【課題】高い出力を示す光電変換装置、及び、高い出力を示す光電変換装置を安定して生産する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、光電変換層３と、裏面電極層４とが順次積層され、透明電極層２のヘイズ率の平均値がｘ_１以上ｘ_２以下であり、ヘイズ率の標準偏差がｙ以下であることを特徴とする光電変換装置１００。透明電極層２を形成する工程が、透明電極層２を製膜する工程と、透明電極層２のヘイズ率を計測する工程と、計測されたヘイズ率から平均値及び標準偏差を算出する工程と、算出されたヘイズ率の平均値及び標準偏差をそれぞれ、予め設定された設定範囲と照合する工程と、ヘイズ率の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が、設定範囲を満たさない場合に、透明電極層２の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ低コストな方法で集電電極を有する集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透光性絶縁基板１上に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子１５を、複数個互いに電気的に直列接続してストリングＳ２を形成するストリング形成工程と、ストリングＳ２中に複数個接続された薄膜光電変換素子１５に直列接続方向Ａに１つまたは複数のストリング分離溝８を形成すべく光ビーム照射を行うストリング分離溝形成工程と、ストリング分離溝８で分割された各薄膜光電変換素子１５ａ、１５ｂ上に、直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに延びる集電電極１６、１７を連続的に接合し、集電電極１６、１７における任意のストリング分離溝８に位置する部分を切断し、直列接続方向Ａの両端の薄膜光電変換素子１５ａ，１５ｂの第２電極層４上に集電電極１６、１７を電気的に接合する。 （もっと読む）

【課題】非破壊、非接触で効率的にかつ高精度で透明導電膜の抵抗率を計測すること。
【解決手段】事前に行われた検査条件選定方法により選定された波長を有するＰ偏光の照明光を該方法により選定された入射角で、製造ラインを搬送される透光性基板上に製膜された透明導電膜に膜面側から照射する光照射装置３と、透明導電膜において反射された反射光を検出する光検出装置２と、検出した光の強度に基づいて該波長についての反射光の光量に係る評価値を算出し、評価値と抵抗率とが予め関連付けられている相関特性を用いて、算出した評価値から抵抗率を求める情報処理装置７とを具備する抵抗率検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に所定パターンで形成された第１電極；前記第１電極上に形成された第１半導体層；前記第１半導体層上に所定パターンで形成された第２電極；前記第２電極上に形成された第２半導体層；及び前記第２半導体層上に所定パターンで形成された第３電極を含み、前記第１電極と前記第３電極は電気的に連結される薄膜形太陽電池、及びその製造方法に関する。
【解決手段】第１電極、第１半導体層及び第２電極の組み合わせによって構成される第１太陽電池と、第２電極、第２半導体層及び第３電極の組み合わせによって構成される第２太陽電池が並列に連結される構成を持つことで、第１太陽電池及び第２太陽電池の間に電流マッチングのための工程が必要ではないながらも基板に入射された太陽光が第１太陽電池及び第２太陽電池それぞれに吸収されて全体薄膜形太陽電池の効率が増進される。 （もっと読む）

【課題】製膜速度の向上や、膜厚分布の均一化などを図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極３に電力を供給する芯線１４ａ，１４ｂの周囲を覆うとともに接地された同軸シールド１２Ｓと、放電電極３に対向して基板８を支持する基板テーブル２と、基板テーブル２とともに放電電極３および基板８の周囲を覆う防着板４と、同軸シールド１２Ｓと防着板４とを電気的に接続する接地接続部４Ａと、防着板４と基板テーブル２とが接近した際に、防着板４と基板テーブル２とを電気的に接続する弾性接続部４Ｅと、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマにより結晶配向性（２２０）の比率が高い良質な微結晶シリコン薄膜を形成可能な表面波プラズマを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、被処理体１００を保持する基板保持部１０６と、チャンバ１０１内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入管１１０ａ，１１０ｂと、チャンバ１０１内にシリコン元素を含む材料ガスを導入する材料ガス導入管１１１ａ，１１１ｂと、マイクロ波を導入するマイクロ波導波管１０２と、基板保持部１０６と対向して設けられ、マイクロ波により基板保持部１０６と対向する面に生成された表面波により、チャンバ１０１内にプロセスガスの表面波プラズマを生成する誘電体板と、基板保持部１０６にＤＣパルスを印加するＤＣパルス電源１０９とを備え、基板保持部１０６にＤＣパルスを印加しながら、表面波プラズマ及び材料ガスを用いて被処理体１００上に微結晶シリコン薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル性を有し、外部ストレスに対して耐性がある信頼性の高い光電変換装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して設けられた第１の封止層および第２の封止層と、対向する第１の封止層と第２の封止層との間に挟持して設けられた光電変換素子群と、を備えている。第１の封止層は、第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体を有し、第２の封止層は、第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体を有し、光電変換素子群の周囲において、対向して設けられた第１の封止層と第２の封止層とが直接接着する領域を有する （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。
【解決手段】被処理体２１に薄膜の材料の粒子を溶媒に分散ないしは溶解させたインクを噴射する噴射ノズル５０を複数配列したインクジェットヘッド４２から、被処理体２１に形成される液膜に複数の気泡を巻き込むような噴射量および噴射速度でインクを多量且つ高速に噴射するようになし、また被処理体２１を加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、溶媒の気化と並行して液膜に閉じ込められた気泡を膨張・破裂させるように急速加熱を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域の透過率が高く、膜の抵抗値が低い薄膜太陽電池用の表面電極と、この表面電極を用いた従来よりも光電変換効率の高い薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】 透光性基板上に、透明導電膜からなる表面電極と、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層の順に積層された光電変換半導体層と、少なくとも光反射性金属電極を備える裏面電極とを順次形成した薄膜太陽電池において、前記透明導電膜が、前記透光性基板側からＴｉをドープした酸化インジウム膜、Ａｌ及びＧａをドープした酸化亜鉛膜の順に設けられた積層体で、前記酸化亜鉛膜の光電変換半導体層側の膜面が凹凸構造であることを特徴とする薄膜太陽電池。 （もっと読む）

