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【課題】 光を受光する確率を高くすると共に、受光する可能性の低い太陽電池モジュールを敢えて動作させないことで、太陽電池モジュールの予備バッテリとしての機能を最大限に発揮させることを目的とする。
【解決手段】
本発明による携帯電話100は、筐体の異なる面に配された複数の太陽電池モジュール110と、複数の太陽電池モジュール110ごとに設けられた複数の電力制御部132と、携帯電話100の状態を検知する状態検知部としての機械形状検知センサ120と、電力選択部134と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 低い作成コストで、十分な光起電性能を保つ、三つの全固体無機成分(二つの透明n型半導体および透明p型半導体、そして一つの吸収体)をベースとする相互浸透構造の固体光起電装置を提供すること。
【解決手段】 固体光起電装置は、透明n型半導体化合物と、透明p型半導体化合物と、互いに接触しない透明n型半導体化合物および透明p型半導体化合物の間の連続層として存在する少なくとも一つの吸収体化合物の組成と、を含む3つの無機固体材料を備え、透明n型半導体化合物またはp型半導体化合物の一方は複数の孔1を備えた多孔性基板1として存在し、複数の孔1の内面は吸収体化合物の薄い連続な吸収層2により全体がカバーされており、複数の孔1は少なくとも10%より大きな体積比で透明p型半導体化合物または透明n型半導体化合物の他方で出来たカバー層3で満たされており、吸収層2は少なくともアンチモンおよび銀の硫化物をベースとする一つの化合物またはアンチモンおよび銅の硫化物をベースとする一つの化合物を含む。 (もっと読む)


電荷分離のための2つの空乏領域を有する単P−N接合太陽電池が提供されており、電子およびホールが再結合することを可能にし、太陽電池の両方の空乏領域に関連している電圧は、一緒に加えられる。単p−n接合太陽電池は、単P−N接合のみによって2接合(21)タンデム型太陽電池の特性を生成するために、P−N接合の1つの側に、他方の側に形成されたSiと共に形成されたInGaNあるいはInAlNのうちのいずれかの合金を含む。タンデム型太陽電池特性を有する単P−N接合太陽電池は、30%を超える電力変換効率を達成する。
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【課題】光/電変換効率の高い集光型太陽光発電装置を提供する。
【解決手段】焦点を有する樋形状の保持体12と、この保持体の内面上に保持されるフィルム状の第1の太陽電池11とから成る2次元反射鏡10と、この2次元反射鏡の光軸を太陽の方向に向ける太陽追尾機構と、この2次元反射鏡の焦点に配置される熱の良導体のパイプ20と、このパイプの外壁面に保持される第2の太陽電池21と、このパイプの内部に冷却用の流体を流動させ、この流体が得た熱を発電機、暖房機、給湯機その他の熱利用装置に供給する給熱機構とを備える。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率および耐久性に優れる光電変換素子、および、かかる光電変換素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光電変換素子は、負極と、負極の一方の面側に設けられ、無機半導体材料を主材料とする複数の半導体粒子で構成された半導体層を含む光電変換層と、半導体粒子同士の間隙の少なくとも一部に充填され、かつ光電変換層の負極と反対側の面を覆うように設けられた正孔輸送層と、正孔輸送層の光電変換層と反対側に設けられた正極とを有し、正孔輸送層が、下記一般式(1)で表される化合物を含む材料で構成されていることを特徴とする。
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【課題】光電物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】CISまたはCdTeのような従来の光電物質は、希少なインジウム元素または環境に有害なカドミウムのような元素を使用せねばならないという短所があったところ、AXYY’の化学式を有する光電物質(ここで、Aは11族元素であり、Xは15族元素であり、Y及びY’は互いに同じであるか異なる16族元素である)を提供することによって、該短所を解消して高い光電効率を示すことができる。 (もっと読む)


【課題】耐久性の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】作用電極10および対向電極20と共に電解質含有体30を備えた色素増感型の光電変換素子において、作用電極10の金属酸化物半導体層12に色素14が担持されている。この色素14は、インドリジン骨格と電子吸引性基とを有する色素を含んでいる。このため、作用電極10では、色素14の分解が抑制されると共に、その色素14が金属酸化物半導体層12に定着しやすくなる。 (もっと読む)


【課題】耐久性の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】色素増感型の光電変換素子において、作用電極10の金属酸化物半導体層12に色素14が担持されている。この色素14は、中心金属と、アゾ基(−N=N−)およびアゾメチン基(−CH=N−)のうちの少なくとも一方を有すると共に中心金属に多座配位する第1の配位子と、中心金属に配位する電子供与性の第2の配位子とを含む色素を含んでいる。この色素14では、第1および第2の配位子の双方を含む色素を含んでいるため、分解が抑制される。 (もっと読む)


