【課題】近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mに荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データDに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料Mの描画領域DAに描画する荷電粒子ビーム描画装置10の近接効果補正方法において、第１項から第ｍ項までの近接効果補正照射量の計算が終了した隣接している近接効果補正照射量計算用ブロック枠B2aと近接効果補正照射量計算用ブロック枠B2bとを結合することによって近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠B2abを作成し、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠B2abに対する第ｍ＋１項から第ｎ項（ｎは３以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を実行する。 （もっと読む）

【課題】通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させる。
【解決手段】連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置10において、描画区画判定部10b1a1が、偏向制御部10b1eから描画制御部10b1aに送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビーム10a1bの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、ステージ制御部10b1fが、描画制御部10b1aからのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部10b1a1により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージ10a2aを移動させる。 （もっと読む）

【課題】データに含まれる複数の要素を高速にレイアウト表示する。
【解決手段】データD1に含まれる図形FG01,…に対応するパターンを荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上に描画する描画部10aと、データD1に含まれる複数の要素をレイアウト表示するモニタ10d5とを具備する荷電粒子ビーム描画装置10において、上位階層要素と上位階層要素の外枠の内側に配置された複数の下位階層要素とを有する第１要素群と、第１要素群と同一構造の１個以上の他の要素群とがデータD1に含まれており、かつ、第１要素群の少なくとも一部と１個以上の他の要素群の少なくとも一部とがモニタ10d5の画面の表示領域内にレイアウト表示される場合に、１回のみ読み込まれ、１回のみ表示位置計算が行われた下位階層要素データに基づいて、第１要素群の下位階層要素および１個以上の他の要素群の下位階層要素を画面の表示領域内にレイアウト表示する。 （もっと読む）

【目的】電子銃及び高圧電源回路の異常を検知することが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、電子銃２０１に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路１１０と、高圧電源回路１１０内に配置され、電子銃２０１のエミッタ抵抗の変動を検知するエミッタ抵抗変動検知回路５４と、高圧電源回路１１０内に配置され、検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する記録回路８０と、電子銃２０１から放出される電子ビーム２００を試料の所望する位置に照射する電子光学系と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の電子光学系と単一のビームパターン限定アパーチャを用いて、被処理体上のビームパターン内の電流密度分布特性を改善すること。
【解決手段】物理的に製作可能に修正されたアパーチャレイアウトについて、ビームパターン内の電流密度分布を求める（Ｓ₅）。次に、上記のようにして求めたビームパターンＢＰ内の電流密度分布に予め設定した判定閾値を当てはめて電流密度の均一性を判定し（Ｓ₆）、許容範囲に収まらないときは仮電子線通過領域部に仮内部遮蔽部を設定する（Ｓ₇及びＳ₈）。次に、上記のように仮内部遮蔽部によって変更または更新されたアパーチャレイアウトについてステップＳ₅〜Ｓ₈を適宜繰り返し、判定基準を満たすような仮電子線通過領域部および仮内部遮蔽部を確定する（Ｓ₈）。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置に関し、描画面の高さ変化とそれに伴うフォーカス補正によるフィールド幅と回転のずれを補正する時、縮小率の設定に対して最適なフィールド幅の高さ補正係数を算出してフィールド幅に対する描画精度の低下を防止することを目的としている。
【解決手段】ファインピッチコントロール描画機能及び最小インクリメント可変描画機能を用いて試料にパターンを描画する場合において、描画面の高さ変化とそれに伴うフォーカス補正によるフィールド幅と回転のずれを補正する時に、縮小率の設定に対して最適なフィールド幅の高さ補正係数を算出する演算制御手段と、算出した高さ補正係数に基づいて試料に描画を行なう描画手段、とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】反射率の低いフォトマスクの高さ測定に関し、光位置検出器が有する暗電流による測定値のゆらぎを回避し、高精度の高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光測定によるフォトマスク表面の高さ測定手段が、光位置検出器に入射する反射光量の読出し手段と、読み出された光量が、所定の光量になるように、高さ測定をするフォトマスクの種類に応じて、光源から照射される入射光量を自動制御する制御手段とを備え、前記読出し手段は、前記反射光量を所定の待機時間経過後に読出し、前記制御手段は、読み出した光量が前記所定の光量に到達していない場合は、前記読出し手段が、読み出し可能な光量値の範囲内でフィードバック制御する電子線描画装置を提供する。
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【課題】 チップパターンの一つの描画データに含まれる特定のパターンのショット条件を変えながら、チップパターンを描画可能な荷電粒子ビーム描画システムを提供する。
【解決手段】 特定のフラグを付された部分パターンを含むチップパターンの描画データを格納する描画データ格納部25、特定のフラグを付された部分パターンの複数のリサイズ量を格納する描画条件格納部26、及び複数のリサイズ量のそれぞれに従って、特定のフラグを付された部分パターンのサイズをショット毎に変えながら、描画データで定義されたチップパターンを描画する荷電粒子ビーム照射機構230を備える。 （もっと読む）