【課題】近赤外域の透過率が高く、膜の抵抗値が低い薄膜太陽電池用の表面電極と、この表面電極を用いた従来よりも光電変換効率の高い薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透明導電膜からなる表面電極と、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層の順に積層された光電変換半導体層と、少なくとも光反射性金属電極を備える裏面電極とを順次形成した薄膜太陽電池において、前記透明導電膜が、前記透光性基板側からＡｌ及びＧａがドープされた第一の酸化亜鉛膜、Ｔｉがドープされた酸化インジウム膜、Ａｌ及びＧａがドープされた第二の酸化亜鉛膜の順に設けられた積層体で、前記第一の酸化亜鉛膜の前記酸化インジウム膜側の膜面が凹凸構造であることを特徴とする薄膜太陽電池。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置および光電変換装置モジュールの新規な作製方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に、一表面上に絶縁層および第１電極が順次形成され、所定の深さの領域に脆化層が形成された第１導電型である複数の単結晶半導体基板を貼り合わせた後、脆化層を境として単結晶半導体基板を分割して、絶縁層、第１電極、および第１の単結晶半導体層が順次積層された複数の積層体を形成し、該積層体上に単結晶化した第２の単結晶半導体層、第２導電型である第２不純物半導体層を形成して第１の光電変換層を形成し、第３不純物半導体層、非単結晶半導体層、および第２導電型である第４不純物半導体層を順次形成して第２の光電変換層を形成し、第２電極を形成し、選択的にエッチングして、素子分離された光電変換セルを形成する。一の光電変換セルの第２電極から他の光電変換セルの第１電極へ延在する接続電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンセルを有する薄膜太陽電池において、下地となる導電型膜の影響を受けずに所望の面の配向性が高いｉ層膜を成長させることができ、しかも微結晶シリコンセルの直列抵抗成分を増大させないようにすることができる薄膜太陽電池を得ること。
【解決手段】絶縁透光性基板１０上に、ｐ型微結晶シリコン膜からなるｐ層膜１３、ｉ型微結晶シリコン膜からなるｉ層膜１４およびｎ型微結晶シリコン膜からなるｎ層膜１５が順に積層されてなる光電変換層１２を少なくとも１層含む薄膜太陽電池において、ｉ層膜１４は、第１の結晶化率を有するｉ層膜バルク部１４２と、第１の結晶化率に比して低い第２の結晶化率を有し、ｐ層膜１３側の界面に形成されるｐ／ｉ界面バッファ層１４１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】近赤外域の透過率が高く、膜の抵抗値が低い薄膜太陽電池用の表面電極と、この表面電極を用いた従来よりも光電変換効率の高い薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透明導電膜からなる表面電極と、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層の順に積層された光電変換半導体層と、少なくとも光反射性金属電極を備える裏面電極とを順次形成した薄膜太陽電池において、前記透光性基板が、前記表面電極が設けられる側の基板面が凹凸構造を呈し、前記透光性基板の凹凸構造基板面に、Ｔｉをドープした酸化インジウム膜、ＡｌとＧａをドープした酸化亜鉛膜の順に設けられた積層体からなる透明導電膜の表面電極が設けられていることを特徴とする薄膜太陽電池。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高いシリコン層を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法である。この製造方法は、Ｙ₂Ｏ₃の含有率が６モル％以上であるイットリア安定化ジルコニア層１２を基材１１上に形成する第１の工程と、イットリア安定化ジルコニア層１２上に気相堆積法によってシリコン薄膜１６を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】直列接続構造をなす薄膜太陽電池であって、最下層セルにおけるｎ層の光吸収の低下を抑制し、変換効率が高い薄膜太陽電池の提供。
【解決手段】絶縁性の基板１上に第一電極２、光電変換層４、及び第二電極３を順次形成してなり、光電変換層４が、複数の非単結晶シリコン系薄膜からなるｐｉｎ構造セルで構成され、第一電極上２に形成された光電変換層４が微結晶シリコン薄膜からなるｉ層６を有し、光電変換層４におけるｉ層６の下層５を膜厚２００〜６００ｎｍの非晶質シリコン系材料としたので、光電変換層４における下層５の光吸収の低下を抑制し、変換効率が高いＳＣＡＦ構造の薄膜太陽電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜の材料を粒子として溶媒に分散ないしは溶解させた粘性のインクを噴射する複数の噴射ノズルを備えるインクジェットヘッドから、搬送テーブル３２により搬送される被処理体に対してインクを噴射するときに、各噴射ノズルから噴射したインクが被処理体２１上で凸曲面形状となり、且つ隣接するインク同士が端部において連続した形状となるようにインクを噴射し、被処理体２１上のインクを加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、被処理体２１に形成された各インクが端部から先に順次中央部に向けて熱硬化する上昇温度で緩速加熱を行っている。 （もっと読む）

