【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。光電変換層２３０における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が３０％以上８０％以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層２３０を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内１００における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン層を発電層として含む光電変換装置において、フィルファクタを低下させることなく、開放電圧を向上させる。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むｐ型層４０、発電層となる微結晶シリコン層を含むｉ型層４２及びｎ型ドーパントを含むｎ型層４４の積層構造を備え、ｉ型層４２は、ｐ型層４０とｎ型層４４との間に設けられ、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する微結晶炭化シリコン層４２ａを備える構造とする。 （もっと読む）

【課題】低温の原料ガスが原因となる膜質低下の問題を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、チャンバ内に設けられ、基板が載置されるとともに、載置された基板の温度を上昇させる基板ヒータ部を有するアノード電極と、アノード電極に対向する位置に配置され、チャンバ内に原料ガスを供給するガス供給口が形成されたカソード電極を有するカソードユニットと、を備え、カソードユニットには、アノード電極側に流路制御板が設けられており、この流路制御板は、ガス供給口から吐出された原料ガスのアノード電極側への流れを抑える遮蔽部と、カソード電極側とアノード電極側とに連通して開口するガス流通孔とを有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に結晶質シリコンｉ層を備える高効率の光電変換装置を得る。
【解決手段】基板１上に、結晶質シリコンを主とするｉ層４２を備える光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、前記ｉ層４２中の不純物の濃度の上限値を決定し、該決定された不純物の濃度の上限値以下の前記ｉ層４２を製膜する。または、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、製膜雰囲気中の不純物ガスの濃度の上限値を決定し、該決定された上限値以下となるように、前記不純物ガスの濃度を制御して前記ｉ層４２を製膜する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板においても原料ガスの均一な給排気が可能であり、且つプラズマ空間で発生した高次シランを速やかに除去する。
【解決手段】真空容器内に基板保持材を兼ねた接地電極と、該接地電極と相対向する位置に配置された第一放電電極とを有し、該真空容器内に原料ガスを導入してプラズマを形成し、基板表面に薄膜を形成する以下の構造を有するプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】成膜装置内の圧力を常時適性に保持しながら、成膜装置内で発生したパーティクルを除去し、且つ除去したパーティクルの成膜室内への流入を防止することが可能なＣＶＤ成膜装置を提供することにある。
【解決手段】送りロール８を設置した搬送室３と巻き取りロール９を設置した搬送室４との間に成膜室２を配置し、成膜室２に搬送されてくる可撓性基板５の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置６０において、成膜室２と搬送室４の間の少なくとも１箇所に洗浄室１７ａ，１７ｂが設けられ、成膜室２と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間、及び搬送室４と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間に、ガスゲート１９が配設され、洗浄室１７ａ，１７ｂは、可撓性基板５に付着したパーティクルを除去するクリーニングロール２０と、クリーニングロール２０と可撓性基板５の接触部近傍にガスを供給する機構と、洗浄室１７ａ，１７ｂ内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】排気配管の温度変化によりクリーニング完了時を判断することにより、より適切なクリーニングを行なうことができる、プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法およびプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜室２の内部に、エッチングガスを導入した状態においてプラズマを発生させる第１工程を備える。また、排気配管の温度が、クリーニング開始前における排気配管の温度から所定の温度以上上昇した後に、プラズマの発生を停止する第２工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製膜レートを下げることなく、膜全体に亘って膜質が均一なアモルファスシリコン膜を形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板が載置されるアノード電極と、前記アノード電極に対向する位置に配置されるカソード電極を有するカソードユニットと、原料ガスが供給されるガス供給部と、前記チャンバ内のガスを排気するガス排気部とを備えており、前記カソードユニットは、前記カソード電極に前記ガス供給部と連通するガス供給孔が複数一方向に沿って配列されて形成されており、前記ガス排気部と連通するガス排気溝が前記カソード電極に隣接する位置にガス供給孔の配列方向に沿って連続的に開口して形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池製造のスループット向上および歩留まりの向上を可能とする薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室１に接続されたモニター基板格納室１０から製膜室１へモニター基板１１を搬送し、製膜室１においてプリデポジションを実施するプリデポジション工程と、プリデポジション工程においてプリデポジション膜１３が形成されたモニター基板１１を製膜室１からモニター基板格納室１０へ搬送して、プリデポジション膜１３を対象とする測定を製膜評価として実施する製膜評価工程と、プリデポジション工程を経た製膜室１へ製品基板４を搬送し、製膜評価に基づいて決定された製膜条件での製膜処理により、製品基板４上に半導体薄膜を形成する製品製膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】好適に成膜できる温度条件が異なる、複数の光電変換層を有する多接合型太陽電池の製造時間を短縮する方法を提供することである。
【解決手段】基板２上に異なる光電変換層５，６を複数備えた多接合型太陽電池１の基板２を同一の成膜室１４で連続的に製造する際に、第１の光電変換層５を形成するのに適した第１温度領域と、第２の光電変換層を形成するのに適した第２温度領域とが相違する場合において、成膜室１４に備えた加熱装置２３の設定を変えることによって、成膜室１４内の基板２の温度を任意に変更可能であり、前記基板２の第１の光電変換層５を形成中に、前記加熱装置２３の設定温度を、基板温度が第２温度領域に近付くように設定する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド電極に加えて、低コストでメンテナンスが容易な原料ガスの供給機構を用いることにより、基板への膜の均一性を向上させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、真空容器２内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板１の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、真空容器２内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極９が配設されているとともに、シャワーヘッド電極９に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構１４がさらに配設されている。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの面内における微結晶シリコン膜の結晶性の不均一性による特性の低下を抑制する。
【解決手段】光電変換ユニット１４に微結晶シリコン膜のｉ型層を発電層として含み、そのｉ型層は、面内において第１の領域３０と、第１の領域３０より結晶化率が低い第２の領域３２とを有しており、太陽電池モジュール１００の端子ボックス２４へのタブ電極２２を第２の領域３２に重畳させて配置する。 （もっと読む）

