【課題】使用する有機溶媒に限定されることなく、かつ、ドロップキャスト法で製膜した有機半導体薄膜のようにゆっくりと時間をかけて製膜して、結晶性に優れた有機半導体薄膜を、基板の表面自由エネルギーによらず、自由に形成する方法を提供する。
【解決手段】固体基板と、剥離性表面を有する弾性材からなるフィルム又は板との間に、薄膜形成用溶液をはさみ、該溶液中の溶媒を乾固させることにより前記固体基板の表面に有機薄膜を形成させることにより、ドロップキャスト法に見られた収縮を防ぐとともに、ドロップキャスト法ようにゆっくりと時間をかけて製膜することが可能であり、かつ、基板の表面自由エネルギーを問わず有機薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで作製することが可能な、無機粒子分散型の酸化物半導体膜を得るために、導電性の高い酸化物半導体粉末を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物半導体粉末は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを含む酸化物半導体粉末であって、前記酸化物半導体粉末の平均一次粒子径は、３〜２００ｎｍであり、前記酸化物半導体粉末の組成は、組成式ＩｎＧａ（ＺｎＯ）_xＯ₃で表され、且つｘ＝０．５〜７であり、前記酸化物半導体粉末は、歪みを伴うＩｎＧａ（ＺｎＯ）_xＯ₃の結晶構造を有し、前記ＩｎＧａ（ＺｎＯ）_xＯ₃の結晶構造は、酸素欠損を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高価なクリンルームと高価な真空プロセス装置を使うことなく低コストで製造でき、廃棄部分も少なく環境性に優れ、かつ結晶品質が高いことによる例えば半導体性能の高い有機単結晶薄膜作成法を提供すること。
【解決手段】溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端を薄くくし他端を厚くして、該一端側の溶媒を蒸発させることにより結晶を析出させるとともに、薄い部分を他端に移動させることにより結晶を順次析出させることを特徴とする有機単結晶薄膜の作成法である。前記液滴は反磁性とし、一端から強磁場を付加する。
溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端から反対端に向かい所定の速度で磁場を移動させて該液滴の一端の厚みを減少させて結晶を該一端から順次析出させることを有機単結晶薄膜の作成法。 （もっと読む）

【課題】塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。
【解決手段】
式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。
【化１】


（式中Ｒ^１、Ｒ^２がそれぞれＣ、Ｈ、Ｎ、Ｏの少なくとも１種以上からなる置換基であり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌのいずれかであり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ａｌのいずれかである場合はｎ＝３であり、ＭがＺｎである場合はｎ＝２である） （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝（または凹部）４を有する被処理部材１０の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体８を塗布する塗布工程と、被処理部材１０の表面に塗布した液体８の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体８に分散された微粒子を加熱し、液体８に含まれる微粒子または液体８に含まれる微粒子の成分で溝（または凹部）４を埋める第２の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することである。
【解決手段】フラックスおよび原料を含む溶液を使用して窒化物単結晶を育成する装置を提供する。本装置は、溶液を収容するための坩堝、坩堝を収容する内側容器１６、内側容器１６を収容する加熱容器３１であって、発熱体１４、発熱体１４が設けられている容器本体１３、および容器本体１３と組み合わされる蓋１２を備える加熱容器を備えている。本装置は、更に、加熱容器３１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０、および加熱容器３１の外壁面と圧力容器３０の内壁面３０ａとの間に設けられている筒状断熱部材１１を備えている。 （もっと読む）

