【課題】光電変換特性、および信頼性に優れた積層型薄膜光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】透光性基板１上に順次積層された裏面透明導電層２、導電性を有するレーザ光吸収層３、裏面電極層４、半導体光電変換ユニット５、および受光面透明電極層６を含み、これらの層をレーザビームによって加工する。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、ｐ型ドーパントが実質的に添加されていないシリコン層３０ｂと、シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間に形成されたバッファ層３０ｃとを設ける。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は波長６００ｎｍの光に対する吸収係数が膜厚方向に互いに異なる高吸収アモルファス炭化シリコン層３０ａと低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂとを含み、低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間にバッファ層３０ｃを設ける。 （もっと読む）

【課題】選択的波長の反射率を高めた透明複合シートにより光閉じ込め効果を誘起させ太陽電池の変換効率の高い太陽電池用基板を提供すること。
【解決手段】透明樹脂と球状ナノ微粒子を含む透明複合シートで、前記球状ナノ粒子が充填配列構造を成している透明複合シートから構成される太陽電池用基板であり、好ましくは透明複合シートが光照射下で全光線透過率が８０％以上かつ構造発色による光を反射するものであり、前記球状ナノ粒子の一次粒子の平均粒子径が１５〜５００ｎｍである太陽電池用基板。 （もっと読む）

【課題】受光面積の増大が可能であり、従来、太陽電池表面で反射してしまい、有効に利用できなかった光を有効に利用でき、かつ信頼性、寿命、光の変換効率の高い太陽電池パネル、太陽電池ユニット、太陽電池ユニット集合体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の太陽電池パネルは、可撓性を有する薄膜光電変換層を―対の電極間に備えてなる太陽電池フィルム２を、その―辺に平行な複数列の畝２ａを成すように屈曲して波板状とし、この太陽電池フィルム２を支持体３上に配設してなる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの製造工程を簡素化する。
【解決手段】同一のレーザ装置を用いて、透明電極１２上に形成された光電変換ユニット１４及び裏面電極１６を透明電極１２の表面まで切断してスリットＳ４を形成すると共に、透明電極１２のスリットＳ２内に形成された光電変換ユニット１４及び裏面電極１６をスリットＳ４の方向と交差する方向に沿って切断してスリットＳ５を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】透光性を有する被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板の被製膜面に向けて原料ガスを供給した状態で前記原料ガスのプラズマ６を発生させて前記プラズマ６により前記原料ガスを分解して前記被製膜面に堆積させることで微結晶シリコン膜７の製膜を行う製膜室Ｒと、前記微結晶シリコン膜７の結晶化率を、前記被処理基板２における前記被製膜面と反対側からラマン分光法により前記基板ステージ１および前記被処理基板２を通して測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換部材において、光電変換に寄与しない波長の光による加熱を防止することである。
【解決手段】位相差フィルムとコレステリック液晶フィルムを含む反射シートを備え、光電変換に寄与する波長を透過し、当該反射シートにより特定波長の入射光を反射するように構成された光電変換部材が得られる。 （もっと読む）

【課題】ｉ型の結晶質シリコン系光電変換層を含むシリコン系薄膜光電変換装置を高性能化する。
【解決手段】透光性基板１上に、透明電極層２０と、少なくとも１つの結晶質シリコン系光電変換ユニット２２と、裏面電極層３とを含む光電変換装置であって、光電変換ユニット２２は、光透過側から順に、ｐ型の結晶質シリコン層２２１と、実質的にｉ型の結晶質シリコン系光電変換層２２２と、膜厚が０ｎｍを越えて５０ｎｍ以下である実質的にｉ型のシリコン界面層２２２Ａと、ｎ型の結晶質シリコン層２２４とを含み、断面においてシリコン界面層２２２Ａとｎ型の結晶質シリコン層２２４との境界として観察される形状から求められる表面粗さＲａが、光電変換層２２２と前記シリコン界面層２２２Ａとの境界の表面粗さＲａよりも小さいことを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な光電変換効率を有するとともに量産および基板の大面積化に適した実用的な光電変換装置に適した半導体膜の成膜方法およびその半導体膜を含む光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、非晶質構造を含む半導体膜をプラズマＣＶＤ法により製造する半導体膜の成膜方法であって、半導体膜は、ＳｉＧｅ系化合物の非晶質膜またはＳｉＧｅ系化合物の微結晶膜であり、プラズマＣＶＤ法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間／（オン時間＋オフ時間）×１００（％）をＤｕｔｙ比とすると、該Ｄｕｔｙ比が１０％以上５０％以下を満たす範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンや微結晶シリコンを光電変換層とした薄膜太陽電池や半導体層表面に色素を担持させて構成した電極を用いた色素増感太陽電池では、太陽光から電気への変換効率の低さが太陽電池普及への最大の問題となっている。本発明は、上記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、一般的なプラスチックフィルムを用いた汎用性のある太陽電池の光電変換率を向上させる太陽電池を提供するものである。
【解決手段】一方の面に光電変換層、及び他方の面に金属電極層が形成されたフレキシブルな基板を、１周以上渦巻き状に周回させ、前記光電変換層と金属電極層を接触させた筒体を、その底面がパネル基板に接するように、パネル基板上に複数配列させた筒体集合体を配置させたことを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】
電磁気学的あるいは光学的デバイスにおいて、特性調整が正確かつ容易なこと、製法上従来工程への付加に障害がないこと、高価な材料を使用しないことなどを踏まえた上で特性を向上させる。
【解決手段】
スパッタ等の手法を用い、平面的に微粒子２を分散させた平面構造で、これを複数層積層することで、微粒子層を形成し、これをデバイスに付加する。この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。また、この微粒子２を金属粒子とすることで、局在表面プラズモンによる効果を利用できる。両者を単独または同時にデバイスに付加し、電磁気学的あるいは光学的特性向上のための補助層とする。 （もっと読む）