【課題】製造装置の小型化を図り、基板の汚染を防ぎ、かつ基板のシワの発生を防止可能とする薄膜積層体の製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板２の表面に薄膜形成するための成膜部と、搬送されるフィルム基板を成膜部内でガイドするように、フィルム基板の成膜面２ａに当接して配設される少なくとも１本のガイドロール８とを備え、ガイドロールにおける長手方向の中央部８ａの直径が、その長手方向の両端部８ｂの直径よりも小さく形成され、ガイドロールの両端部とフィルム基板とが当接し、ガイドロールの近傍でフィルム基板の幅方向の両端部にそれぞれ当接して配設されるテンションロール９，１０が、フィルム基板に前記幅方向の張力を加えるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製膜速度を低減させずに、製膜初期の膜質低下を防止し、安定して基板上に製膜することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、このチャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内のガスを排気するガス排気部と、前記チャンバ内に開口し、前記ガス供給部に連通接続されるガス供給孔を有するカソード電極と、前記カソード電極に対向する位置に配置されるとともに基板が載置されるアノード電極とを備えており、前記カソード電極の基板側表面付近に原料ガスのプラズマを発生させることにより、前記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置であって、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、少なくとも基板表面を覆う開閉可能なシャッター部を備えており、このシャッター部は、開状態で基板とカソード電極とを対面するのを許容し、閉状態で基板とカソード電極とが対面するのを遮断する。 （もっと読む）

【課題】 帯状可撓性基板を縦姿勢で搬送しつつも可撓性基板の下垂や皺の発生を抑制でき、高品質の製品を製造可能であると共に、可撓性基板の逆方向への搬送を含む成膜プロセスにも対応可能な薄膜積層体製造装置の基板位置制御装置を提供する。
【解決手段】 可撓性基板（１）の上側縁部を挟持する一対の挟持ローラ（１０３）と、前記一対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構（１０４）と、前記支持機構を介して前記一対の挟持ローラに加圧力を付与する付勢手段（１０５）と、前記加圧力の調整手段（１０６）と、を備えた基板位置制御装置（１００）において、前記一対の挟持ローラは、それぞれが基板幅方向縁端側に位置した大径部（１３１）と、前記大径部に対して基板幅方向中央側に位置した小径部（１３２）を有し、前記大径部および前記小径部のそれぞれの挟持部における回転方向が、前記基板の搬送方向と同方向になるように、前記支持機構によって支持されている。 （もっと読む）

【課題】水晶発振素子のパルスの立ち上がり時の不安定な発振状態に固体差がある場合においても、プラズマ電極への高周波の給電を複数個所から安定してパルス的に行うこと。
【解決手段】高周波発振器１１２、１１６は、発振素子を駆動する電圧をオン／オフさせつつ発振素子を駆動することで生成した発振信号から所定の振幅以上の発振信号を抽出し、高周波増幅器１１１、１１５は、高周波発振器１１２、１１６にて抽出された所定の振幅以上の発振信号をそれぞれ増幅することにより、パルス状の高周波電圧を生成し、複数の給電点１０９、１１３に印加する。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）