【課題】シャント成分を低減でき、短絡部分のない高性能な太陽電池を得る。
【解決手段】基板上に、第１導電層、光電変換層、第２導電層をこの順に重ねた構造体を設けた太陽電池の製造方法において、前記基板の第１端部の周辺領域に形成された構造体部分を、第１レーザの照射によって除去し（ステップＳ５）、前記除去により生じた前記構造体の第２端部に、前記第１レーザよりも発光波長が短い第２レーザを照射して、前記第１導電層の第２端部を残したまま、前記光電変換層の第２端部および前記第２導電層の第２端部をクリーニングする（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】シリコンを主成分とする薄膜半導体を有する光電変換層を具備する薄膜太陽電池において、光電変換層と裏面金属電極層との間に、バリア層として、低い基板温度で成膜した場合でも、消衰係数が小さく、光透過性に優れた新規な透明導電膜を備える高効率の薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透光性絶縁基板（１）の上に、透明導電膜からなる表面電極層（２）、シリコン薄膜を含む光電変換層（３）、バリア層（４）、裏面金属電極層（５）が順に形成されており、バリア層（４）が、ガリウムの含有量がＧａ／Ｉｎ原子数比で０．００５〜０．５５であり、比抵抗が５×１０^-3Ωｃｍ未満であるＩＧＯ膜により形成される。ＩＧＯ膜は、スズ、チタン、タングステン、モリブデン、および、ジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでもよい。また、裏面金属電極層（５）を光透過性を有するものとし、両面受光としてもよい。 （もっと読む）

【課題】良好な光電変換効率を有するとともに量産及び基板の大面積化に適した実用的な積層型光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の積層型光電変換装置の製造方法は、第１及び第２光電変換層は、それぞれ、非晶質のシリコン系半導体からなるｉ型非晶質層を有し、第３光電変換層は、微結晶のシリコン系半導体からなるｉ型微結晶層を有するように形成される積層型光電変換装置の製造方法であって、第１、第２及び第３光電変換層は、Ｈ₂ガス及びＳｉＨ₄ガスを含む原料ガスを使用したプラズマＣＶＤ法により同一の成膜室内で連続して形成され、第１及び第２光電変換層は、第１光電変換層のｉ型非晶質層及び第２光電変換層のｉ型非晶質層を形成する際の基板温度が２００℃以下であり、第１光電変換層のｉ型非晶質層を形成する際の基板温度が第２光電変換層のｉ型非晶質層を形成する際の基板温度より低くなるように形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力リード部を垂直に立ち上げるためにその根元部分を折り曲げるとき、被覆している絶縁フィルムによるコシや跳ね返りを弱くすることで、封止絶縁フィルムとバックフィルムとを太陽電池ストリングの全面にラミネート封止するときの出力リード部と封止絶縁フィルム及びバックフィルムの貫通孔との位置合わせを容易とする。
【解決手段】太陽電池ストリング５６の端部に設けられた電極取り出し部６０，６１に一端部が接続された状態で各リード線６２，６３が太陽電池ストリング５６の裏面電極膜上に配置され、この各リード線６２，６３の他端部を裏面電極膜の面から立ち上げるように折り曲げて出力リード部６２ａ，６２ｂが形成されている太陽電池モジュールにおいて、前記リード部６２ａ，６２ｂは、折り曲げ部６６ａ，６６ｂを含む先端部側のリード線の片面のみが絶縁フィルム５９で被覆されている。 （もっと読む）