可撓性フォイルを供給スプールから巻き出し、この可撓性フォイルがシステムの複数のユニットを通って進行され、巻き取りスプールに巻き取られるロールツーロールシステムであって、この可撓性フォイルの上に、太陽電池のための吸収構造体を形成する。この可撓性フォイルの上に活性面を形成するために、まず、可撓性フォイルの表面が、コンディショニングユニット内でコンディショニングされる。そして、銅、ガリウム及びインジウム層を含む前駆体層が、夫々の電気めっきユニットを使用して電気めっきされる。前駆体層は、このシステムのアニーリングユニット内で、SeとSとの少なくとも一方と反応される。
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【課題】薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の表面がSiである基板1と、前記基板1のSi表面のうちの1つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたBa原子とSi原子とを含有するn型BaSi層2と、前記n型BaSi層2上に配置されている周期表13〜15族に属する少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを含有するn型BaSi層3と、前記n型BaSi層3上に配置されている上部電極6と、前記基板1の一方の表面上に配置されている下部電極5と、を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。 (もっと読む)


【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因(例えば熱)に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】3端子型の電子デバイスは、制御電極14、第1電極及び第2電極16、並びに、第1電極と第2電極の間であって絶縁層15を介して制御電極14と対向して設けられた能動層20を備え、能動層20は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成る。 (もっと読む)


【課題】製造プロセス時にはウエハの補強効果を発揮し、ハンドリング性に優れ、実装プロセスでは安定な実装特性を示し、なおかつ実使用時には高信頼性を示す光電変換装置を提供する。
【解決手段】少なくとも片面に、引張弾性率4GPa以上、線膨張係数12ppm以下のポリイミドフィルムが熱可塑性ポリイミド樹脂からなる熱融着層を介してラミネートされているウエハから得られる単位モジュールをパネル化して光電変換装置とする。 (もっと読む)


【課題】製造プロセス時にはウエハの補強効果を発揮し、ハンドリング性に優れ、実装プロセスでは安定な実装特性を示し、なおかつ実使用時には高信頼性を示す光電変換装置を提供する。
【解決手段】
少なくとも片面に、引張弾性率4GPa以上、線膨張係数12ppm以下であるポリイミドフィルムが接着剤を介してラミネートされているウエハから得られる単位モジュールを使って光電変換装置とする。 (もっと読む)


少なくとも一つのカルコゲニドを任意に含み、且つそれによって、有毒な物質を用いることなく半導体を形成することができる、銅−亜鉛−錫合金を形成し得るように、金属メッキ組成が開示され、上記金属メッキ組成は、少なくとも一つの銅メッキ種、少なくとも一つの亜鉛メッキ種、少なくとも一つの錫メッキ種、及び、少なくとも一つの錯化剤、また更に、合金が少なくとも一つのカルコゲンを含む場合には、少なくとも一つのカルコゲンメッキ種から成る。金属メッキ組成は補足的に、一般化学式Iを有する二置換ベンゼン化合物から成る群から選択された、少なくとも一つの添加剤を含み、R1及びR2は同一又は異なっており、OH、SH、NR3R4、CO-R5、COOR5、CONR3R4、COSR5、SO2OR5、SO2R5、SO2NR3R4、及びその塩から成る群から独立して選択される、又は上記した意味を有し且つ共通の縮合鎖を形成する、その際、R3及びR4は同一又は異なっており、H及びアルキルから成る群から独立して選択され、且つその際、R5はH、アルキル、及びヒドロキシアルキルから成る群から選択される。硫黄とセレンのうちの少なくとも一つを含むかかる合金は、バック接点(b)、吸収層(c)、バッファ層(d)、TCO/窓層(e)及びフロントグリッド(f)で覆われた基板(a)から成る薄膜太陽電池の吸収体として用いられ得る。
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【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi2又はFeSi2アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi2結晶又はFeSi2アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi2ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi2膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi2結晶又はFeSi2アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 (もっと読む)


タンデム型光電池並びに関連する部品、システム、および方法が開示される。
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【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi2単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩23をSi基体22と接触させることによってβ-FeSi2をSi 基体22上に形成するβ-FeSi2形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si+2 FeCl2=2β-FeSi2+SiCl4 (1) (もっと読む)


【課題】究極的には理論最大効率に迫る極めて高い光電変換効率を得ることができ、しかも大面積化も極めて容易な光電変換素子を提供する。
【解決手段】全体として面状の光電変換素子において、光電変換素子の主面に垂直に入射する光の進行方向に対して、この光の入射により光電変換素子内の光電変換層中に生成されるキャリアの正味の移動方向を垂直とする。光電変換素子は、その主面に沿った方向に順次配置されたp型半導体層13およびn型半導体層14により構成されるpn接合からなり、その主面に沿った方向にp型半導体層13と接して配置されたp電極11およびn型半導体層14と接して配置されたn電極12を有する。光電変換素子の全体の形状は円形、三角形、四角形、六角形などの各種の形状であってよい。 (もっと読む)


【課題】β−FeSi結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にCuを含有する薄膜。 (もっと読む)


【課題】比較的高い変換効率を有し、かつ、製造が容易な、電磁放射エネルギーを電気エネルギーに変換する装置(10)を提供すること。
【解決手段】電磁放射エネルギーを電気エネルギーに変換する装置(10)は、少なくとも放射線感受性面を有する光起電力素子(11)を備え、希土類元素が添加されたシリコン化合物を備えている材料の被覆層(12)が、放射線感受性面に存在し、被覆層の材料が、シリコンと窒素の化合物を備える。Sr2Si5N8:Euのような化合物で、良好な結果が得られた。 (もっと読む)


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