【課題】基材上にポリシリコン層を含む光電変換層を設けてなる光電変換デバイスの製造方法および製造装置において、低い基材温度でも膜質の良好な光電変換層を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】基材１０上に、第１電極１１１、ｐ型ポリシリコン層１１２、ｉ型中間層１１３、ｎ型アモルファスシリコン層１１４、第２電極１２を順に積層する。各シリコン層の形成には誘導結合プラズマＣＶＤ法を適用し、特にｉ型中間層１１３については基材温度を段階的に低下させることで、ポリシリコン層、微結晶シリコン層およびアモルファスシリコン層を積層した構造とする。 （もっと読む）

【課題】加工溝の溝深さを所望値にコントロールすることができる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置１０を構成する中間コンタクト層分離溝１５に対してピコ秒レーザを照射するとともに、中間コンタクト層分離溝１５に対してピコ秒レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝１５を形成する溝形成工程を有する光電変換装置１０の製造方法において、溝形成工程は、ピコ秒レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、干渉縞が走査方向に接続されるようにピコ秒レーザを相対移動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｉ層が結晶質シリコンゲルマニウムからなる光電変換層を備え、長波長領域における高い発電特性を示す光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、光入射側から順に、ｐ層４１と結晶質シリコンゲルマニウムｉ層４２とｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層４２中のゲルマニウム濃度が、前記ｐ層４１側から前記ｎ層４３側に向かって段階状に減少するように変化していることを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を薄膜化しても優れた変換効率が得られる薄膜太陽電池およびこのような薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板２と、基板２上に形成され、少なくともｐ型半導体層４ａと、ｎ型半導体層４ｃと、ｐ型半導体層４ａとｎ型半導体層４ｃとの間に位置するｉ型半導体層４ｂとを含む厚さ１μｍ以下の光電変換層４と、光電変換層４の光入射面４ｄに形成された光入射面側電極層５と、光入射面４ｄとは反対側の面に形成された対向電極層３とを具備し、光入射面側電極層５が光照射側電極層５を貫通する複数の開口部５ａを有し、かつその膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、開口部５ａの１つあたりの面積が８０ｎｍ^２以上０．８μｍ^２以下の範囲にあり、光入射面側電極層５の総面積に対する開口部５ａの総面積の割合である開口率が１０％以上６６％以下の範囲にあることを特徴とする、薄膜太陽電池１が提供される。 （もっと読む）

【課題】この発明は、フラックスの塗布量を少なくするともに、信頼性を向上させる製造方法を提供することにある。
【解決手段】 この発明は、複数の太陽電池を配線材により電気的に接続して太陽電池モジュールを製造する方法であって、太陽電池の表面に対してディスペンサ装置３１のノズルからフラックスを吐出して塗布する表面側フラックス塗布工程と、太陽電池の裏面に対してディスペンサ装置３２のノズルからフラックスを吐出して塗布する裏面側フラックス工程と、フラックス工程後に太陽電池と配線材とを重ねた状態で加熱することにより、太陽電池の電極と配線材とを電気的に接続する工程と、を含み、ディスペンサ装置３２のノズルは、太陽電池１の移動方向に対して斜め上方に向けられ、裏面側フラックス工程は、当該ノズルからフラックスを太陽電池１の移動方向に対して斜め方向から吐出して太陽電池１の裏面の電極に塗布する。 （もっと読む）

【課題】タングステン酸化物や複合タングステン酸化物を用いた高い導電性を持つ安価な透明導電膜の製造方法及び得られる透明導電膜、それを用いた透明導電部材、並びに、電子ディスプレイ機器、太陽電池の提供。
【解決手段】一般式（１）で示されるタングステン酸化物（Ａ）、及び／または一般式（２）で示される複合タングステン酸化物（Ｂ）を含む透明導電膜の製造方法であって、原料粉末として、平均粒径が０．０５〜５．０μｍ、及び最大粒子径が１５．０μｍ以下であるタングステン酸化物、及び／または複合タングステン酸化物を用い、エアロゾルデポジション法で、透明基材上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法など。透明導電膜は、５．０×１０^−３Ω／□を下回る導電性を持ち、これを組み入れることで透明導電部材、並びに、電子ディスプレイ機器、太陽電池を安価に製造できる。
ＷｙＯｚ・・・（１）
ＭｘＷｙＯｚ・・・（２） （もっと読む）

【課題】成膜プロセス中に、可撓性基板に付着していた水分等がプロセス雰囲気中に混入する可能性を低くすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板加工装置１００において、真空容器内で、表面に凹凸を有していて加熱された加工部材１６０を可撓性基板５０の表面に押し付ける。加工部材１６０の加熱ロール１６２は加熱されており、かつ表面に凹凸を有している。このため、可撓性基板５０の表面には凹凸が形成される。次いで、成膜装置において、可撓性基板の表面に下部電極を形成する。次いで、次の成膜装置において、下部電極上に光電変換層を形成する。次いで、次の成膜装置において、光電変換層上に上部電極を形成する。 （もっと読む）