【課題】半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む第１の絶縁膜を形成する工程（Ａ）と、該第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜に積層する工程（Ａ）と、非酸化雰囲気下で紫外線を照射する工程（Ｂ）と、を順次含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【目的】多孔質絶縁膜の吸着サイトの修復と共に表面に露出した空孔を塞ぐ両プロセスを効率よく行なう半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板上に多孔質絶縁材料を用いた多孔質絶縁膜を形成するｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、ｌｏｗ−ｋ膜に開口部を形成する配線溝形成工程（Ｓ１１６）と、前記開口部にＳｉ−ＯＨ基を置換する所定のガスを供給して、前記開口部表面のｌｏｗ−ｋ膜の膜質を修復する膜質修復工程（Ｓ１２２）と、前記膜質の修復を行なった後に、膜質修復に用いたガスと同じ前記所定のガスを用いて前記開口部表面のポアシーリングを行なうポアシーリング工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＵＶキュアを実施するチャンバー内の雰囲気ガスに着目し、Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させるための具体的な製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３を形成した状態の半導体基板ＳＢをチャンバー内に収容し、大量の窒素ガスをチャンバー内に導入してチャンバー内の空気等をパージし、チャンバー内の雰囲気ガスを窒素ガスに置換する。その後、窒素パージにより大気圧あるいは大気圧より若干陽圧に調整されたチャンバー内に微量な酸素ガスを導入してＵＶキュアを実施する。酸素ガスの導入に際しては、流量計を用いて流量を制御しながら酸素ガスを導入し、チャンバー内の酸素濃度が５ｐｐｍ〜４００ｐｐｍの範囲で一定値となるように流量計を用いて調整を行う。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去後のＬｏｗ−ｋ膜のダメージを十分に回復することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】被エッチング膜としての低誘電率層間絶縁膜、および、その上に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクとしてのフォトレジスト膜を有する基板を準備し（工程１）、フォトレジスト膜を介して低誘電率層間絶縁膜をエッチングして低誘電率層間絶縁膜に溝および／または孔を形成し（工程２）、水素含有ガスを高温の触媒に接触させることにより生成された水素ラジカルを用いて、フォトレジスト膜をアッシングし（工程３）、アッシングにより前記低誘電率層間絶縁膜に入ったダメージを所定の回復ガスを供給することにより回復させる（工程４）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、トランジスタ特性に優れ、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板、および、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に接するように形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極とを備える有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、上記ゲート絶縁層が、絶縁性を有するバインダー樹脂と、光触媒と、有機シラン化合物とを含有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、トランジスタ特性に優れ、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板、および、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に接するように形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極とを備える有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、上記ゲート絶縁層が、絶縁性を有するバインダー樹脂および光触媒を含有する絶縁性光触媒層と、絶縁性光触媒層上に形成され、有機シラン化合物からなる珪素化合物層と、を有するものであることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】膜強度が高く、吸湿による誘電率上昇を防止できる低誘電率絶縁膜、寄生容量増大によるデバイス応答速度の遅延および信頼性の低下を防止できる多層配線装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＣＨ₃結合およびＳｉ−ＯＨ結合を有する物質を含む絶縁膜を形成し、絶縁膜にフィルターを介して紫外線を照射して絶縁膜を変性させることを含む多層配線装置の製造方法において、そのフィルターとして、紫外線照射により、絶縁膜中の、Ｘ線光電子分光分析法によるＣ濃度の減少率が３０％以下、Ｃ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結合およびＳｉ−ＯＨのＳｉ−Ｏ結合からなる群から選ばれた１以上の結合の減少率が１０％以上である特性を与えるフィルターを使用する。あるいは、紫外線照射により、絶縁膜中にＳｉ−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｓｉ結合およびＳｉ−ＣＨ₂−Ｓｉ結合を形成させる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、膜特性に優れた絶縁膜が形成可能な組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）〜（ＩＶ）表される化合物のうちの少なくともいずれかの重合物を含む組成物、該組成物を用いた膜製造方法、該方法で製造された膜、該を含む半導体デバイス。