本発明は、基材表面に、半導体微粒子分散液を、スプレー塗装機から吐出される該分散液の噴霧粒子の平均粒子径が３０μｍ以下程度となるようにスプレー塗装し、次いで乾燥して半導体の多孔質膜を形成することを特徴とする半導体膜の形成方法、並びに該半導体膜の形成方法により得られた半導体膜の用途を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法を提供することである。この要素は、積層後この要素を焼結しなくても、マイクロプロセッサーやその他の高性能電気装置に使用するのに適した十分なバルク電荷担体移動度を有する。
【解決手段】膜などの半導体要素を形成する方法が提供されている。この方法には、 （ｉ）第２半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第１半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、第１半導体の粒子を含む懸濁液および第２半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 （ｉｉ）第１半導体の隣接粒子を電気的に接続する第２半導体のマトリックス中に第１半導体の粒子を含む半導体要素を形成するために混合物を凝固させる工程とが含まれ、 第１および第２半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは別の材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 液相成長させたIII族元素窒化物結晶基板において、不純物の拡散を防止する技術を提供する。
【解決手段】 まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させ、III族元素窒化物結晶基板１３を形成する。そして、前記基板１３に熱処理を施すことにより、前記基板１３中の不純物を無機化合物化する（図において１５で示す部分）。このように熱処理を施すことにより、基板１３中に含まれているおそれがあるアルカリ金属やアルカリ土類金属等の不純物が、基板１３から拡散することを防止できる。そのため、本発明の製造方法によれば、安定したデバイス作製が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性、保存性に優れ、溶液製造プロセス適性のある有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ａ¹及びＡ²はベンゼン環を３個以上含む縮合多環芳香族化合物を表し、Ｂ¹及びＢ²は溶解性ユニットを表し、Ｘ¹及びＸ²は二価の連結基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は水素または置換可能な基を表す。ｍ１及びｍ４は１〜２０の整数、ｍ２及びｍ５は０〜２０の整数、ｍ３及びｍ６は０〜１０の整数を表す。ｎ１はポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表し、ｎ２は正の整数を表す。） （もっと読む）

本発明は、電界効果トランジスタ、及び基板（480）上への堆積による電界効果トランジスタの製造方法を提供するものである。この方法は、半導電性材料を生成するように反応する材料の湿式化学析出を含んでいる。堆積される材料は、カドミウム、亜鉛、鉛、錫、ビスマス、アンチモン、インジウム、銅又は水銀を含んでいる。湿式化学析出は化学浴析出法又は噴霧熱分解法によることができる。真空堆積プロセスは不要である。
（もっと読む）

【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手ュ段】 このタイプの最近利用できるトランジスタとは反対に、本発明に係るトランジスタはホモ基板１１上に製造され、そのホモ基板はガリウム含有窒化物から製造され、核化層を有さず、そのバッファ層３は公知のＨＥＭＴより極めて薄い。好ましくは、少なくともバッファ層３は本発明にかかるトランジスタの一部であって、エピタキシャル法により製造され、エピタキシャルプロセスにおける上記層の成長方向は基板１１の成長方向と本質的に垂直をなす。この発明はまた、高電子動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）

ナノ粒子を生成する方法が、ナノ粒子の材料へのナノ粒子前駆体組成物の転化を生じさせることを含む。前記前駆体組成物は、成長するナノ粒子に組み込まれるべき第１イオンを含有する第１前駆体種と、成長するナノ粒子に組み込まれるべき第２イオンを含有する別の第２前駆体種とを含む。前記転化は、ナノ粒子のシーディング及び成長が可能な条件下で分子クラスター化合物が存在する場合に生じる。
（もっと読む）

この発明に従って、まず基板の上に、黄銅鉱化合物の中に入る金属ミネラル塩を含有する溶液と、有機溶剤とを付着させる。続いて、乾燥させることで基板の上に固形層を獲得する。最後に、この固形層を周期表第１６族に属する一個の、または、複数の元素を閉じ込めている気体の中に晒して、加熱作用によって黄銅鉱化合物を獲得する。 （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
（もっと読む）

金属酸化物半導体として、酸素欠陥構造を有する金属酸化物半導体または／および窒素を不純物として含む金属酸化物半導体を用い、この金属酸化物半導体１００質量部に対し、アルキレングリコール、ポリアルキレングリコール、アルキレングリコールのアルキルエーテル、および、ポリアルキレングリコールのアルキルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む分散媒０．１〜２０００質量部を配合して半導体膜形成用塗布剤を製造する。この半導体膜形成用塗布剤を用いることにより、色素増感型太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体構成用の構造に関する。半導体を含む溶液の堆積を補助するレジスト構造は、直接、あるいは介在層を介して基板に結合される。このレジスト構造は、半導体を含む溶液（３０９）を堆積するくぼみ（３０１）と、くぼみ（３０９）の縁部の少なくとも一部に整列し、突出部（３０７）によってくぼみ（３０９）から分離した溝（３０５）とを備える。好ましくは、溝（３０５）は、くぼみ（３０９）を取り囲む。この溝により、半導体を含む溶液を固定する作用が得られ、それによって濡れ性が改善し、それにしたがって、より大きな体積の半導体を所与の区域に付着させることができる。
（もっと読む）