【課題】 剥離の発生の少ない薄膜多層配線基板とその製造方法を提案する。
【解決手段】 少なくとも一つの前記配線層が、下層の配線層上に形成された第一のＳｉＯ_２薄膜と、前記第一のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＯＮ薄膜と、前記ＳｉＯＮ薄膜上に形成された第二のＳｉＯ_２薄膜と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜に埋め込まれて形成された配線導体と、前記配線導体と接続しかつ前記第一のＳｉＯ_２薄膜、前記ＳｉＯＮ薄膜および前記第二のＳｉＯ_２薄膜を貫通して前記下層の配線層の配線導体と電気的に接続するビア導体と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＮ薄膜と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーを絶縁膜として使用した場合に、導電パターンの表層に酸化層が残ることを抑制でき、絶縁膜の表層の比誘電率が上昇することを抑制でき、かつ絶縁膜と拡散防止膜の密着性が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーからなる絶縁膜１００に、導電パターン２００を埋め込む工程と、絶縁膜１００及び導電パターン２００の表面を、炭化水素ガスを処理ガスに含むプラズマで処理する工程と、上記した処理ガスに、Ｓｉ含有ガスを徐々に又は段階的に添加量を増大しながら添加してプラズマＣＶＤを行うことにより、絶縁膜１００上及び導電パターン２００上に、ＳｉＣＨ膜、ＳｉＣＨＮ膜、ＳｉＣＨＯ膜、またはＳｉＣＨＯＮ膜からなる拡散防止膜３０２を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および加工耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ^１_ｂ（Ｒ^２Ｏ）_３−ｂＳｉ−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３−ｃＲ^４_ｃ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示す。） （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および薬液耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１、下記一般式（２）で表される化合物２、および加水分解性ポリカルボシランを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ・・・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜２のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示し、ａは１〜２の整数を示し、Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示す。）
Ｒ^２_ｂ（Ｒ^３Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^６）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｃＲ^５_ｃ・・・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６はフェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を示し、ｄは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜を用いた層間絶縁膜ＳｉＯＣＨ膜をＣＭＰプロセスにおけるダメージから保護しつつ、配線間層間絶縁膜ＳｉＯＣＨ膜の実効誘電率を低減する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＳｉＯＣＨ膜１０の表層が改質されることにより形成された、ＳｉＯＣＨ膜１０よりも炭素濃度が低くかつＳｉＯＣＨ膜１０よりも酸素濃度が高い表面改質層２０が設けられるとともに、Ｃｕ配線５０の表面及び表面改質層２０の表面に接するキャップ絶縁膜６０を有している。このため、ＳｉＯＣＨ膜１０全体の誘電率の上昇を低減しつつ、ＣＭＰプロセスにおいて親水性の表面改質層２０が露出することによって水滴が残りにくくなり、ＣＭＰプロセス後のパーティクルの残留やウォーターマークの発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して０．３５重量％以上２．２０重量％以下で、並びに、一般式（１）〜（３）で表される化合物の合計に対して、一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表されるテトラアルキシキシラン化合物を４５ｍｏｌ％以上８７ｍｏｌ％以下で、一般式（２）：Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるトリアルコキシシラン化合物を１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下で、そして一般式（３）：Ｒ^２_２Ｓｉ（ＯＲ^１）_２で表されるジアルコキシシラン化合物を１．５ｍｏｌ％以上３．６ｍｏｌ％以下で含有する。 （もっと読む）

【課題】シロキサンポリマーと下地との密着を高めることができる絶縁膜及び当該絶縁膜を備えた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】この薄膜トランジスタ１０は、基板１２を備え、その基板１２の上面には、ソース電極１５及びドレイン電極１６が、所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。また、ソース電極１５及びドレイン電極１６の間を埋めるように、半導体層１７が形成され、当該半導体層１７上には、ゲート絶縁膜１３が設けられている。ゲート絶縁膜１３上には、ゲート電極１１が設けられている。また、基板１２、ソース電極１５、ドレイン電極１６、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１１を覆うようにポリシラザン層１９が形成されている。そして、ポリシラザン層１９の上側には、シロキサンポリマーからなる層間絶縁膜１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有するとともに、ＴＦＴの性能安定性が高いトランジスタ基板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面にガスバリア層２０が設けられたプラスチック基材１２と、前記プラスチック基材上に設けられ、ゲート電極４２、ゲート絶縁層３０、酸化物半導体又は有機半導体を含む活性層４４、ソース電極４６、及びドレイン電極４８を有する電界効果型薄膜トランジスタ４０と、を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも１つの有機層２４と少なくとも１つの無機層２２，２６とが積層した構造を有し、且つ、前記ゲート絶縁層が、少なくとも１つの有機層３４と少なくとも１つの無機層３２，３６とが積層した構造を有することを特徴とするトランジスタ基板１０。 （もっと読む）

