【課題】印刷法を用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、前処理などを必要とせずに微細パターンを形成可能であり、トランジスタ特性の面内均一性に優れるとともに、インキの利用効率に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板上に形成されたゲート電極４１、ゲート絶縁膜、ソース電極４３、ドレイン電極４４、半導体層４５及び封止層４６を有する薄膜トランジスタ１を製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、インキ供給手段を用いて凹凸パターンが形成された印刷用版にインキを供給するインキ供給工程と、インキの予備乾燥を経た後に凸版を用いて非画線部のインキ液膜を除去するインキ液膜除去工程と、印刷用版上に残った画線部のインキ液膜を基板４０に転写して、半導体層４５及び封止層４６のうち少なくとも一方を形成するインキ液膜転写工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid : VLS）成長法により、ＳｉとＧｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_２膜で被覆されたＧｅナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）

【課題】量子ドットの配列パターンを制御可能であり、多大な工数を要することなく量子ドット層を形成可能な新たな手段を提供する。
【解決手段】量子ドットの配列パターンに対応するパターンのレーザ光を、量子ドット材料の薄膜により形成されたソースフィルム２５ｂに照射し、該レーザ光が照射された部位から前記量子ドット材料の微小液滴２６を放出させ、ソースフィルム２５ｂに対向配置した基板３０に量子ドット材料の微小液滴２６を固着させて、基板３０上に前記配列パターンで複数の量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、所定濃度のドーパントが均一にドープされた球状のｐ型またはｎ型の半導体粒子を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】ドーパントが所定濃度より高い濃度にドープされた第１の半導体粉末と、ノンドープあるいは前記ドーパントが所定濃度より低い濃度にドープされた第２の半導体粉末とを、平均ドーパント濃度が所定濃度と等しくなる比率で含む組成物を調製し、この組成物からなる所定質量の小塊を形成する。この小塊を加熱して球状の溶融体を形成し、これを凝固させる。 （もっと読む）

【課題】複数の量子ドットを互いに連結させて一体化させて一つの独立した量子ドット連結体を作製する。
【解決手段】互いに異なる量子ドット２１と量子ドット２２とが混合された波長λ₂以下の光照射で硬化する光硬化性溶液に対して、波長λ₂より長い波長λ₁の光を照射し、照射した波長λ₁の光に応じて量子ドット２１において励起子を励起させることにより当該量子ドット２１の近傍に近接場光を発生させ、量子ドット２２が量子ドット２１に近接した場合に発生させた近接場光により誘起された非断熱過程に基づいて当該量子ドット２２内に励起子を励起させ、量子ドット２２において励起された励起子が放出されるエネルギーに応じて波長λ₂以下の波長λ₃の出力光を生成し、波長λ₃の出力光を介して光硬化性溶液を硬化させることにより、互いに近接されている量子ドット２１と量子ドット２２を互いに連結させる。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた、シランカップリング試薬を用いて、水素終端化処理されたシリコン基板の表面修飾を極めて効率的に行う手段を開発し、センシング電極や有機エレクトロニクス素子の材料として有用な、新たな表面修飾半導体シリコン基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。また、この方法によれば、自己集合膜（ＳＡＭ）に匹敵するようなシランカップリング試薬の高密度単分子膜による修飾も可能である。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが分散媒体中に均一に分散されており、成膜性および成形性に優れ、かつ、簡便な方法で基板に塗工することができる組成物、ならびに該組成物から形成されたカーボンナノチューブ含有膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は（Ａ）カーボンナノチューブと、（Ｂ）金属塩およびオニウム塩から選ばれる少なくとも一種と、を含有する組成物であって、前記組成物中の前記（Ａ）成分の濃度Ｍ_Ａ（質量％）および前記（Ｂ）成分の濃度Ｍ_Ｂ（質量％）がＭ_Ｂ／Ｍ_Ａ＝２．０×１０^−４〜４．０×１０^−２である。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することである。
【解決手段】フラックスおよび原料を含む溶液を使用して窒化物単結晶を育成する装置を提供する。本装置は、溶液を収容するための坩堝、坩堝を収容する内側容器１６、内側容器１６を収容する加熱容器３１であって、発熱体１４、発熱体１４が設けられている容器本体１３、および容器本体１３と組み合わされる蓋１２を備える加熱容器を備えている。本装置は、更に、加熱容器３１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０、および加熱容器３１の外壁面と圧力容器３０の内壁面３０ａとの間に設けられている筒状断熱部材１１を備えている。 （もっと読む）

