本開示は、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを作製する方法を提供するものであり、その方法は、ａ）第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）を支持する基板（６０）を用意する工程であって、第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）は、それらの間にチャネル（５０）を画定し、そのチャネル（５０）は、いずれの導電性ゾーン（１０、２０）の周囲の７５％超とも境界を画さない、工程と、ｂ）有機半導体（４０）を含有する溶液の個別のアリコートを、チャネル（５０）に隣接してあるいはチャネル（５０）上に堆積させる工程であって、溶液の大部分は、チャネル（５０）上ではなくチャネル（５０）の片側に堆積される、工程とを含む。本開示のいくつかの実施形態において、溶液は、チャネル（５０）上ではなく全体的にチャネル（５０）の片側に堆積され、更に、溶液は、チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される。本開示は更に、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを提供する。
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【課題】 微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてＰ型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 ＣｕまたはＡｇを含む化合物と、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌのうち少なくとも１種を含む化合物と、オレイン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナトリウムとを、水および該水よりも極性の低い溶媒との混合溶媒中に溶解した溶液から前駆体を形成し、これにＳ，ＳｅおよびＴｅのうちいずれか１種を含む化合物を添加し加熱することにより、カルコパイライト型の結晶構造を持つ結晶相を含有し、アスペクト比（最長径／最短径）が１．５以上であり、かつ最長径の平均長さが０．０５〜０．２μｍである化合物半導体粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基体（基板）上にシリコン膜を、液状シリコンから、過大な装置コストを要せず、低温、短時間に形成する方法を提供する。
【解決手段】液状シリコン化合物を、基板上に塗布することで液状シリコン膜を形成し、該液状シリコン膜にプラズマ処理を施すことで、シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】成膜性（造膜性ともいう）の良好な金属酸化物前駆体層の作製方法、作製された該金属酸化物前駆体層を用いた金属酸化物層の作製方法を提供し、且つ、該金属酸化物の作製方法を用いて、移動度が高く、Ｏｎ／Ｏｆｆ比が高く、敷電圧が低い電子デバイスを提供する。
【解決手段】基材の上に金属イオンを含む溶液を基材に塗布する金属酸化物前駆体層の作製方法において、該基材の温度（℃）を該溶液の主溶媒の沸点（℃）の５０％〜１５０％の温度範囲に調整して前記溶液を塗布、成膜する工程を有することを特徴とする金属酸化物前駆体層の作製方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 発明は、金属酸化物層（２）を有する基板（１）上に半導体ナノワイヤ（５）を製造する方法であって、
ａ）前記層（２）を還元して前記金属酸化物層（２）の表面上に半径（Ｒ_ｍ）の金属ナノドロップ（３）を形成するのに適した時間ｔの間出力Ｐの水素プラズマ（１１）を前記金属酸化物層（２）に照射するステップと、
ｂ）前記金属ナノドロップ（３）を含む前記金属酸化物層（２）上への、前記金属ナノドロップ（３）を被覆するのに適した厚さ（Ｈ_ａ）を有する半導体材料の薄層（４）の低温プラズマ助長蒸着ステップと、
ｃ）前記金属ナノドロップ（３）から薄層（４）として堆積された前記材料の触媒作用によりナノワイヤ（５）の横方向成長を促進するのに十分な温度Ｔにおいて熱アニールするステップと
を含む半導体ナノワイヤ（５）を製造する方法を提供する。発明はまた、発明の方法により得られたナノワイヤ（５）と、半導体ナノワイヤ（５）、例えばソース（１６）、ドレイン（１７）、及びゲート（１８）間に半導体接続部を形成するシリコンナノワイヤ（ＳｉＮＷ）を含むナノメータトランジスタとを提供する。 （もっと読む）

【課題】基材上に設けられた銅ナノ粒子を含む印刷層を、低温かつ短時間で焼成処理して、平滑な半導体層を形成してなる半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、銅ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、酸素を含む雰囲気下、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】湿式塗布法により形成可能で、有機溶媒に対して耐性を有する有機半導体層を提供する。
【解決手段】有機顔料分散液は、有機溶媒と、この有機溶媒中に分散した有機顔料と、を含有し、有機トランジスタにおける有機半導体層を湿式塗布法によって形成する際の塗布液として用いられる。湿式塗布には、スピンコート法や、有機顔料分散液を微小液滴として吐出してドットまたは層を作製する液滴吐出法を採用できる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの作製過程で成膜に使用可能な水性の有機半導体分散液を提供する。
【解決手段】少なくとも電荷輸送能力のある有機半導体粉体と、水を主成分とする溶媒と、を含有するとともに、有機半導体粉体が前記溶媒中に分散してなる電子デバイス作成用水性分散液が提供される。この電子デバイス作成用水性分散液は、有機トランジスタや感光体などの各種電子デバイスの製造にあたり、被処理体上に適用され、乾燥させることにより有機半導体膜を成膜する用途に用いられる。 （もっと読む）

