【課題】第１導電型のａ−ＳｉＣ層と、第２導電型のシリコン含有層、第３導電型のシリコン含有層とが積層された光電変換層を有し、ｐ型アモルファス炭化シリコン層と第２導電型のシリコン含有層との界面でのキャリアの再結合が抑制された光電変換効率に優れた薄膜太陽電池を製造可能な薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】第１導電型のａ−ＳｉＣ層上にバッファ層をプラズマ分解法により形成する工程と、バッファ層上に第２導電型のシリコン含有層をプラズマ分解法により形成する第工程とを有し、バッファ層を形成する工程は、第１導電型のａ−ＳｉＣ層上に、水素を含有するａ−Ｓｉ膜を製膜する工程と、水素を含む雰囲気中において熱処理することにより、ａ−Ｓｉ膜中の水素を熱脱離させるとともにａ−Ｓｉ膜中に第１導電型のａ−ＳｉＣ層層中の炭素を拡散させてａ−Ｓｉ膜の一部または全部をａ−ＳｉＣ膜に改質する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】核廃棄物が放射線を出すことを利用し、その放射線を蛍光層に当てて発光させ、得た光を用いて太陽電池で発電させるようにしたものであり、しかもその構造が非常に発電効率に優れた核廃棄物の放射線を利用した光電池を提供しようとするものである。
【解決手段】この発明の核廃棄物の放射線を利用した光電池は、柱状の核廃棄物の周囲に、ガラス管を介して太陽電池シートを重層的に巻きつけ、かつ前記太陽電池の表面に蛍光層を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増大させることなく波長変換物質を均一に分散可能な波長変換組成物及び、光起電装置を提供すること。
【解決手段】
光起電装置に設けられ光の波長を変換して光起電装置の光起電層に供給する波長変換組成物であって、硬化性樹脂と、吸収した光の波長を変換する波長変換物質と酸化物微粒子を含有する波長変換組成物であり、好ましくは、該酸化物微粒子の体積分率が４０〜６０ｖｏｌ％であり、該酸化物微粒子の平均粒子径が４５〜５５ｎｍである波長変換組成物。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。極性溶媒は、水が好ましい。 （もっと読む）

【課題】光エネルギーを効率よく電気エネルギーに変換可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一方の表面上に凹凸が設けられた基板（１）の該凹凸が設けられた表面上に、少なくとも第１の電極層（２）と、ｎ型半導体層（４）とｐ型半導体層（５）との積層構成からなる光電変換層と、第２の電極層（３）とを順次積層形成した構成とし、少なくとも、基板と第１の電極層との界面、第１の電極層と光電変換層との界面、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との界面が、前記基板の凹凸に倣った形状を有する光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、金属微細構造などの微細凹凸構造や光共振構造が広い面積に一様に作製され、かつ金属微細構造を形成する微細金属体と誘電体基材との強固な結合が得られ、電荷の取り出しが容易である光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】導電性の第１電極層と、この上に形成され、複数の微細孔が形成された誘電体基材および複数の微細孔を充填する金属材料からなる複数の微細金属体を備える金属充填誘電体層と、この上に形成され、光電変換材料からなる光電変換層と、この上に形成された導電性の第２電極層とを有し、複数の微細金属体は、誘電体基材の微細孔を充填する充填部と、誘電体基材から光電変換層内に飛び出す突出部とを有し、充填部の他端において第１電極層に接続される導電性の金属体であり、光電変換層は、突出部を覆うように誘電体基材上に形成され、第１および第２電極層の少なくとも一方は、透明導電層であり、第１または第２電極層から電荷を取り出すことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】湿度に対する耐久性に優れた、実用的な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池に、光を受けて発電する化合物半導体系太陽電池素子６と、化合物半導体系太陽電池素子６を被覆するガスバリアフィルム３と、化合物半導体系太陽電池素子６の受光面を覆う紫外線カットフィルム２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】原材料、製造プロセスや製造設備に多大なコストを要さず、かつ、電解液も不要である太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池５は、周期表２ａ族元素、周期表３ｂ族元素および酸素から構成される籠が立体的に積み重なった構造をした導電性物質としてのエレクトライド（イオン結晶）１の上に、ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させた分散液を塗布乾燥させることにより形成するｐ型半導体としての導電性高分子層２とが接合された構造である。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿時におけるフィルムとウエハの剥がれの生じない、ウエハの補強効果ハンドリング性に優れた光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子が形成された半導体ウエハの少なくとも片面に、ガラス転移温度７０℃以上の高分子フィルムが熱可塑性樹脂層を介して積層されてなる光電変換装置であって、前記熱可塑性樹脂層がフッ素樹脂及びサーモトロピック型の液晶高分子を含有し、該熱可塑性樹脂層中におけるフッ素樹脂の含有率が２０〜８０質量％、サーモトロピック型の液晶高分子の含有率が２０〜８０質量％であることを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】夏季においては太陽電池モジュールの場合出力低下を抑制し、瓦等の屋根材の場合家屋自体の温度上昇を抑制させ、冬季においては太陽電池モジュールの場合も瓦等の屋根材の場合も融雪を促進させることが可能となるものを提供することを課題としている。
【解決手段】太陽電池モジュールもしくは瓦等の屋根材に熱電素子を用いた器具を配置することで夏季はゼーベック効果で吸熱をして発電をおこない、温度上昇で高温になり禁制帯幅が減少することによる太陽電池モジュールの出力低下を抑制し、冬季は熱電素子に電気を通しベルチェ効果で発熱をすることで雪を融かす装置を提供するのであり、本発明で言う太陽電池モジュールとはシリコンやアモルファスを用いたシリコン系、化合物系、有機系等の世界で広く用いられている太陽電池であり、日光による温度上昇した熱をゼーベック効果で吸熱することで、太陽電池モジュールが高温になり禁制帯幅の減少による出力低下を抑制できるのである。 （もっと読む）