本発明の方法（２０）は、端部の第１の組を有する分離された要素を含むパターンで導電材料層を基板上に提供する段階（２１）を含む、半導体装置の製造に関する。本方法は、段階（２２）において、基板上にそれらの間に一つ以上のキャビティを形成するための一連の壁構造体を提供する段階をさらに含む。壁構造体は端部の第１の組と協働する端部の第２の組を有する。端部の第２の組は所定の距離で端部の第１の組から後退する。さらに、本方法は段階（２４）において、キャビティ内に液体材料を堆積する段階を含む。上述の特徴を有するディスプレイおよび電子装置も開示される。
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【課題】有機半導体として実用上十分に高移動度で、且つ安定した半導体特性を発現することができる有機半導体用混合物、並びに、有機電子デバイスの作製方法及び有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機半導体材料と下記一般式（Ｉ）で表されるカルボン酸又はそのエステルを含む有機半導体用混合物、並びに、基板上に有機半導体用塗布液を塗布し乾燥させて有機半導体層を形成する有機電子デバイスの作製方法において、有機半導体用塗布液が、有機半導体材料と前記カルボン酸又はそのエステルと溶媒とを含む有機半導体用混合物である有機電子デバイスの作製方法、及び、基板上に有機半導体と前記カルボン酸又はそのエステルを含有する有機半導体層を有する有機電子デバイス。


〔式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５０の脂肪族炭化水素基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２の各炭素数の和は５以上である。〕 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤが配置される基板上で独立して明確に規定され制御された向きを有するナノワイヤを備える装置を製造するために使用することができるナノワイヤを整列させる方法を提供する。この方法は、ナノワイヤ（１）を用意する工程と、ナノワイヤ（１）の集団に電界（Ｅ）を印加する工程とを備え、それによって、前記ナノワイヤの電気双極子モーメントがこれらのナノワイヤを前記電界（Ｅ）に沿って整列させる。好適には、前記供給及び整列させる工程中、前記ナノワイヤを流体中に分散させる。整列時、前記ナノワイヤを固定することができ、好適には、基板（２）上に堆積させることができる。前記電界は、前記堆積に利用することができる。前記ナノワイヤ（１）に導入されたｐｎ接合又は他の正味電荷は、前記整列及び堆積工程をアシストすることができる。前記方法は、実質的に任意の基板材料への例えばロールツーロールプロセスの連続加工に適しており、粒子アシスト成長に適した基板に限定されない。
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【課題】金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成されたトンネル絶縁膜に対向するように配置された第２の基板２１との間に、金属ナノ粒子が分散された粒子分散液２２を充填する充填工程と、トンネル絶縁膜の表面に沿った方向に、第２の基板２１をシリコン基板１に対して相対的に移動させることにより、トンネル絶縁膜の表面における第２の基板２１から露出した領域に形成される粒子分散液２２のメニスカス領域２３において、粒子分散液２２の溶媒を蒸発させることにより、トンネル絶縁膜上に金属ナノ粒子を離散的に配置する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、欠陥のない有機分子膜被覆ナノ結晶粒子を提供するのみならず、これを含む有機分子膜被覆ナノ粒子の製造工程を極めて簡便にすることができた製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ナノ結晶粒子の表面が有機分子膜にて被覆されてなる有機分子膜被覆ナノ結晶粒子であって、前記ナノ結晶粒子の表面全体が有機分子膜にて被覆されていることを特徴とし、有機分子膜被覆ナノ粒子の製造方法であって、ナノ粒子の母材となるターゲット材料を表面修飾用の有機分子液中に浸漬した状態でレーザー照射し、前記ターゲット材料から前記有機分子液中にナノ粒子を放散させ、その表面に前記有機分子を結合させることを特徴とする。
本発明は、上記の製造方法において、前記ターゲット材料が、前記レーザー照射によって放散されたナノ粒子の表面に酸化膜が生じない性質を有することを特徴とし、前記ターゲット材料が、予め表面を水素終端化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】転写印刷による有機半導体薄膜の形成において有機半導体材料の選択の自由度が高く、これにより印刷法を適用して特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】溶剤に溶解させたインクの状態において印刷版から基板への転写が不可能な有機半導体材料と共に転写が可能な有機材料を混合した混合インク層３を、印刷版１の一主面側に形成する。印刷版１側の混合インク層３を基板１０上に転写することにより、基板１０上に混合インク層３を転写してなる有機半導体薄膜１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極と半導体層とが良好な導通特性を有する薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ１の基板２の上面には、ゲート電極６が形成され、当該ゲート電極６を覆うようにしてゲート絶縁層５が設けられる。ゲート絶縁層５の上面には、ソース電極３、ドレイン電極４及び半導体層７が各々設けられ、ソース電極３及び半導体層７間のゲート絶縁層５上には、当該ソース電極３の端部と半導体層７の端部とを覆うように銀ナノインク９が塗布されて電気的に接続（コンタクト）されている。また、ドレイン電極４及び半導体層７間のゲート絶縁層５上にも、当該ドレイン電極４の端部と半導体層７の端部とを覆うように銀ナノインク１０が塗布されて電気的に接続（コンタクト）されている。 （もっと読む）