本発明の方法（２０）は、端部の第１の組を有する分離された要素を含むパターンで導電材料層を基板上に提供する段階（２１）を含む、半導体装置の製造に関する。本方法は、段階（２２）において、基板上にそれらの間に一つ以上のキャビティを形成するための一連の壁構造体を提供する段階をさらに含む。壁構造体は端部の第１の組と協働する端部の第２の組を有する。端部の第２の組は所定の距離で端部の第１の組から後退する。さらに、本方法は段階（２４）において、キャビティ内に液体材料を堆積する段階を含む。上述の特徴を有するディスプレイおよび電子装置も開示される。
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【課題】組成の均一なバッファ層を製造する。
【解決手段】基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子におけるバッファ層の製造方法において、バッファ層がＣＢＤ法により形成され、このＣＢＤ法によるバッファ層の析出が進行している間のバッファ層を形成する反応液のｐＨ変動が０．５以内に調整され、反応液がＣｄまたはＺｎの金属と硫黄源を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】光配向の感度が良好であり、高耐熱性によるキャリア移動度安定性を実現すると共に、有機半導体分子の高レベルでの異方的配向による優れたキャリア移動度を発揮可能な有機半導体配向膜を形成し得る有機半導体配向用組成物を提供する。
【解決手段】下式（１）及び（２）で表される化合物に由来する基からなる［Ａ］光配向性基を有するポリオルガノシロキサン化合物を含有する有機半導体配向用組成物。
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【課題】簡易且つ実施が容易な高分解能パターンの作成方法を提供する。
【解決手段】第１熱伝導率を示す物質から作られる支持体１の上面上に少なくとも１つのパターンを作成する方法は、第２熱伝導率を示し、且つ、パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも１つの孔部８を含む物質から作られるマスク７を配置する工程を含む。孔部８は、支持体１の底面に接触する。第２導電率に対する第１導電率の比率は、その方法の実施期間（duration）において、２以上又は１／２以下である。また、その方法は、パターンを形成するように作られた物質を含む溶液を上面上に堆積する工程と、溶液を蒸発させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含有する電子構造部品、殊に電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）の製造法に関し、この場合有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする前記誘電体またはその前駆体化合物は、溶液から処理可能であり、室温ないし３５０℃の低い温度で熱処理され、および前記半導体金属酸化物、殊にＺｎＯ、またはその前駆体化合物は、同様に溶液から室温ないし３５０℃の低い温度で処理されうる。
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【課題】金属酸化物半導体粒子の分散性を改善することによって所望の性能を有する金属酸化物半導体薄膜を安定して形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。更に、該金属酸化物半導体粒子分散組成物を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体粒子、溶媒及び分散剤を含有する金属酸化物半導体粒子分散組成物であって、前記金属酸化物半導体粒子は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を含有し、かつ、平均粒子径が１〜１００ｎｍであり、前記分散剤は、アニオン性極性基を有する有機化合物である金属酸化物半導体粒子分散組成物。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｓｉ_aＨ_2a+2（式中、ａ＝３〜１０）の少なくとも１種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも１種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は５００〜９００℃の温度でかつ≦５分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する液相法、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面にシリコン窒化膜２が形成されたシリコン粒子１（ナノ粒子）が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各シリコン粒子１は、その３軸が直交する位置にある４個のシリコン粒子１が面心の位置にあるシリコン粒子１に接触している。これにより、シリコン粒子１等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜２等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。シリコン粒子１は、面心立方格子の位置に限らず、体心立方格子等の最密充填の位置似配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】有機半導体フィーチャの堆積性能が改善されたプロセスを提供する。
【解決手段】１つ又はそれ以上の有機半導体を含む液体組成物を準備し、液体組成物を、第１の温度における非ニュートン型から第２の温度におけるニュートン型へ変換し、変換された液体組成物を基板上に堆積させて１つ又はそれ以上の半導体フィーチャを形成するステップを含む、半導体フィーチャを形成するプロセス。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉと他の金属との合金からなる融液にＣが溶解している原料溶液５に結晶成長用基板１を浸漬し、少なくとも基板１の近傍の溶液５を過飽和状態とすることによって基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、(１)融液の材料が少なくとも１種の酸化物を含む、(２)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(３)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも１つに手法によって、原料溶液５中に酸素を含有させながら、ＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料が高分子量であっても、テンプレートを用いた塗り分けを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１にゲート絶縁膜２およびソース電極３ｃ，ドレイン電極３ｄを製膜した状態で、基板１表面にパーフルオロアルキル基を有する第１の自己組織化単分子膜（第１ＳＡＭ膜５）を形成した。続いて、第１ＳＡＭ膜５における高分子有機半導体膜を塗布すべき領域５ａをオゾン処理を施すことで削除し、その領域５ａに、フェネチル基を有する第２の自己組織化単分子膜（第２ＳＡＭ膜６）を形成した。続いて、基板１を予め40℃に加熱しておき、40℃に温度制御されたポリ（３−ヘキシルチオフェン）（P3HT）0.5重量パーセントジクロロベンゼン溶液８に基板１を浸漬し、垂直に引き上げることで、薄膜トランジスタを作製した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート１の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第２の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のＧａＮ結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にＧａＮ結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたＧａＮ結晶のクラックを抑制することができ、ＧａＮ結晶の品質を向上することができる。 （もっと読む）