【課題】基板実装による誘導素子（インダクタ）の特性劣化を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に電極１１ａ，１１ｂが設けられた半導体基板１０と、電極１１ａ，１１ｂと整合する位置に第１の開口部を有する第１の絶縁樹脂層１２と、第１の開口部を介して電極１１ａ，１１ｂと導通した第１の配線層１３ａ，１３ｂと、第１の開口部と異なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁樹脂層１４と、第２の絶縁樹脂層１４上に設けられ、かつ誘導素子１５ｃを有する第２の配線層１５と、第２の絶縁樹脂層１４および第２の配線層１５の上において少なくとも誘導素子１５ｃを覆う電気絶縁性を有する磁性体層１９と、第２の配線層１６に導通する実装用端子１７とを備える半導体装置。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】銅拡散バリア性を有しかつ極めて低い比誘電率を有した絶縁膜を提供する。
【解決手段】５−シラスピロ［４，４］ノナン、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどのケイ素化合物を絶縁膜材料とし、プラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護する方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバＰＣ１００の内部に載置された基板上のＩＴＯ表面にその表面の汚染物の分子の結合エネルギーより強いエネルギーを持つ光を光源から照射し、その照射中又は照射後、直ちに同一チャンバ内にてシランカップリングのガスを供給する。これにより、基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護することができる。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜のクラックを防止すると共に、配線部材の寿命を向上させることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子が形成された基板上に配線部とパッシベーション膜５０とが構成される半導体装置であって、パッシベーション膜５０と配線部にけるパッシベーション膜５０の直下の配線部材１０との間に、配線部材１０を覆う圧縮性の第１絶縁膜２０と、第１絶縁膜２０上に設けられる圧縮性の第２絶縁膜４０と、第１絶縁膜２０と第２絶縁膜４０との間に配線部材１０による角部の面取りするように設けられる絶縁性の引張応力膜３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、パターニング特性を備え、しかも比較的高い塗膜強度と比較的低い比誘電率を有し、さらには表面平坦性や耐クラック性などに優れたシリカ系塗膜を形成するための液状組成物からなるシリカ系塗膜形成用塗布液およびその調製方法に関する。
【解決手段】 パターニング特性を備えたシリカ系塗膜を形成するための液状組成物からなるシリカ系塗膜形成用塗布液であって、塩基性触媒成分を含有するシリカ系微粒子、特定の有機珪素化合物を加水分解して得られる珪素化合物および紫外線照射により酸を発生する酸発生剤を少なくとも含むシリカ系塗膜形成用塗布液および該シリカ系塗膜形成用塗布液の調製方法。 （もっと読む）

有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）を絶縁体材料として用いて薄層トランジスタが製造される。有機ケイ酸塩ガラスは、シロキサンと酸素からプラズマ化学気相成長法によって被着されたＳｉＯ_２−シリコーンハイブリッド材料であってよい。これらのハイブリッド材料は、ゲート誘電体として、サビング層としておよび／またはバックチャネル不動態化層として利用されてよい。トランジスタは、従来のあらゆるＴＦＴ幾何形状で製造されてよい。
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【課題】ウエーハの加工の際に、ウエーハ保持面を保護する保護膜特性が優れており、とくに使用後、不要になった保護膜を特定のウエーハ洗浄液を使用することなく、容易に剥離して除去できる保護膜が得られる保護膜形成用組成物および該保護膜を環境負荷が伴わず剥離除去できる剥離方法を提供すること。
【解決手段】少なくともポリビニルブチラール樹脂（ａ）と、ポリビニルアセトアセタール樹脂（ｂ）とを含有する被膜形成材料（Ａ）と、一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とを有機溶媒中に含有することを特徴とする保護膜形成用組成物。 （もっと読む）

低誘電率膜を基板上に堆積させる方法を提供する。１種または複数の有機ケイ素化合物とポロゲンを反応させること、次いで膜を後処理することにより膜に細孔を生成することを含むプロセスにより、低誘電率膜を堆積させる。１種または複数の有機ケイ素化合物としては、一般構造Ｓｉ−Ｃ_ｘ−Ｓｉまたは−Ｓｉ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｓｉ−を有する化合物が挙げられる。本明細書に記載される低誘電率膜としては、膜の後処理の前と後の両方にＳｉ−Ｃ_ｘ−Ｓｉ結合を含む膜が挙げられる。低誘電率膜は、良好な機械的特性および接着性、ならびに望ましい誘電率を有する。
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