本発明は、調節剤によって変性された粒子、及び変性された粒子を含む分散媒体に関する。
金属、金属ハロゲン化物、金属カルコゲニド、金属ニトリド、金属ホスフィド、金属ボライド、金属フォスフェイト粒子、又はこれらの混合物が、１〜５００ｎｍの平均粒径を有し、そしてその表面が、以下の式（Ｉ）（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）
【化１】


の１種以上の調節剤で変性されている。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】転写印刷による有機半導体薄膜の形成において有機半導体材料の選択の自由度が高く、これにより印刷法を適用して特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】溶剤に溶解させたインクの状態において印刷版から基板への転写が不可能な有機半導体材料と共に転写が可能な有機材料を混合した混合インク層３を、印刷版１の一主面側に形成する。印刷版１側の混合インク層３を基板１０上に転写することにより、基板１０上に混合インク層３を転写してなる有機半導体薄膜１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質の有機薄膜を、効率よく得る半導体デバイス用有機薄膜の作製装置およびこの装置も用いた半導体デバイス用有機薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】被製膜基板３０表面に、有機分子からなる単分子層を、化学結合を介して少なくとも１層積層し、有機薄膜を形成させるための半導体デバイス用有機薄膜の作製装置であり、前記装置は、前記被製膜基板３０を保持するための基板ステージ３１１と、前記有機分子を含有する流体を前記装置内に導入する手段３３と、前記化学結合を形成させる際に生じる副生成物を前記装置から除去する手段３２２と、前記装置内の流体を排出する手段３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】印刷特性が良好であり、なおかつ得られる膜の相状態の制御が容易な半導体複合膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料ａと、有機半導体材料ａとは異なる高分子材料ｂとを溶剤ｃに溶解させると共に、溶剤ｃ中に微粒子材料ｄを分散させたインク３を調整する。印刷法によってインク３を用いた材料層３ａを基板１上に形成する。材料層３ａ中の溶剤ｃを除去することにより、材料層３ａ中の有機半導体材料ａと高分子材料ｂとを膜厚方向に相分離させると共に固化させ、有機半導体材料ａを含有する半導体薄膜層５ａと高分子材料ｂを含有する絶縁性薄膜層５ｂとを積層させると共に微粒子材料ｄが分散された半導体複合膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法に代表される塗布法で成膜可能であって、高い電荷移動度および高いオンオフ比を有する有機ＦＥＴを提供することができるカーボンナノチューブ分散溶液および有機半導体コンポジット溶液を提供すること。
【解決手段】表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブおよび一種類以上の溶媒を含有するカーボンナノチューブ分散溶液であって、該カーボンナノチューブ分散溶液に含まれる各溶媒の双極子モーメントが３．５Ｄｅｂｙｅ以下であり、かつ、沸点が１５０℃以上である溶媒を全溶媒中５０体積％以上含有するカーボンナノチューブ分散溶液。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、ＴＦＴ等の半導体活性層として良好な特性を有する金属酸化物膜を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜４０は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記条件を充足する組成分布を有するアモルファス構造膜である。＜基板側の膜面の組成＞主成分金属元素がＩｎ及びＺｎである。Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）＝０．５〜２．０、Ｃ_{Ｇａ＋Ａｌ}（Ｂ）／Ｃ_{Ｉｎ＋Ｚｎ}（Ｂ）＝０．０〜０．１２５。＜基板側と反対側の膜面の組成＞主成分金属元素が、Ｉｎ及びＺｎと、Ｇａ及びＡｌのうち少なくとも１種とである。Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）＝０．５〜２．０、Ｃ_{Ｇａ＋Ａｌ}（Ｔ）／Ｃ_{Ｉｎ＋Ｚｎ}（Ｔ）≧０．３７５。（Ｃ_Ｚｎ／Ｃ_ＩｎはＺｎ／Ｉｎモル比、Ｃ_{Ｇａ＋Ａｌ}／Ｃ_{Ｉｎ＋Ｚｎ}はＧａ＋Ａｌ／Ｉｎ＋Ｚｎモル比を示す。（Ｂ）は基板側の膜面、（Ｔ）は基板側と反対側の膜面を示す。） （もっと読む）

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、ＴＦＴ等の半導体活性層として良好な特性を有するＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜４０は、基板１０上に成膜され、主成分金属元素がＩｎ及びＺｎであるアモルファス構造の金属酸化物膜である。金属酸化物膜４０は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記式（１）を充足する組成分布を有している。
Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）≧４．０×Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）・・・（１）
（式中、Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）は基板側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比、Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）は基板側と反対側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比をそれぞれ示す。） （もっと読む）