【課題】低吸湿性かつ低誘電率のＦ添加ＳｉＯ₂ 膜を形成すること。
【解決手段】導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ₂ の網目構造を有する絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際に、原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₃ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＲＯ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＮ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＮＯ₂ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＯＯＲ）₃ （Ｒは官能基）またはＳｉＦ_n （ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）_4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用いたときに、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換する反応確率が、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも小さくなる成膜温度で、前記絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低誘電性であり、かつ塗膜形成後の経時によって一旦上昇した誘電率を加熱処理によって回復させる能力（k値回復性）を良化させた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 (A)少なくとも一種の有機ポリマーまたは２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、(B)溶剤、(C)下記一般式(C-1)〜(C-3)の何れかで表される少なくとも一種の有機シリコーン化合物を含有することを特徴とする。
【化１】


（R₁はメチル基等を表し、x₁は0〜95mol%, x₂は5〜100mol%、x₁+ x₂ = 100mol%であり、R₂, R₃はアルキル基等を、R₄はメチル基等を表し、X₃は5〜100mol%, x₄は0〜95mol%、x₃ +
x₄ = 100mol%であり、Rfはフルオロアルキル基を表し、x₅は0〜95mol%, yは5〜100mol%、x₅ + x₆ = 100mol%である。） （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜にコンタクトを形成する際のポイズンドビアの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板４２上に配置した複数の下層配線４６とその間隙４７とを覆って、有機ＳＯＧ膜を塗布し平坦化する。有機ＳＯＧ膜をイオン注入により改質し、コンタクトホール５６より深い位置まで改質ＳＯＧ膜５２に変える。特に、下層配線４６の上からずれて形成されるコンタクトホール５６ｂは、下層配線４６の上面より低い位置まで到達する。改質ＳＯＧ膜５２は、このコンタクトホール５６ｂが到達する深さより深い位置まで形成される。この改質ＳＯＧ膜５２の形成後、コンタクトホール５６が形成される。コンタクトホール５６の内部には、未改質の有機ＳＯＧ膜５０が現れず、プラグ６０を埋め込む際にポイズンドビアとなることが防止される。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率の絶縁膜を形成することができ、しかも表面平滑性が損なわれがたい、シルセスキオキサン系絶縁材料を提供する。
【解決手段】下記の式（１）で示す構造を有するポリシルセスキオキサンを含むことを特徴とする。
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【課題】低温プロセスで得ることができ、電気的絶縁性が高く、表面性状が良好なシルセスキオキサン系絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと、前記アルコキシシランの加水分解を促進するための酸触媒と、水と、第１の非プロトン性溶媒とを含む溶液を用意する工程と、前記溶液を０℃〜５０℃の温度に維持して加水分解する工程と、前記加水分解後に、前記溶液を５０℃〜７０℃の温度に維持し、加水分解重縮合を進行させる工程と、前記加水分解重縮合を進行させた後に、酸触媒及び副生成物を少なくとも留去するために減圧する工程と、減圧後に前記溶液を塗工する工程と、塗工された溶液を１５０℃〜１７０℃の温度で焼付けてシルセスキオキサン系膜を形成する工程とを備える、シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）一または複数の置換基を任意に有するスチリル基を分子内に少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを加水分解して得られる加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素−炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｃ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】炭素を含むシリコン系酸化物を用いた絶縁膜の形成方法において、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】基板２の上に導電層３を形成した後、インクジェット法により、炭素を含むシリコン系酸化物を含むインクを塗布する。次いで、真空中でインクに対して第１の熱処理を行い、インクに含まれる炭素成分を除去する。その後、第２の熱処理を行って隔壁５を形成する。第１の熱処理は、８０℃〜１００℃の温度で行うことができる。また、第２の熱処理は、３００℃〜４００℃の温度で行うことができる。炭素を含むシリコン系酸化物は、アルキルシルセスキオキサン、アルキルシロキサンまたはオルガノポリシロキサンとすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にシリコンを含む低誘電率膜を塗布法により形成するにあたり、簡便な方法により低誘電率膜中に気孔を形成すること。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体であるシリコンを含む化合物の塗布液中に、負電荷を持ち、かつ浮力がほぼゼロの極めて小さな気泡であるナノバブルを導入し、この塗布液を基板上に塗布した後に、基板を加熱して低誘電率膜を形成する。このナノバブルが負電荷を持っているので、凝集しにくく、溶液中に均一に分散し、また基板の加熱後にも気泡として低誘電率膜中に取り込まれるため、均一で小さな気孔を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で信頼性の高い積層絶縁膜構造体および多層配線を得ることができる。また、この多層配線により、特に半導体装置等の応答速度の高速化に寄与することができる。
【解決手段】基板上に多孔質絶縁膜前駆体の層を形成し、特定のシリコン化合物の層を形成し、必要に応じてそのシリコン化合物の層をプリキュアし、シリコン化合物の層またはプリキュア層を介して多孔質絶縁膜前駆体に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】多孔質低誘電率膜と絶縁物バリア膜との誘電率及び機械的強度の制御を容易にする。
【解決手段】反応基が他の官能基に比して切断されやすい状態の反応ガスによって製造対象の半導体ウェハを処理する。典型的には、反応ガス自体を、ＯＣ_２Ｈ_５基又はＯＣＨ_３基等を有するシロキサンガスを反応ガスとし、Ｃ_２Ｈ_５基等が離脱した後に残る酸素（Ｏ）の相互結合、或いは、Ｃ_２Ｈ_５基とＯＣ_２Ｈ_５基又はＯＣＨ_３基との反応を経て、低誘電率膜又は絶縁物バリア膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、両親媒性表面調整剤を誘電性領域に塗布し、誘電性領域を調整することと、を含む、パターン化半導体基板を調整する方法が提示される。いくつかの実施形態では、誘電性領域を調整することは、誘電性領域のぬれ角を調整することを含む。いくつかの実施形態では、ぬれ角を調整することは、誘電性領域の表面を親水性にすることを含む。いくつかの実施形態では、方法は、水溶液をパターン化半導体基板表面に塗布することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性領域は、水溶液によって、選択的に増強される。いくつかの実施形態では、方法は、低誘電率材料から形成される誘電性領域を提供することをさらに含む。いくつかの実施形態では、両親媒性表面調整剤を塗布することは、低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する。
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【課題】この発明は、基材に塗布後１２０℃程度以下の低温で加熱処理することによって硬化絶縁膜を得ることが可能であり且つその硬化膜は基材や封止材料との密着性が良好な、低温硬化性及び密着性が改良された絶縁膜用の溶液組成物であり、電気電子部品などの硬化絶縁膜を形成するための印刷インキ又は塗布用ワニスとして好適な溶液組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）有機溶剤可溶性のポリイミドシロキサン１００重量部、（ｂ）多価イソシアネート２〜４０重量部、（ｃ）エポキシ化合物０．１〜３０重量部、及び、（ｄ）有機溶剤を含有し、低温硬化性及び密着性が改良されたことを特徴とするポリイミドシロキサン絶縁膜用組成物、前記絶縁膜用組成物を加熱処理することによって形成される硬化絶縁膜、及び、硬化絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】酸化膜で配線層を被覆した場合に、配線層の電界腐食を促進させない半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主面が絶縁性である基板上に設けられた配線層と、前記配線層を被覆する様に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を被覆するように設けられた第２絶縁膜と、前記配線層、前記第１絶縁膜、及び前記第２絶縁膜の設けられた基板の主面側に、塗布法によって形成された平坦化膜と、を具備し、前記第１絶縁膜は、酸化膜であり、前記第２絶縁膜は、酸窒化膜又は窒化膜であること。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く、且つエアギャップにより配線間の容量を十分に低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に配線間絶縁膜１０３を堆積した後、配線間絶縁膜１０３に配線溝１０４を形成し、その後、配線溝１０４の内部に下部配線１０７を形成する。配線間絶縁膜１０３の上及び下部配線１０７の上に保護膜１０９を形成した後、保護膜１０９上にハードマスク膜１１０を形成し、その後、ハードマスク膜１１０をパターン化する。パターン化されたハードマスク膜１１０を用いて、保護膜１０９及び配線間絶縁膜１０３を部分的に除去することにより、エアギャップ溝１１２を形成し、その後、エアギャップ溝１１２の上部を塞ぐように層間絶縁膜１１３を形成することにより、エアギャップ１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】十分に低い比誘電率及び良好な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるとともに、凹凸面を覆うシリカ系被膜を形成したときの凹凸緩和性に優れるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）成分：テトラアルコキシシラン及びオルガノトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを、マレイン酸及び／又はマロン酸の存在下に加水分解重縮合して得られる、５００〜１５００の重量平均分子量を有するシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：アンモニウム塩とを含有する塗布型のシリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、特にプラズマＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜４の鎖状又は分岐状アルキル基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。）
で示されるビニル基含有環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を提供する。 （もっと読む）