【課題】高スループットかつ露光領域境界での寸法変動が少なく高精度な直描露光システム及びこの直描露光システムを構成するＣＡＤや直描露光装置を提供する。
【解決手段】半導体素子や液晶表示デバイス等の描画パターンの設計を補助する設計装置１０１と、設計装置１０１からのデータを受け取り、そのデータに従って基板上に光学的にパターンを生成する直描露光装置２０１とからなる直描露光システムにおいて、描画すべきオブジェクトデータと、前記オブジェクトデータを下層の描画パターンに合わせるための座標に加えて、前記描画すべきオブジェクトデータの形に合わせて描画ヘッド（光学描画エンジン）を制御するための境界フラグを設計装置１０１から直描露光装置２０１に伝達する。 （もっと読む）

【課題】電子線を照射する照射系での非点収差を評価する。
【解決手段】基準試料ＷＰの表面に、複数（例えば４つ）の同心円からなる図形パターンを形成し、この基準試料ＷＰを電子線でスキャンすることによって得られる電子信号に基づいて画像（スキャン画像）を形成する。このスキャン画像では、非点収差の方向を長手方向とする領域に像のボケが生じ、また、非点収差の大きさによって、ボケが生じた領域の範囲が変化する。したがって、得られたスキャン画像に基づいて、照射装置１０の照射系での非点収差の方向及び大きさを検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路等により高精度でクロック周波数の設定を行うことにより、情報記録媒体の原盤を作成する電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】第１クロック作成回路３は第１クロック周波数を有し露光のタイミングの基準となるライトクロックを作成する。第２クロック作成回路４は第２クロック周波数を有しモータの回転速度の基準となるスピンドルクロックを作成する。リファレンスクロック作成回路２は、第１及び第２クロック作成回路３及び４に共通にリファレンスクロックＦｒを供給する。周波数更新回路９は、第１及び第２クロック作成回路３及び４に共通に設けられ、リファレンスクロックＦｒの数をカウントして、そのカウント値が所定の値となった場合に、第１及び第２クロック周波数を更新する。 （もっと読む）

【課題】 ステージ位置を検出するレーザー干渉位置検出システムの移動ミラーの直交性の変動に伴う描画パターンの位置精度の劣化を改善し、描画精度の向上をはかる。
【解決手段】 エネルギービーム描画装置において、入射ビームに垂直な平面上をＸ，Ｙ方向に移動可能に設けられた可動式ステージ１２と、ステージ１２に取り付けられたＸ軸及びＹ軸の移動ミラー１３，１４にそれぞれレーザー光を照射し、各々の反射光を基にステージ１２のＸ，Ｙ方向の位置を検出する２系統のレーザー干渉位置検出システム３５と、ミラー１３，１４の直交性の経時変化特性と経過時間に基づいてステージ位置情報を補正する位置補正システム３６と、補正されたステージ位置情報を用いてステージ位置及びエネルギービームを制御し、ステージ１２上に保持された試料１１上の所望の位置にビームを照射する制御部３３，３４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】マスク基板を移動する位置やビームを偏向する方位に誤差が生じても、製造歩留まりを向上し、スループットを向上するマスク描画方法及びマスク描画装置を提供する。
【解決手段】マスクパターンを描画するストライプを、パターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板の面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれに複数設定する。ここでは、ｘ方向とｙ方向とにおいて複数のストライプの端部が不規則な位置になるように、ストライプのそれぞれを配置する。そして、その設定した複数のストライプのそれぞれへ、順次、ビームを走査するスキャンＳを複数実施することによって、パターン描画領域にマスクパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】大容量のメモリを用いずに、露光位置精度をより高精度にするとともに、露光待ち時間をさらに短縮することができるＤ／Ａ変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数ビットのデジタルデータが入力され、対応する出力電気信号を出力する第１のＤ／Ａ変換回路１１と、デジタルデータに対する補正コードが入力され、対応する補正電気信号を出力する第２のＤ／Ａ変換回路１２とを有し、第１のＤ／Ａ変換回路１１の出力端子と第２のＤ／Ａ変換回路１２の出力端子が接続され、補正電気信号により出力電気信号を補正するＤ／Ａ変換装置であって、デジタルデータの各ビットごとに第１のＤ／Ａ変換回路１１に関し求められた補正コードを記憶する記憶手段１０５と、デジタルデータの各ビットごとに補正コードを逐次入力して加算し、デジタルデータの全ビットに対する補正コードを出力する演算手段１０７とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

