光電変換ユニット、及び裏面電極層からなる積層型光電変換装置の製造方法であって、前記第一の光電変換ユニット形成後にn型層側から光を入射しラマン散乱スペクトルを測定した場合、結晶シリコン成分のTOモードピークのピーク位置が516cm-1以上519cm-1以下となるように光電変換ユニットを形成することを特徴とする積層型光電変換装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】変換効率の高い光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外光入射側の第1の面200と、前記第1の面200と対向する第2の面202を有するインジウム亜鉛酸化物層20を有し、第2の面202から第1の面200へ、インジウム亜鉛酸化物層20の屈折率が小さくなるように変化している光電変換素子1。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池の裏面電極の特性を向上させる。
【解決手段】薄膜太陽電池の光入射側とは反対側の面に裏面電極層として透明電極層及び金属層の積層構造を形成する際に、1つの基板10に対して透明電極層の成膜を終了するタイミングと金属層の成膜を開始するタイミングとを合わせる。 (もっと読む)


【課題】発電効率に優れた薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】
透光性絶縁基板上に、透明導電膜からなる透明電極層と、半導体膜からなり光電変換を行う発電層と、光を反射する導電膜からなる裏面電極層と、がこの順で積層されてなる複数の薄膜太陽電池セルが配設され、隣接する薄膜太陽電池セルの間に一方のセルの透明電極層に達する発電層の溝部を有して、前記溝部内で前記一方のセルの前記透明電極層と他方のセルの前記裏面電極層とが電気的に直列接続された薄膜太陽電池であって、前記溝部の前記他方のセル側の前記発電層の側部に前記溝部が延在する第1の方向に沿って前記発電層の上面から前記透明電極層へ向かって厚みが薄くなり前記透明電極層に達する傾斜部と、前記溝部内の前記一方のセルの前記透明電極層上から前記傾斜部の傾斜面上を経て前記他方のセルの前記裏面電極層に連続する導電膜と、を備える。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池の裏面電極の特性を向上させる。
【解決手段】薄膜太陽電池を形成する太陽電池の製造方法であって、薄膜太陽電池の光入射側とは反対側の面に裏面電極層として透明電極層及び金属層の積層構造を形成する際に、1つの基板10に対して透明電極層と金属層とを同時に成膜する期間を設ける。 (もっと読む)


【課題】少なくとも一つ以上の光電変換ユニットを有する光電変換装置に関して、高い短絡電流密度を得ることが可能で、十分な変換効率が得られる構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つ以上の光電変換ユニットを有する光電変換装置であって、前記光電変換ユニットが光入射側に凹凸構造を有し、かつ前記1つ以上の光電変換ユニットのうち、光入射側から最も遠くに配置された光電変換ユニットにおける光入射の反対側に隣接して周期的屈折率変化を有する構造物を配置したことを特徴とする光電変換装置である。 (もっと読む)


【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池において、各半導体接合界面や集電極付着界面で各層の剥離が起こりやすく、生産性および耐久性に悪影響を与えるという課題があった。
【解決手段】
厚みが200μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも1層に1〜20nmの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 (もっと読む)


【課題】アップコンバージョン材料を利用することで、変換した光の利用効率を高め、さらに直列抵抗成分を増加させないようにした薄膜光電変換装置を得ること。
【解決手段】絶縁性透明基板1上に、透明導電層2、光電変換層32、42、62、透明導電層7、および裏面反射電極層9が順に積層された薄膜光電変換装置であって、透明導電層7と裏面反射電極層9との間に、波長変換層8を有し、波長変換層8は、絶縁性透明基板1から入射して光電変換層32、42、62を通過した光の波長をより短い波長に変換する材料を含有し、かつ、層内に透明導電層7と裏面反射電極層9とを電気的に接続する導電部10を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池において、光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供することにある。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記n型シリコン系薄膜層と接して酸化亜鉛層を主成分とする導電性酸化物層を備えた結晶シリコン太陽電池であって、前記n型シリコン系薄膜層が、前記実質的に真正なシリコン薄膜層と接してなるn型非晶質シリコン系薄膜層と、該n型非晶質シリコン層及び前記酸化亜鉛層を主成分とする導電性酸化物層と接してなるn型微結晶シリコン系薄膜層を含む、結晶シリコン太陽電池。 (もっと読む)


【課題】夜間に快適な照明を得ることができるとともに、昼間でも開放感を得られる照明装置付屋根構造体を提供する。
【解決手段】上下方向に二枚積層された光透過性板材10,11と、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換するソーラーパネル30と、上下二枚の光透過性板材10,11とソーラーパネル30を支持する枠材50と、ソーラーパネル30で変換した電気エネルギーを蓄えるバッテリー70と、照明用光源80とを備えた照明装置付屋根構造体1であって、ソーラーパネル30は、光透過性のバックシート32を備え、上下二枚の光透過性板材10,11間に配置されており、下側に配置される光透過性板材11は、上下両面から光を放射するエッジライト式両面導光板によって構成されている。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、高濃度アモルファス炭化シリコン層30aよりp型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層30bと、低濃度アモルファス炭化シリコン層30bとi型層32との間に形成されたバッファ層30cとを設ける。ここで、バッファ層30cの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層30a及び低濃度アモルファス炭化シリコン層30bの膜厚よりも厚くする。 (もっと読む)


【課題】セル分離時における裏面電極層の金属残渣の発生に起因したセル分離部の絶縁抵抗の低下や短絡の発生を防止して発電効率および歩留まりに優れた薄膜太陽電池を製造することができる薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】光電変換層上に中間導電体層を形成する工程と、中間導電体層の表面から第1電極層の表面まで達する分離溝を形成する工程と、中間導電体層が光電変換層の側壁部から分離溝の内部方向に突出した突出部を形成する工程と、中間導電体層の表面から第1電極層の表面まで達する接続溝を形成する工程と、接続溝内において第2電極層と第1電極層とを電気的に接続するとともに分離溝内において第2電極層と第1電極層とを電気的に絶縁するように、突出部の下面または光電変換層の側壁部の少なくとも一部には導電膜を被覆せずに、導電膜を中間導電体層上および接続溝内に形成して第2電極層を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換特性、および信頼性に優れた積層型薄膜光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】透光性基板1上に順次積層された裏面透明導電層2、導電性を有するレーザ光吸収層3、裏面電極層4、半導体光電変換ユニット5、および受光面透明電極層6を含み、これらの層をレーザビームによって加工する。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、p型ドーパントが実質的に添加されていないシリコン層30bと、シリコン層30bとi型層32との間に形成されたバッファ層30cとを設ける。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は波長600nmの光に対する吸収係数が膜厚方向に互いに異なる高吸収アモルファス炭化シリコン層30aと低吸収アモルファス炭化シリコン層30bとを含み、低吸収アモルファス炭化シリコン層30bとi型層32との間にバッファ層30cを設ける。 (もっと読む)


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