【課題】半導体素子の機能を製造後に設定・変更することで、後天性機能が付与された半導体素子を実現する。
【解決手段】 両極性を備えた有機半導体層上に互いに離間して設けた少なくとも２つの電極と、絶縁膜を挟んで有機半導体層と反対側に設けたバックゲートと、を備えた有機半導体素子において、バイアスストレス効果が生じる第１の温度下でゲート電圧を有機半導体素子に印加して前記有機半導体層に正電荷あるいは負電荷を生成させ、バイアスストレス効果により前記生成した正電荷あるいは負電荷をトラップさせ、前記ゲート電圧を印加した状態で、前記有機半導体素子をバイアスストレス効果が凍結される第２の温度以下の温度まで冷却して前記トラップされた正電荷あるいは負電荷を固定し、前記ゲート電圧の印加を除去することで、前記固定された正電荷あるいは負電荷と逆の電荷をキャリアとして前記有機半導体層に注入させる。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム（Ｇｅ）半導体を自己組織的に実現するＧｅ半導体製造方法。
【解決手段】 シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）からなるＳｉＧｅ薄膜を融液成長により固化させ、結晶化されたＳｉＧｅ薄膜中に自己組織的に出現したＧｅ偏析に起因するＧｅ高濃度構造を形成する。さらに酸化濃縮技術を利用してＧｅ濃度を高めることを特徴としたＧｅ半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも内側の表面がＰｔに代表される貴金属製である反応容器６に原料７とアンモニア溶媒を充填して反応容器６を密閉した後、さらに反応容器６を反応容器６とは別の耐圧性容器３内に挿入し、反応容器６と耐圧性容器３との間の空隙に第二溶媒を充填して耐圧性容器３を密閉した後、昇温して窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、欠陥のない有機分子膜被覆ナノ結晶粒子を提供するのみならず、これを含む有機分子膜被覆ナノ粒子の製造工程を極めて簡便にすることができた製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ナノ結晶粒子の表面が有機分子膜にて被覆されてなる有機分子膜被覆ナノ結晶粒子であって、前記ナノ結晶粒子の表面全体が有機分子膜にて被覆されていることを特徴とし、有機分子膜被覆ナノ粒子の製造方法であって、ナノ粒子の母材となるターゲット材料を表面修飾用の有機分子液中に浸漬した状態でレーザー照射し、前記ターゲット材料から前記有機分子液中にナノ粒子を放散させ、その表面に前記有機分子を結合させることを特徴とする。
本発明は、上記の製造方法において、前記ターゲット材料が、前記レーザー照射によって放散されたナノ粒子の表面に酸化膜が生じない性質を有することを特徴とし、前記ターゲット材料が、予め表面を水素終端化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性の良好な有機半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低分子有機半導体化合物前駆体及び高分子有機半導体化合物を含む塗布液を調整する塗布液調整工程と、前記塗布液を支持体表面に塗布する塗布工程と、前記支持体表面に塗布された前記塗布液を加熱する加熱工程と、を有する、有機半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される導電性又は半導電性膜の形成装置を提供すること。
【解決手段】基板１０の表面に、導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出する液滴吐出ヘッド２０と、導電性又は半導電性塗布液の液滴が基板１０の表面に着弾して形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対して、交流電界を付与するための一対の交流電界付与電極４０と、一対の交流電界付与電極４０に交流電圧を印加するための交流電圧印加装置４１と、を備える導電性又は半導電性膜の形成装置。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体膜などの有機膜における不純物を低減することが可能な製造技術を提供すること。
【解決手段】基板(10)上の所定位置に有機膜(16)を形成する第１工程と、前記有機膜を所定の洗浄溶液によって洗浄する第２工程と、前記有機膜に付着した前記洗浄溶液を除去する第３工程と、を含む有機膜の製造方法である。「有機膜」とは、例えば有機半導体膜又は有機絶縁膜である。 （もっと読む）

【課題】 変換効率に優れた、太陽電池に好適に使用できるＣＩＧＳ薄膜等の化合物半導体薄膜を、非真空プロセスにより、容易に低コストで提供する。
【解決手段】 ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子と、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子とを含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布する工程と、前記基板に塗布した塗布剤中の化合物粒子を焼結させる加熱工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。
【解決手段】種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。その後、容器５０にエタノールを加えて金属ナトリウムを溶かし、溶け残った窒化ガリウム結晶板を回収する。 （もっと読む）

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】積層構造体１は、臨界表面張力が大きい高表面エネルギー部３と臨界表面張力が小さい低表面エネルギー部４を有する濡れ性変化層２と、高表面エネルギー部３に形成されている導電層５と、低表面エネルギー部４に形成されている半導体層６と、を有し、濡れ性変化層２は、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含み、高分子材料は、ポリイミドを含む。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】常温で溶液処理方式に金属酸化物を形成する方法及びこれを含むトランジスタ構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属酸化物の形成方法に関する。本発明の実施形態による金属酸化物の形成方法は、ドーパント化学種を含む金属酸化物前駆体溶液を用意することと、塩基性化学種を含むアルコール系溶液を用意することと、金属酸化物前駆体溶液及びアルコール系溶液を反応させて反応物を形成することと、反応物を精製して金属酸化物を形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層を構成する粒子の粒成長を促進することができる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層溶液を、前記第１電極層２上に塗布することにより光吸収塗布膜を形成する工程と、光吸収塗布膜を還元雰囲気で熱処理することによりＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する工程と、光吸収層３上にＳｅを含有するＳｅ含有膜を形成する工程と、Ｓｅ含有膜を還元雰囲気で熱処理してＳｅを光吸収層３に拡散させる工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層と第１電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を酸素濃度が２０〜１５０ｐｐｍの不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより単一前駆体を有機成分と金属成分に熱分解し、有機成分を除去する熱分解工程と、熱分解工程の熱処理温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層としてカーボンナノチューブを含む半導体層を有し、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる光起電力素子を提供する。
【解決手段】 太陽電池Ｍ１における半導体層３は、表面電極２に近い側から順にｐ型半導体層３１、ｉ型半導体層３２、およびｎ型半導体層３３を備えている。ｐ型半導体層３１、ｉ型半導体層３２、およびｎ型半導体層３３は、カーボンナノチューブを含有している。ｐ型半導体層３１を構成するカーボンナノチューブの直径は、ｉ型半導体層３２を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。また、ｉ型半導体層３２を構成するカーボンナノチューブの直径は、ｎ型半導体層３３を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。 （もっと読む）