Ｒ_４Ｓｉ （Ｉ）Ｒ_３Ｓｉ-（Ｘ-ＳｉＲ_２）_ｍ-Ｘ-Ｓｉ-Ｒ_３ （II）＊ -（Ｘ-ＳｉＲ_２）_ｎ- ＊ （III）ｍ・ＲＳｉ(Ｏ_0.5)₃ （ＩＶ）（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒは非加水分解性基、Ｘは−Ｏ−等、ｍは０以上の整数、ｎは２〜１６の整数を表し、式（III）の＊同士は結合して環を形成し、式（ＩＶ）は、ｍ個のＲＳｉ(Ｏ_0.5)₃ユニットを有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物を表し、ｍは８〜１６の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 基板表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】 第一有機シリコン化合物と、第一酸化ガスと、一つ以上の炭化水素化合物とを含む第一ガス混合物を基板表面上に第一低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内へ分配させる。第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスとを有する第二ガス混合物を、第一低誘電率膜上に第二低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内に分配させる。第二酸化ガスのチャンバ内への流量を増加させ、第二有機シリコン化合物のチャンバ内への流量を減少させて、第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】熱処理を行っても低い比誘電率を維持する低誘電率ＳｉＯＣＨ膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯＣＨ膜の成膜方法は、被処理基板上のプロセス空間中においてシロキサン員環構造を有する有機シロキサンプリカーサをプラズマにより解離させる工程と、前記被処理基板上に前記ＳｉＯＣＨ膜を成膜する工程とを含み、前記成膜工程は、室温以上、２００℃以下の温度で実行されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アッシング処理を行わずに、撥水性材料からなる絶縁膜の表面を改質する絶縁膜の表面改質方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、有機半導体層１４を介して撥水性材料からなる第１絶縁膜１５ａを形成する工程と、第１絶縁膜１５ａの表面に、第１絶縁膜１５ａの表面を撥水性が低くなるように改質する表面処理剤を塗布する工程とを有することを特徴とする絶縁膜の表面改質方法およびこの方法を用いた半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】混合物上の塩化物塩を他の有機ケイ素前駆体材料と沈殿させる可能性が実質的に無い有機ケイ素前駆体組成物を提供する。
【解決手段】ジエトキシメチルシランを含む別の組成物と混合した場合に収率好ましからざる塩化物塩沈殿を与えないジエトキシメチルシランを含む有機ケイ素組成物、溶解残留塩化物の濃度、および溶解残留塩化物捕集剤の濃度を与える。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ、（Ｒ^１は、Ｈ若しくはＦ、又はＢ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはＴｉを含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、ｎが２のとき、各Ｒ^１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｅ）成分：ヒドロキシル基を含む側鎖を有する重合体と、を備え、重合体が、式（２）；０＜Ｍ_ＯＨ＜０．４×１０^−２、Ｍ_ＯＨ：重合体における前記ヒドロキシル基の濃度（ｍｏｌ／ｇ）、で表される関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの光を照射してもゲート絶縁膜の絶縁性が低下することのない積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置の提供。
【解決手段】少なくとも基板上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、該濡れ性変化層によってパターン形成された電極層とを有する積層構造体において、該エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜の成膜後にアニール等の加熱下での処理を施してもアモルファスカーボン膜の特性が大きく変化することがないアモルファスカーボン膜の後処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、加熱をともなう処理が施されたアモルファスカーボン膜を後処理するに際し、加熱をともなう処理の直後に、アモルファスカーボン膜の酸化防止処理、例えばシリル化剤を接触させるシリル化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】露光部の感光性組成物を現像液に十分に溶解させることができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるパターン膜の製造方法、これに用いるポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】シリコン縮合物（Ａ）と光酸化剤（Ｂ）とを含有し、光が照射される前において現像液に不溶なポジ型感光性組成物を用意する工程と、基板上に、ポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層１を形成する工程と、感光性組成物層１を選択的に露光し、露光部において光酸化剤（Ｂ）の作用によってシリコン縮合物（Ａ）に親水性基を導入し、露光部の感光性組成物層１Ａを現像液に可溶にする工程と、露光部の感光性組成物層１Ａを現像液に可溶にした後、感光性組成物層１Ａを現像液で現像し、パターン膜１Ｃを得る工程とを備えるパターン膜の製造方法、これに用いる感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率層間絶縁膜および／または金属膜の酸化を確実に抑止することが可能であり、しかも、プロセスの再現性に優れた熱処理方法を提供する。
【解決手段】 熱処理方法は、ｌｏｗ−ｋ膜および配線層が成膜されたウエハＷを熱処理炉４１内に収容する工程と、熱処理炉４１内に、気相の無水酢酸をマスフローコントローラ４４ｄによって流量調整しながら供給する工程と、気相の無水酢酸が供給された熱処理炉４１内のウエハＷを、熱処理炉４１に設けられたヒーター４１ｂによって加熱する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】露光部の感光性組成物を現像液に十分に溶解させることができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有するポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜１Ｃの製造方法及び半導体素子。 （もっと読む）