【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。
【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】集光特性および放熱性を向上させ、発電効率および発電電力を向上させた耐熱性、信頼性、耐候性の高い太陽電池、集光型太陽光発電モジュール、および太陽電池製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、集光レンズ４２により集光された太陽光Ｌｓを光電変換する太陽電池素子１１と、太陽電池素子１１が載置されたレシーバ基板２０と、太陽電池素子１１を樹脂封止する樹脂封止部７３と、入射面７０ｆへ集光された太陽光Ｌｓを太陽電池素子１１へ導光する導光路を構成する柱状光学部材７０と、柱状光学部材７０を保持する保持壁７２ｗを有し樹脂封止部７３を覆ってレシーバ基板２０に載置された光学保持部７２とを備える。 （もっと読む）

【課題】無添加の場合よりも大きなバンドギャップを有するＣｕ₂Ｏ結晶を含む半導体材料を提供する。
【解決手段】Ｃｕ₂Ｏ結晶を含み、銅（Ｃｕ）及び酸素（Ｏ）以外の第３の元素を含有させることによってバンドギャップを２．１ｅＶ以上とした半導体材料により上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】無機半導体‐ナノ結晶を高配合量で半導体ポリマーに分散させた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、界面活性剤被覆半導体‐ナノ結晶を溶媒で少くとも１回洗浄し、洗浄された半導体‐ナノ結晶および半導体ポリマーを二元溶媒混合物に共溶解させ、該混合物を沈着させることを含んでなる。別な態様では、２以上のアスペクト比を有する半導体‐ナノ結晶を半導体複合ポリマーに分散させてポリマー・ナノ結晶が５ｗｔ％以上でポリマーに埋め込まれるようにその複合材の薄膜を沈着させることからなる。 （もっと読む）

【課題】光吸収層としてＣＺＴＳ系化合物を用いた光電素子において、変換効率を向上させること。
【解決手段】Ｎａを含む基板表面に下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極の上にＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、Ｎａ−Ｏ系粒子を溶解可能な溶媒を用いて、前記光吸収層を洗浄する洗浄工程とを備えた光電素子の製造方法、及び、このような方法により得られる光電素子。 （もっと読む）

【課題】枯渇の虞の無い材料で太陽電池を製造する。
【解決手段】カソード電極３５をｐ型不純物が添加されたグラファイト材料で構成し、真空槽１１内部に水素ガス雰囲気を形成し、アノード電極３１とカソード電極３５の間に電圧を印加しておき、トリガ電極３７とカソード電極３５との間に電圧を印加してトリガ放電を発生し、カソード電極３５とアノード電極３１の間にアーク放電を発生させ、カーボン蒸気を水素ガス雰囲気内で基板２１の表面上に到達させ、ｐ型層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】安価で大面積化が容易な塗布プロセスを用いて長寿命な太陽電池を製造しうる、有機顔料とＰｂＳｅ粒子とを含む混合半導体膜を有する光電変換素子、並びに、その製造方法を提供する。
【解決手段】ポルフィリン及び／又はフタロシアニン骨格を有する有機顔料と、ＰｂＳｅ粒子とを含む混合半導体膜を有する光電変換素子。この光電変換素子を有機顔料の前駆体とＰｂＳｅ粒子とを含む塗布液を塗布した後、該前駆体を有機顔料に変換して前記混合半導体膜を形成することにより製造する。 （もっと読む）

【課題】変換効率のばらつきの少ない硫化物系化合物半導体、及びこれを光吸収層として用いた光電素子を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含み、Ｎａ及びＯを含む物質を含まない硫化物系化合物半導体、及びこれを光吸収層として用いた光電素子。Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を備えた光電素子において、前記光電素子を構成する前記光吸収層以外の部材は、Ｎａを含まない材料からなる光電素子。Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を備えた光電素子において、前記光電素子を構成する前記光吸収層以外の部材の少なくとも１つは、Ｎａを含む材料からなり、前記Ｎａを含む材料から前記光吸収層へのＮａの拡散を阻止する拡散阻止層をさらに備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】 隣接するセル同士を直列接続した、高い光電変換効率を有するＷ型の光電変換装置を得ること。
【解決手段】 光電変換装置は、一主面に透光性導電層３ａが形成された透光性基板２と、透光性基板２の一主面に対向配置されるとともに透光性基板２側の一主面に導電層（第２の透光性導電層３ｂ）が形成された基板８と、透光性基板２と基板８との間に横方向で互いに隣接するように配置されるとともに透光性導電層３ａ及び導電層によって直列接続され、電流方向が互いに逆向きの第１及び第２の光電変換素子１ａ，１ｂとを具備しており、第１及び第２の光電変換素子１ａ，１ｂは、それぞれ単位面積出力電流が異なる光電変換体を有するとともに、単位面積出力電流の低い光電変換体を有する光電変換素子１ａの受光面積が、単位面積出力電流の高い光電変換体を有する光電変換素子１ｂの受光面積よりも大きい。 （もっと読む）