標本を保持する標本ホルダと、荷電粒子を標本ホルダ上に放出するように上面と下面との間に貫通開口部を有するマスクと、マスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対位置を検出する近接場検出装置と、ソース（１）とマスク（８）との間の相対位置とは無関係にマスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対移動を生じさせる変位装置と、を有し、マスクが貫通開口部（１０）に少なくとも第１の電極を含んでいる、ナノ製造設備。
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【課題】少ない電子線の照射量で高いコントラストの露光を行わせ、かつ高精度にウェーハ上にパターンを形成させると共に、高精度な検査を行う。
【解決手段】パターン形成時は、近接効果補正処理を行い、かつ電子線の露光特性の逆特性を有するフィルタ処理結果で電子線を露光する。また、パターンの検査時は、形成したパターンのエッジ周辺を求めるフィルタ結果で電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームにより描画対象に対して微細なパターンを高精度に描画すること。
【解決手段】 本発明の電子ビーム描画装置Ｘ１は、電子銃１２と、これから出射された電子ビームＢをパルス化して原板Ｄに向けて電子ビームパルスＢｐを発生させる手段と、電子ビームパルスＢｐのデューティ比を制御する手段と、パルス化手段による電子ビームパルス発生の有無を切り換える手段とを備える。パルス化手段は、開口部１５ａを有する絞り板１５と、電子ビームＢが開口部１５ａを通過しないように電子ビームＢを偏向するための阻止電界を各々が発生可能な偏向器１４Ａ，１４Ｂとを有し、偏向器１４Ａは、阻止電界を発生する第１状態から発生しない第２状態に一定周期で変化し、偏向器１４Ｂは同じく第１状態から第２状態に偏向器１４Ａと同じ周期かつ異なるタイミングで変化し、デューティ比制御手段は、偏向器１４Ａ，１４Ｂの状態変化のタイミングの差を変化させる。 （もっと読む）

【課題】
マルチビーム方式におけるクーロン効果の影響を低減し、高速・高精度な描画を可能にする電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】
複数の電子ビームが所定の間隔で配列されたマルチビームを用いて試料上に所望とする図形パターンを描画する電子ビーム描画装置において、マルチビームの間隔より大きな距離の電子ビーム偏向を行う際に、焦点位置またはマルチビームの間隔もしくは位置の補正データの少なくとも１つを再設定するよう構成する。再設定の際に、マルチビームの間隔より大きな距離の電子ビーム偏向により描画される領域の平均的な照射電流量もしくは総照射電流量、または描画図形の密度や面積のデータをもとに再設定値を計算することが有効である。 （もっと読む）

被露光物と電子線照射スポットを連続する速度で互いに相対的に移動させる電子線露光方法において、前記被露光物上に前記電子線照射スポットを形成する電子光学系の透過率を変化させることにより、前記被露光物を複数の電子線照射強度で露光する。
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【課題】 所望パターンを露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法を提供する。【解決手段】 荷電粒子線を走査して基板上の複数のピクセルからなるパターンを露光する荷電粒子線描画方法において、前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が他のピクセルの露光時間よりも小さくなるように指令値を生成する生成ステップと、前記指令値を直前のピクセルの指令値に基づいて補正する補正ステップとを有する。 （もっと読む）