半導体素子の微細ギャップ充填用化合物、及び前記化合物を含む組成物が提供される。前記組成物は、一般的なスピンコーティング技術で、基板にある直径が７０ｎｍ以下、アスペクト比（高さ／直径の比）が１以上の孔を空気の細孔などの欠陥がなく完全に埋めることが可能である。さらに、前記組成物は、焼成による硬化後に、フッ酸溶液で処理することにより、制御可能な速度で孔から残余物を全く残さないで完全に除去されうる。さらに前記組成物は保管中に非常に安定である。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、かつ、機械的強度が強い絶縁膜を持つ半導体装置を提供することである。
【解決手段】層間絶縁膜および配線間絶縁膜を有する半導体装置であって、
上層配線膜と下層配線膜との間に位置する一つの層間絶縁膜が、二つ以上の多孔性絶縁層の積層によって構成されてなり、又、配線膜における配線と配線との間に位置する一つの配線間絶縁膜が、二つ以上の多孔性絶縁層の積層によって構成されてなり、前記多孔性絶縁層の空孔の連続性が多孔性絶縁層の積層界面領域において遮断されてなる。 （もっと読む）

【課題】誘電率が３以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。
【解決手段】(i)アルコキシシランの１種または２種以上を加水分解、または加水分解後、熟成して得られたシリカ微粒子の少なくとも一部の表面に、フェニル基含有アルコキシシランまたはフェニル基含有クロロシランの加水分解物を結合させて得られたフェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)アルコキシシランおよび／またはハロゲン化シランの加水分解物と、ポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとの反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）